[参考译文] TMS320F28P550SJ：使用闪存 API v4.0.0 进行闪存编程时出现问题 (TMS320F28P550)

https://e2e.ti.com/support/microcontrollers/c2000-microcontrollers-group/c2000/f/c2000-microcontrollers-forum/1600659/tms320f28p550sj-issue-with-flash-programming-using-flash-api-v4-0-0-tms320f28p550

器件型号： TMS320F28P550SJ

您好：

我在使用 TMS320F28P550SJ9 上的闪存 API v4.0.0 将数据写入闪存时遇到问题。

设置：
MCU： TMS320F28P550SJ9
闪存 API： v4.0
中断： 禁用
组 4 完全为数据保留（无代码）
闪存 API 从运行 RAM

问题 ：
我正在尝试将数据写入空组 4（地址 0x100000）。 数据被拆分为四个字的块 (U16)：

1. 0x5A5A, 0x5A5A, 0x5A5A, 0x5A5A
2. 0xFFFF, 0xFFFF, 0xFFFF, 0xFFFF
3. 0xA5A5, 0xA5A5, 0xA5A5, 0xA5A5
4. 0xFFFF, 0xFFFF, 0xFFFF, 0xFFFF
5. 0x0001, 0x0002, 0x0003, 0x0004
6. 0x0005, 0x0006, 0x0006, 0x0007

在开始编程过程之前、我确认目标存储器为空：  
1.手动（逐字节比较）  
2.使用 Fapi_doBlankCheck 
3.通过 CCS 中的存储器视图  

在所有情况下、存储器都是 空 。  



编程期间的行为：
1.数据以块 (4 ×U16) 的形式写入。
2.块 1–4 编程正确。
3.尝试对下一个块进行编程时、 Fapi_getFsmStatus返回 0x101 （十进制：257）。



根据 闪存 API v4.0.0 文档 ：
第 8 位：由于尝试对存储的值进行编程、编程命令失败
2.位 0：命令完成

我已经检查了所有地址和偏移量、一切看起来都是正确的。
在 CCS 中手动擦除闪存组 4 并重新启动固件后、即所有数据 写入正确 。  





代码：

uint16_t CHUNKS = length / 4U;

uint16_t CHUNK_NUM = 0;
for(CHUNK_NUM = 0; CHUNK_NUM < CHUNKS; CHUNK_NUM++)
{
        Fapi_StatusType fapi_status_ret = Fapi_Status_FsmBusy;

    while(Fapi_checkFsmForReady() != Fapi_Status_FsmReady);

    volatile Fapi_FlashStatusType flash_status_ret = Fapi_getFsmStatus();

    if(flash_status_ret != 0 )
    {
        fapi_status_ret = Fapi_issueAsyncCommand(Fapi_ClearStatus);

        if(fapi_status_ret != Fapi_Status_Success)
        {
            __asm(" ESTOP0");
            return FALSE;
        }
    }

    flash_status_ret  = Fapi_getFsmStatus();

    uint16_t err = (Fapi_checkFsmForReady() == Fapi_Status_FsmReady) && 
                (flash_status_ret == 0x03U || (flash_status_ret == 0U)) ? FALSE : TRUE;

    if(err == TRUE)
    {
        __asm(" ESTOP0");
        return FALSE;
    }

    if(Fapi_setupBankSectorEnable((FLASH_WRAPPER_PROGRAM_BASE + FLASH_O_CMDWEPROTA), MASK_A) != Fapi_Status_Success)
    {
        __asm(" ESTOP0");
        return FALSE;
    }

    if(Fapi_setupBankSectorEnable((FLASH_WRAPPER_PROGRAM_BASE + FLASH_O_CMDWEPROTB), MASK_B) != Fapi_Status_Success)
    {
        __asm(" ESTOP0");
        return FALSE;
    }


    uint16_t offset = 4U * CHUNK_NUM;

    if(Fapi_Status_Success != Fapi_issueProgrammingCommand( (uint32_t*) (0x100000U + offset),
                                                            (uint16_t*) (data_to_save + offset), 
                                                            4U, NULL, 0U, Fapi_AutoEccGeneration))
    {
        __asm(" ESTOP0");
        return FALSE;
    }

    while(Fapi_checkFsmForReady() != Fapi_Status_FsmReady);

    flash_status_ret = Fapi_getFsmStatus();

    if (flash_status_ret != 0x0U && flash_status_ret != 0x3U)
    {
        __asm(" ESTOP0");
        return FALSE;
    }

}

问题：
什么可能导致无法对存储器进行编程、即使之前已将存储体验证为空白？

提前感谢您的帮助！

此致、
Karol