Other Parts Discussed in Thread: DRV8161, TMS320F2800156-Q1
请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
器件型号： TMS320F2800156-Q1
主题中讨论的其他器件： DRV8161、
尊敬的 TI 团队：
我目前正在使用 TMS320F2800156-Q1 MCU 和 DRV8161 栅极驱动器设计电机驱动系统。
我按如下方式配置了死区时间设置：
-
MCU (TMS320F2800156)：ePWM 死区模块设置为 1000ns。
-
栅极驱动器 (DRV8161)：DT/MODE 引脚通过硬件配置为 370ns 死区时间。
您能否确认在 MOSFET 栅极上观察到的预期总死区时间？
我的理解是否正确、实际死区时间将是两者中的最大值（即 1000ns）、驱动器的死区时间不会累计到 MCU 的死区时间（而不是 1370ns）？
感谢您的参与和支持！
