[参考译文] TMS320F28374D：控制器未检测到

您好：

是、执行擦除操作时连接调试器。 我们已经对 VDD 和 XRSn 进行了范围划分、VDD 稳定在 3.3V、并且当擦除操作开始时、XRSn 变为低电平。 我们没有选择测量 IDIO 和 IDD、但将在周一尝试。 如果您需要捕捉这些波形、我将在星期一捕获并发布到这里  

您好：

如果 XRSn 变为低电平、器件正在将某个复位条件置为有效（可以与 RESC 寄存器确认）。 能否详细介绍一下如何为该器件供电？

此致、
马特

您好：

我们具有板载 3.3V 和 1.2V 稳压器、这些稳压器从 5V 输入进行转换并连接到控制器。 我已经尝试监控 RESC 寄存器、在连接目标后显示为 1、这意味着在执行预形成闪存擦除操作之前。 点击“Flash erase“后、目标断开连接、因此我无法监控 RESC 寄存器值。 我将尝试上传捕获的图像。 这里还有一点我想问的、我希望无需放置外部振荡器即可执行擦除和闪存操作。 我是对的吗？

您好：

请找到随附的图像。 今天、我们在 XRS 引脚中没有看到任何干扰、而是出现 3.3V 下降。

黄色 — 1.2V、  

粉色 — XRSn、

绿色 — 3.3V

与目标器件连接后、1、2V 变得嘈杂、执行擦除操作时、3.3V 变为低电平、然后返回。  

您好：

我在 星期二 (3/10) 之前不在办公室、请期待在该日期之前提供帮助。

此致、
马特

您好：

还有一件事我想问、我希望执行擦除和闪存操作不需要放置外部振荡器。

正确。 闪存操作不需要外部振荡器。

点击闪存擦除后、目标断开连接、因此我无法监控 RESC 寄存器值。

RESC 寄存器仅在 POR 时复位、因此 XRSn 不会清除寄存器值。

与目标连接后、1、2V 会产生噪声、执行擦除操作时、3.3V 会变为低电平并返回。  [/报价]

请确认按照数据表中的规定、向器件提供了足够的电流用于闪存擦除/编程：

此致、
马特

您好：

感谢您的答复。

我明天将检查并确认这一点。

您好、

听起来不错、我将在这里提供进一步帮助。

此致、

马特

您好：

我们使用此 TPS62420DRCR 稳压器生成 3.3V 和 1.2V 电压、并且能够承受 600mA 和 1000mA。 请检查一次电源电路。

请参阅下图、黄色、3.3V、绿色 1.2V、粉色 XRSn

您好：

我已将此主题重新分配给电源/当前专家以帮助查看。 请稍后回复。

此致、
马特

您好：

谢谢您、

我们没有监控 IDD 和 IDDIO 电流的配置、但我们在电源和控制器之间放置了一个分流器（100m Ω）。

我们观察到、与目标连接时电压几乎没有增加（以电流计）、然后在执行闪存擦除操作时没有变化。

我想电源不是问题、可能是错的。

请提供您的支持和指导以解决此问题。

您好：

您是否将 VREGENZ 连接到 VDDIO？  必须将 VREGENZ 引脚连接到 VDDIO、并使用外部电源为 VDD 提供 1.2V 电压。 在斜升期间、VDD 应保持不高于 VDDIO 加 0.3V。

您好：

是的、我们将 VREGENZ 连接到 VDDIO (3.3V)、VDD 连接到稳压器输出、从而提供 1.2V 的电压。  

我们有稳压器的 3.3V 输出、它直接连接到 VREGENZ、VDDIO 引脚也连接到稳压器的 3.3V 输出、但通过磁珠电感器实现。

我不理解 RAMP 的概念。 您能解释得更清楚一点吗？

Vanu,

斜坡与数据表 6.9.1 电源时序 www.ti.com/.../tms320f28379d.pdf 中描述的电源时序相关

您的电源斜升速率也应在 330 至 10^5V/s 范围内。  

您好：

根据信号要求、所有数字和模拟引脚现在均断开。 我们将在此处找到电源斜升速率并进行更新。

好的、听起来不错。 期待您的更新。

您好：

请查看随附的图、分别为 3.3V 和 1.2V

3.3V 在上电后从 0V 达到该值需要 1ms。上电后、从 0V 达到 1.2V 大约需要 1.6ms 时间。

我们已经使用外部电源捕获了这些内容、我们将尝试使用板载稳压器捕获这些内容。

您好：

感谢您的答复、

请给我们一些时间来调试电源,我们有连续的假期在印度,我将尝试使它在星期五工作,如果不是我将发布更新在星期一

Hello Vasu、

感谢您的更新。 期待您的答复。

您好、Stevan、

请找到所附的图像、我们在时间限制内使电源达到 3.3V 和 1.2V、但擦除和闪存操作仍失败。

Hello Vasu、

新的供应斜升速率是多少？ 几点注意事项：

- 在为器件供电之前、不能对任何数字引脚施加比 VDDIO 高 0.3V 以上的电压、也不能对任何模拟引脚（包括 VREFHI）施加比 VDDA 高 0.3V 以上的电压。

- 3.3V 电源应一起上电,在正常工作期间彼此之间的差值应保持在 0.3V 以内。

- 在斜升期间、VDD 应保持不高于 VDDIO 加 0.3V。

您好、Stevan、

斜升速率为 2750 V/S 这意味着它可以在 1.2ms 内达到 3.3V。  

我们尚未将任何电路连接到数字 IO 和模拟引脚、所有引脚均断开。

VERFHI 连接到 3.3V、通过磁珠电感器连接到 VDDIO。

是的、我们一起上电 3.3V 和 1V。

是的、VDD 电源低于 VDDIO 电源电压、您可以参考上图黄色 (3.3V) 高于绿色 (1.2V)。

我们在另一个控制器中也尝试了相同的方法、并且我们也有备件。 我们注意到、执行擦除操作后、XRSn 引脚以 50Hz 的速率持续复位。 在执行擦除操作之前处于高电平 (3.3V)。  

请参阅随附的图像。

Hello Vasu、

您使用的所选引导模式是什么？  通过 JTAG 进行编程时、您是否可以尝试将引导模式引脚配置为等待引导（“01“）模式？  

您好、Stevan、

到目前为止、我们已通过上拉将两个 GPIO 连接到 3.3V、并处于闪存引导模式。

是的、我们来尝试等待引导模式选项

您好、Stevan、  

我们已经尝试更改引导模式引脚、但仍然在执行闪存/擦除操作时收到相同的错误。

我想在这里再澄清一个问题、

这是我们原理图中的 JTAG 连接器、这些引脚与 TMS320F28374D 相连并与外部数字频谱 XDS200 调试探针连接。

我们使用了数据表中提到的外部电路、请参阅下图、

如果需要更改/更新任何内容、请更正我。 由于满足了电源要求、正如您所知、数字 IO 和模拟引脚中没有电压、这意味着引脚开路和未使用。  

您好：

我将及时查看和答复。

您好、Stevan、

谢谢、期待您的答复。

Hello Vasu、

您能分享一下 C2000 器件的原理图吗？ 我想快速检查 C2000 端是否缺少内容？

您好、Stevan、

请找到随附的原理图。

我们的团队错误地将引导引脚连接、因此移除了这些上拉电阻器并在外部连接了正确的引脚 (GPIO72、GPIO84)。

我想其他的东西都很好。

e2e.ti.com/.../Control_5F00_Card_5F00_design_5F00_final-2.pdf

Hello Vasu、

感谢您共享原理图文件。 通过查看、我发现 VDD 和 VDDA 电源轨存在问题。 VDD_MCU 和 VDDA_MCU 缺少去耦电容器、这会导致电源轨容易产生噪声。 这很可能是您看到的问题的根本原因。  

根据数据表第 35 页：  https://www.ti.com/lit/ds/symlink/tms320f28374d.pdf 

VDD：  

放置去耦电容器有两个选项。

  •选项 1 — 均匀分布：在每个 VDD 引脚上均匀分配去耦电容、最小总电容约为 20uF。

  •选项 2 — 大容量电容：在每个 VDD 引脚附近放置一个 1uF 电容器、然后将 20uF 的最小总电容的剩余部分放置在上、作为大容量电容       VDD 网络

VDDA：

在每个引脚上放置一个最小值为 2.2-µF R6 54 38 且连接至 VSSA 的去耦电容器。

VDD_1V2 上放置了一个 22uF 去耦电容器、但我在原理图中找不到 VDD_1V2 和 VDD_MCU_1V2 之间的任何连接。 这是有意为之吗？ 此外、您能详细说明一下在外部添加的引导模式 GPIO 吗？

期待您的答复。

您好、Stevan、

感谢您的意见、

我们将按照前面所述放置电容器并尝试放置。

这是有意为之吗？ 此外、您能详细说明一下在外部添加的引导模式 GPIO 吗？

是的、我们已从外部添加了带 4.7k Ω 的上拉电阻以连接到正确的 GPIO 引脚 (GPIO72、GPIO84)。 根据原理图、这些引脚上有引导模式配置。

您好、Stevan、

VDD_1V2 和 VDD_MCU_1V2 通过电感器 L4 连接

Hello Vasu、

感谢您的答复。 那应该很好。 请允许我更多时间进一步检查原理图、看看是否存在任何问题。 通常、建议为引导模式使用 56k 上拉电阻。

您好、Stevan、

根据您的输入、我们将电容器放置在 VDD 引脚附近 (7x100nF)、然后 在电源轨上放置了 20uF 电容器。

仍然是相同的误差。 我们将更改 BOOT 引脚电阻并重试。

Hello Vasu、

感谢您的更新。 您能否探测 VDD_MCU_1V2 并看看是否检测到 1.2V 并提供给 MCU？ 此外、对于您提到的 JTAG 连接、您要连接到 使用 20 引脚连接器的 TMDSEMU200-U、但在您的用例中、我看到了 8 引脚公接头？ 我的理解是否正确或有其他原因？ 期待您的答复。

您好、Stevan、

我们有连续的会议,所以我没有看到你的答复。 我将探测 VDD_MCU_1V2 、并明天更新给您。

是的、您的理解是正确的、我们仅在公接头上端接所需的引脚、截至目前、我们正在从外部将 20 引脚转换为 8 引脚并连接到我们的控制器板。

您好、Stevan、

是目标连接正常。 闪存服务器和编程失败。 我希望控制器仍然处于活动状态、XDS200 调试器也正在工作。

Hello Vasu、

我邀请了相关的闪存 API 专家来提供帮助、因为电源似乎不再有问题。 请给他一些时间来检查问题并进一步帮助您。

谢谢您、Stevan。

您好：

我们可以尝试的任何意见/建议

您好：

您是否能够使用闪存 API 编程示例对器件进行擦除和编程？ 这可在 C2000Ware SDK 中找到、位置 为 C2000Ware\device_support\f2837xd\examples\dual\flash_programming\cpu01。

此致、

Alex

您好 Alex、

我们无法进行擦除或闪存编程。 器件正在连接、并且在执行擦除或闪存操作时断开连接。  

我获得了其他一些输入来调试电源并满足 TI 团队的要求。 一切都好、您可以在此主题中阅读相同内容。

问题可能是什么？ 请指导我们解决此问题、我们计划将此定制控制器板用于工程、除了控制器板之外、其他硬件也已准备就绪。 我希望你能理解我们的情况。  

温暖的食物

Vasu  

您好：

Vasu Mani 说：

点击“Flash erase“后、目标断开连接、因此我无法监控 RESC 寄存器值。

RESC 寄存器仅在 POR 时复位、因此 XRSn 不会清除寄存器值。

您是否能够确定 RESC 寄存器的值？ 尝试闪存擦除并发出 XRSn 后、您可以连接回器件并读取它。

此致、

Alex

您好 Alex、

不可以、连接目标后、我能够读取 RESC 寄存器、尝试闪存擦除目标断开连接后、甚至 CCS 也会自动关闭。 因此我无法读取 RESC 寄存器。

您好：

对延迟响应表示歉意。

您是否能够使用闪存 API 编程示例对器件进行擦除和编程？ 这可在 C2000Ware SDK 中找到、位置为 C2000Ware\device_support\f2837xd\examples\dual\flash_programming\cpu01。

回到这里、您是否能够使用 RAM 配置成功执行此示例？ 这里的目标是独立于 CCS 的闪存操作来运行闪存 API、以便确定这是与您的 CCS 安装还是器件上的实际闪存有关。

此外、CCS 崩溃后、您应该能够重新连接到器件并在未断电的情况下读取 RESC。

在该问题开始发生之前、是否已将任何内容编程为闪存、或者器件上的闪存是空白的？

此致、

Alex

您好 Alex、

首先、我必须将代码转储到控制器中以尝试 Falsh API 编程。 我无法转储代码。

是、CCS 崩溃后、我再次打开 CCS 并尝试监控 RESC 寄存器值、它会在 0xC0000000 中显示、这意味着 TSRT 状态为 1、XRS 状态为 1、其余为 0。

我们之前没有刷写任何内容、它是一个新的控制器、我们正在尝试转储代码。 即使我尝试做黑色检查,这一操作也抛出错误（错误 — 1044)

我尝试使用 uniflash 软件、我可以读取存储器。 但闪存擦除/编程操作失败。