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部件号：TMS320F2.8069万F 主题中讨论的其他部件：DRV8301
您好，
我实际上正面临一个问题，我不知道它来自哪里。
我正在使用具有6-PWM输入的DRV8301。 使用的FET为BUK7Y4R8-60E。
我的电源电压范围是22V-25V (蓄电池)。 我们使用10欧姆闸电阻器和0.022µf充电泵。 GVDD电容器是一个2.2µF。
我的问题： B相的高侧FET的栅极电压过低，并且其中存在振荡。 这仅发生在相位B上。已更改FET并检查所有内容。 其他相位的设计方式相同。
随后我从示波器中添加了一些屏幕。
电压探头的增益为10！！！！
相位B高侧开关处的栅电压
另一张高赛德B的盖茨图片 (看起来并不一样)
相位B上有电压
用于比较相位A高侧的栅极电压
B相的低侧FET工作正常。
有人对此有什么想法吗？
我将检查我的BST信号，并可能更改DRV8301
此致
Sebastian
