大家好，
客户在我们的文档中发现一些错误：
如上所示， LEM过流保护阈值为11A。
此电路部分如图所示，原始侧电流11 A时的传感器输出计算如下：
LTS 6-NP：(11 / 3)* 0.625 + 2.5 = 4.792V
CAS 6-NP：11 * 2 * 0.1042 + 2.5 = 4.792V
4.792V级后操作需要倍增0.66 ，即4.792 * 0.66 = 3.1.6272万V。 此电压值与后续比较电路设置的3.1565 －V阈值基本相同：
但是，对于电流传感器，4.792V超出传感器输出的线性范围：
问题： 文档中描述的LEM传感器过流保护阈值11A是否有任何问题？
您可以帮助检查此问题吗？ 谢谢。
此致，
樱桃
您好，Cherry，
客户提及的内容看起来有效。 霍尔传感器饱和11A，随后的跳闸可能/也可能不会发生(它确实位于边界上)。 可通过更改如下所示的TrpRef电阻分压器来设置和降低跳闸电流。 在TrpRef为~3.05V的情况下，可以设置的最大跳闸电流理想为~10.2A。
我将提交一个TT以改进文档。
最佳，
Kevin
您好Kevin，
感谢您的确认。
另外，请注意，我们可能会出现一些相同的错误，我们应该查看：
1)。 BOOSTXL-DRV8301： 内置检查放大器的字符如下所示：
当前采集部分的设计如下：
采样阻力为10 mohm，中点是1.65 V AD采集范围的一半，内部可编程增益8301设置为10。 因此，此处的采集范围为16.5A * 0.01ohm * 10 = 1.65V，设计为0至3.3V时为±16.5A。 但是，根据检查放大器的输出线性范围，此处的设计显然也超出了放大器的线性输出范围。
2) BOOSTL-DRV8305： 当前采集部分的设计如下：
采样电阻器为7 mohm，中点是1.65 V AD采集范围的一半，内部可编程增益8305设置为10。 因此，此处的收集范围为20A * 0.007ohm * 10 = 1.4V，设计为±20A，用于0.25V至3.05V。
DRV8305检测放大器的字符如下所示：
在+20A时不超过线性区域，但在-20A时，超出操作区域的线性区域(小于0.3 V)。
3) BOOSTXL-3PhGaNINV： 当前采集部分的设计如下：
样品电阻为5 mohm，中间点AD采集范围的一半为1.65 V，采用20因子比的INA240A1。 因此，采集范围为16.5A * 0.005ohm * 20 = 1.65V，设计为±20A (0V至3.3V)。 电路中INA240的VS = 3.3 V
INA240的输出摆幅受VS的限制，因此不能满足16.5 －A 3.3 －V设计。
上述三个开发套件的问题相同，请帮助确认。 谢谢。
谢谢，此致，
樱桃
您好，Cherry，
感谢您的耐心等待！
以下是回应-
1. BOOSTXL-DRV8301最多只支持10ARMS (14APEAK)。 电流测量的标度为±16.5A，仅用于显示计算结果。 因此，相对于1.65V的VREF，输出电压将为±1.4V。 输出电压摆动范围为0.25V至3.05V。 因此，低回转0.25V仍将低于0.3V，这超出了DRV8301的内部并联放大器的规格。 我将创建Jira标签以改进文档。请注意，现有电流范围仍可用于板载外部放大器，如下所示。
2. BOOSTXL-DRV8305–与第1节中提到的类似问题。 我将创建Jira TT以提高这一点。
3. BOOSTXL-3PhGaNINV–与1中提到的外置放大器INA240A类似的问题。 我将创建Jira TT以提高这一点。
此致，
Sumit Patil
