[参考译文] TMS320F280025：TMS320f28002x UL60730自检库

我按照您的信息下载文档"安全手册"并进行检查。 这似乎是一个仅介绍 MCU 功能的文档。 它不会向我们展示如何实施自检。

我下载 C2000Ware/libraries/diagnostic/f28002x/docs 下的"DIAG_Lib_TMS320F28002x_Users_Guide"并导入一个示例"SDL_Ex_ram_parity_test"。

TI 是否有文档来解释该示例？ 这是因为我找不到函数说明、例如 MemCfg_setTestMode...

BR

HK Woo

安全手册对不同的诊断和机制进行了很好的总结、但在技术参考手册中查找这些信息仍然很有帮助、以了解更多详细信息。

诊断库有用户指南、尽管它是从工程中主.c 文件顶部的注释生成的、因此您可以直接读取这些注释。 示例中调用的大多数函数(如 MemCfg_setTestMode)来自 Driverlib。 您可以在此处或 C2000Ware 中的 device_support/f28002x/docs/html/index.html 下找到 Driverlib API 参考指南。

惠特尼

惠特尼

我仍然不了解 MCU 的自检过程。 我在香港找到。 是否有机会与 TI 支持人员进行缩放通话以进行讨论。 我们的项目正在运行。 需要 TI 支持。

BR

HK Woo

该流程的哪些方面给您带来了麻烦？ 您是否在确定需要运行哪些测试时遇到问题？ 或者了解如何配置器件以运行它们？ 还是其他东西？

惠特尼

您好、Whitney

我正在占用@ 2个区域。 IEC60730要求中的 RAM 和闪存测试。

我正在使用 TI PLC IC AEF031及其由 TI 提供的编译库 FSK_corr_detect_lib_eabi.lib。

RAM 测试。

根据 IEC60730、有必要执行与库相关的 RAM DC 故障。 但是、我不知道库使用的变量的实际地址。

如果我们要查看库的源代码。 我们自己修改代码的风险太大。

闪存测试。

1.找不到任何文档/示例代码来读取闪存内容以进行校验和检查

2.如何将闪存的一小部分保留为 EEPORM

3.如果闪存在固件刻录过程中模拟 EEPORM、如何将校验和值刻录到项目2。 例如、 将校验和数据存储到.out 或.hex、这样就无需编写通信函数即可将校验和发送到 MCU、然后将其写入仿真 EEPORM。

BR

HK Woo

您好、Whitney

我从安全机构那里获得了信息。 IEC60730应用的一些要求、需要按 如下所示检查寄存器

1、ACC、P、XT、XAR3-XAR7、PC、 RPC、ST0、ST1、DP、SP、 IER、IFR、DBGIER。 如果是55H、测试算法可以写入55H、而如果是55H、可以读出；如果是 AAH、可以写入 AAH 和读出  

2.需要检查所有 RAM 是否存在直流故障

对于项目1、我找到了演示代码 f28002x_test_application。 似乎一个 API 调用 STL_CPU_REG_checkCPURegisters ()将检查所有这些 CPU 寄存器。

我有一个问题、如下所示

A. API 是否会影响更多程序流。 这是因为有一个运行@ 300KHz 的 ISR 来对来自 TI PLC 芯片 AFE031的 PLC 信号进行采样。

B. API 的总执行时间是多少？ 这样做的原因是为了防止由于演示代码 sta_tests.c 中的项目 a 而导致的溢出

           Dint；
#if STA_UTIL_profile
           STA_Util_startProfiler (CPUTIME1_BASE)；
#endif

           uint16_t returnVal =
                   STL_CPU_REG_checkCPURegisters (STA_Tests _注入错误)；

#if STA_UTIL_profile
           uint32_t cycleCount = STA_Util_stopProfiler (CPUTIME1_base)；
           STA_Tests_cycleCounts[STA_CPU_REG]= cycleCount；

来自 CCStudio 表达式窗口的 STA_Tests 和 cycleCounts[STA_CPU_REG]为686。 它意味着它需要6.86us

此外、如果我删除上述红色代码、则会出现任何问题。 它似乎仅用于确定执行时间、对吗？

c.能否向我解释 API 的输入参数为何是 bool True 或 False。 我不理解文档"DIAG_Lib_TMS320F28002x"中的解释

对于第2项、我正在研究演示代码 SDL_Ex_ram_ecc_parit_test、它是否正确？

您好、Whitney

对于 API STL_CPU_REG_checkCPURegisters ()、我仍然不理解。 如果我想检查 CPU 寄存器、它是否正常。 应使用什么参数"设置"或"错误"？ 这是我的理解、如下所示

情况1.

X = STL_CPU_REG_checkCPURegisters (false)；

如果寄存器没有问题、X 应该为 CPU_REG_PASS、否则为 RESUE_REG_FAIL；

情况2.

X = STL_CPU_REG_checkCPURegisters (真)；

如果寄存器没有问题，X 应该是 CPU_REG_FAIL，否则返回 CPU_REG_PASS；

对于自检设置、必须具有以下代码

   EALLOW；
   HWREGH (NMI_BASE + NMI_O_FLGCLR)= 0xFFFF；
   HWREGH (NMI_BASE + NMI_O_CFG)|= NMI_CFG_NMIE；
   EDIS；

我有疑问、是否有必要将其重新配置为正常模式、或者仅保留一段时间、例如

MAIN ()

…

   EALLOW；
   HWREGH (NMI_BASE + NMI_O_FLGCLR)= 0xFFFF；
   HWREGH (NMI_BASE + NMI_O_CFG)|= NMI_CFG_NMIE；
   EDIS；

  for (；；)

  ｛

       …

        我的应用程序代码；

       …

       if (需要执行 CPU 寄存器测试)

      ｛

            Dint；

/*或在此处将上面的代码置于红色位置????????? *

            X = STL_CPU_REG_checkCPURegisters (真)；

           如果(x = CPU_REG_FAIL)

          ｛

               我的代码；

          ｝

/*我们是否需要将 NMI_BASE 重新配置为其他模式，在此处显示我的应用程序以正常操作运行，如果需要，代码是什么。*/

          EINT；

     ｝

ISR (Vode)

｛

     我的代码；

｝

-.对于 RAM/Flash 检查、我仍在检查代码。

-.for FSK_corr_detect_lib_eabi.lib。 我通过 TI 网站收到了消息来源。 我不知道 TI 是否向我发送了正确的版本。 这是因为 TI 在网站中发布库不是 EABI 格式。

BR

HK Woo

对于正常运行、您将错误注入参数保留为 false (情况1)。 注入错误的选项仅供您测试系统在检测到错误时如何处理。

您不需要对 NMI 执行任何操作即可运行 STL_CPU_REG 测试。 即使检测到故障、STL_CPU_REG 测试也不会生成 NMI。 您可能根本不需要该行来写入应用程序中的 NMIE。 独立运行时、引导 ROM 启用 NMI、并且在调试模式下运行时、GEL 文件会执行该操作、假设您使用的是 CCS 默认值。

我将研究是否对 FSK_corr_detect_lib_eabi.lib 源代码进行了任何代码更改、以允许为 EABI 构建该源代码。

惠特尼

您好、Whitney

感谢您的信息。 我在 CPU 寄存器上完成了一个代码。 我将启动一个 RAM 代码。 根据安全机构的说法、需要检查 RAM 的整个部分。 我无法从 RAM 的起始地址和结束地址中获取。 请帮帮我。

我想使用 STL_March 测试 RAMCopy 和 STL_March 检查错误状态来解决 RAM DC DC 故障

下面是我对编码的看法

Dint；    

STL_March testRAMCopy (STL_March pattern_1、 0x0000、7、 0xFFFFFFF)；

EINT；
uint16 returnVal STL_March _checkErrorStatus ()；

if (returnVal！= STL_March _pass) ErrorFound

它是正确的、您能解释什么是 STL_March pattern_one、STL_March pattern_tw....

非常感谢

数据表中有一个表格、显示了所有不同 RAM 的地址和大小。 在最新版本的数据表中、它位于第8.3.1节： https://www.ti.com/lit/pdf/sprsp45

这些功能将起作用。 如果您能够在调用_c_int00在 RAM 中初始化变量之前运行测试、则可以使用 STL_March testRAM、因为它不会保存和恢复到存储器、因此可以更快地运行测试。 我已经看到其他客户在这种方法上取得了成功、但是如果执行时间不是问题、或者您计划一次在小部分中定期运行测试、那么您所拥有的一切都是可以的。

这里有一个文档、它对模式的用途进行了更详细的解释： https://www.ti.com/lit/pdf/spracb9

如果可以提高诊断覆盖率、建议循环执行、但严格意义上没有必要。

惠特尼

惠特尼

IEC 要求定期运行 RAM 测试、因此我需要使用 STL_MarchRAMCopy。我有疑问、在运行代码之前是否需要执行任何初始化函数。

您能详细说明吗？ 在运行 STL_March 测试 RAMCopy 之前、您的具体意思是什么？ 如果这是您所说的、不是、STL_March _testRAMCopy 没有 init 函数。 只要它对被测试的 RAM 具有读/写访问权限、它就应该可以运行了。

惠特尼

您好、Whitney

我查看了项目 f28002x_test_application sta_tests.c 中的代码

       案例 STA_March 复制：
       ｛
           uint32_t originalValue；
           uint16_t 索引；

           //
           //填充 STA_User_marchTestData 以使复制更容易
           //观察。
           //
           for (索引= 0；索引< STA_USER_March _DATA_SIZE；index++)
           ｛
               STA_User_marchTestData[index]=索引；
           ｝

           //
           //清除 RAM 错误状态标志。
           //
           MemCfg_clearUncorrErrorStatus (MEMCFG_UCERR_CPUREAD |
                                         MEMCFG_UCERR_DMAREAD)；
           MemCfg_clearCORErrorStatus (MEMCFG_CERR_CPUEAD)；

           //
           //初始化 stl_March 的注入错误句柄。
           //
           STA_User_initMarch ()；

           //
           //在内存中注入错误。
           //
           if (STA_Tests _注入错误)
           ｛
               //
               //在 M0中导致单一位错误(ECC、可纠正)
               //
               originalValue = HWREG (STA_User_marchErrorObj.address)；
               STA_User_marchErrorObj.TESTMODE = MEMCFG_TEST_WRITE_DATA；
               STA_User_marchErrorObj.xorMask = 0x00000001U；
               STL_March 注入错误(STA_User_marchErrorHandle)；
           ｝

#if STA_UTIL_profile
           STA_Util_startProfiler (CPUTIME1_BASE)；
#endif

           STL_March testRAMCopy (STL_March pattern_1、
                                 (uint32_t) STA_User_marchTestData、
                                 (STA_USER_March 数据_SIZE / 2U)- 1U、
                                 (uint32_t) STA_User_marchTestDataCopy)；

#if STA_UTIL_profile
           uint32_t cycleCount = STA_Util_stopProfiler (CPUTIME1_base)；
           STA_Tests_cycleCounts[STA_March _copy]= cycleCount；
#endif

有一条指令 STA_User_initMarch ()、我不知道是否需要使用它。 在指令           STL_March 测试 RAMCopy (STL_March pattern_1、
                                 (uint32_t) STA_User_marchTestData、
                                 (STA_USER_March 数据_SIZE / 2U)- 1U、
                                 (uint32_t) STA_User_marchTestDataCopy)；

为什么起始地址和复制地址是带有数组索引的变量的名称？ 它应该是 RAM 的地址、例如0x0000、与此类似。

实际上、正如您所说的、我将在小部分中检查整个 RAM。

我的代码喜欢并以 M0为例

uint32 strat_address = 0x000000；

MAIN ()

｛

    IF (ramCheck)

   ｛        

         Dint；    

         STL_March testRAMCopy (STL_March pattern_one、 start_address、7、 0xFFFFF)；// 7被表示需要检查8个 RAM 地址
         uint16 returnVal STL_March _checkErrorStatus ()；

         if (returnVal！= STL_March _pass) ErrorFound；

         start_address = start_address + 8；

        如果(START_ADDRESS = 0x3FF) START_ADDRESS = 0x0000；

         ramCheck = false；

   ｝

   我的主循环程序代码....

｝

定时器_ISR ()

｛

   ramCheck = true；

｝

此外、我计划为复制地址保留 RAM  、该复制地址用作 STL_March testRAMCopy 的临时存储。 如何在链接文件或任何其他方法中执行此操作？

实际上、该代码用于检查整个 RAM 部分。 它是正确的代码吗？

在 https://www.ti.com/lit/pdf/sprsp45文档 的第8.3.1节中、我仍然有疑问

以 M0为例、从0x000到0x3FF、1K x 16。 16的含义。  它是16位。 如果我的代码 STL_March testRAMCopy (STL_March _pattern_one、 0x0000、7、 0xFFFFF)；是指 API 将检查地址从0x0000到0x0007的总长度8。

如果我的某些程序在 RAM 中运行、是否存在运行 RAM 测试的问题。

此外、请在下面的链接文件中找到使用 TMS320F280025的项目。 地址似乎与第8.3.1节中提到的文档不同

存储器
｛
  开始             ：origin = 0x080000，length = 0x000002
  BOOT_RSVD      ：origin = 0x00000002，length = 0x00000126
  RAMM0             ：origin = 0x00000128，length = 0x000002D8
  RAMM1           ：origin = 0x00000400，length = 0x000003F8    //片上 RAM 块 M1 *
// RAMM1_RSVD      ：origin = 0x000007F8，length = 0x00000008 //根据勘误咨询“Memory：Prepetching Beyond valid Memory”(内存：超过有效内存的预取)，保留并不用于代码*/

/* RAMLS4          ：origin = 0x0000A000，length = 0x00000800
  RAMLS5          ：origin = 0x0000A800，length = 0x00000800
  RAMLS6          ：origin = 0x0000B000、length = 0x00000800
  RAMLS7          ：origin = 0x0000B800，length = 0x00000800*/

  /*合并所有 LS RAM */
  RAMLS4567       ：origin = 0x0000A000，length = 0x00002000
  RAMGS0          ：origin = 0x0000C000，length = 0x000007F8
// RAMGS0_RSVD     ：origin = 0x0000C7F8，length = 0x00000008 //保留并不用于根据勘误咨询“内存：预取超出有效内存”的代码*/


// FLASHBANK1      ：origin = 0x00080000，length = 0x0000FFF0
// flash_bank1_RSVD：origin = 0x0008FFF0，length = 0x00000010 //保留并不用于根据勘误咨询“Memory：pretching Beyond valid Memory”(内存：有效内存之外的预取)*/的代码
  BootROM         ：origin = 0x003F0000，length = 0x00008000
  BootROM_EXT     ：origin = 0x003F8000，length = 0x00007FC0
  复位           ：origin = 0x003FFFC0，length = 0x00000002
  /*闪存扇区*/
  /*组0 */
  FLASH_BANK0_SEC0 ：origin = 0x080002、length = 0x000FFE   //片上闪存*
  FLASH_BANK0_SEC1 ：origin = 0x081000、length = 0x001000   //片上闪存*
  FLASH_BANK0_sec2 ：origin = 0x082000、length = 0x001000   //片上闪存*
  FLASH_BANK0_SEC3 ：origin = 0x083000、length = 0x001000   //片上闪存*
  FLASH_BANK0_SEC4 ：origin = 0x084000、length = 0x001000   //片上闪存*
  FLASH_BANK0_SEC5 ：origin = 0x085000、length = 0x001000   //片上闪存*
  FLASH_BANK0_SEC6 ：origin = 0x086000、length = 0x001000   //片上闪存*
  FLASH_BANK0_SEC7 ：origin = 0x087000、length = 0x001000   //片上闪存*
  FLASH_BANK0_SEC8_9_10 ：origin = 0x088000、length = 0x003000   //片上闪存*
  //FLASH_BANK0_SEC8 ：origin = 0x088000、length = 0x001000   //片上闪存*
  //flash_BANK0_SEC9 ：origin = 0x089000，length = 0x001000   //片上闪存*
  //FLASH_BANK0_SEC8_9：origin = 0x088000、length = 0x002000   //片上闪存*
  //flash_BANK0_SEC10：origin = 0x08A000、length = 0x001000   //片上闪存*
  FLASH_BANK0_SEC11：origin = 0x08B000、length = 0x001000   //片上闪存*
  FLASH_BANK0_SEC12：origin = 0x08C000、length = 0x001000   //片上闪存*
  FLASH_BANK0_SEC13：origin = 0x08D000、length = 0x001000   //片上闪存*
  FLASH_BANK0_SEC14：origin = 0x08E000、length = 0x001000   //片上闪存*
  FLASH_BANK0_SEC15：origin = 0x08F000、length = 0x000FF0   //片上闪存*
// flash_BANK0_SEC15_RSVD    ：origin = 0x08FFF0，length = 0x000010 //根据勘误咨询“Memory: prepetching Beyond valid Memory”(内存：超出有效内存的预取)，保留代码且不用于代码*/

｝


部分
｛
  codestart       ：>开始，align (8)
  .text           ：>> flash_BANK0_sec2 | flash_BANK0_SEC3 | flash_BANK0_SEC4 | flash_BANK0_SEC5、  align (8)
  .cinit          ：> flash_BANK0_SEC1， align (8)
  .switch         ：> FLASH_BANK0_SEC1， ALIGN (8)
  .reset          ：> reset，                 type = DSECT /* not used，*/

  .stack          ：> RAMM1

  init_array     ：> flash_BANK0_SEC1， align (8)
  .bss            ：> RAMLS4567
  .bss：输出     ：> RAMLS4567
  .bss:CIO        :>RAMGS0
  .const          ：> FLASH_BANK0_SEC1、 ALIGN (8)
  .data           ：> RAMLS4567
  .sysmem         ：> RAMLS4567

   RAMS0：> RAMGS0

  /* 分配 IQ 数学区域：*/
  IQMath          :> RAMLS4567
  IQmathTables    :> RAMLS4567

  FSK_corr_lib_data：> RAMLS4567

  组
  ｛
      .TI.ramfunc
      ｛
          l sfra_F32_TMU_eabi.lib
      ｝
      ramfuncs

  ｝LOAD = FLASH_BANK0_SEC6、
        运行= RAMLS4567、
        Load_start (RamfuncsLoadStart)、
        load_size (RamfuncsLoadSize)、
        Load_End (RamfuncsLoadEnd)、
        RUN_START (RamfuncsRunStart)、
        run_size (RamfuncsRunSize)、
        RUN_END (RamfuncsRunEnd)、
        对齐(4)

/*
 .TI.ramfunc     ：load = flash_BANK0_SEC1，
                 运行= RAMGS0、
                 Load_start (RamfuncsLoadStart)、
                 load_size (RamfuncsLoadSize)、
                 Load_End (RamfuncsLoadEnd)、
                 RUN_START (RamfuncsRunStart)、
                 run_size (RamfuncsRunSize)、
                 RUN_END (RamfuncsRunEnd)、
                 对齐(8)
*
   SFRA_F32_Data   ：> RAMLS4567，ALIGN = 64

   FPUmathTables   :> FLASH_BANK0_SEC11


   //.scratchpad     ：> RAMLS4567
   //controlVariables：> RAMLS4567

   组
   ｛
       isrcodefuncs
       Dclfuncs
   ｝   LOAD = FLASH_BANK0_SEC8_9_10、
        运行= RAMLS4567、
        load_start (isrcodefuncsLoadStart)、
        load_size (isrcodestfuncsLoadSize)、
        load_end (isrcodefuncsLoadEnd)、
        run_start (isrcodefuncsRunStart)、
        run_size (isrcodefuncsRunSize)、
        run_end (isrcodefuncsRunEnd)、
        对齐(4)


｝

BR

HK Woo

hk

尊敬的 洪启宇

该领域的领域专家目前不在办公室，将于7月21日返回。  您的详细回答将延迟。  

关于您的以下问题：

有一条指令 STA_User_initMarch ()、我不知道是否需要使用它。 在指令           STL_March 测试 RAMCopy (STL_March pattern_1、
                                 (uint32_t) STA_User_marchTestData、
                                 (STA_USER_March 数据_SIZE / 2U)- 1U、
                                 (uint32_t) STA_User_marchTestDataCopy)；

为什么起始地址和复制地址是带有数组索引的变量的名称？ 它应该是 RAM 的地址、例如0x0000、与此类似。

STL_March testRAMCopy 在 C28x 汇编语言中实现。  请 查看文件 stl_March s.asm 来查看所有相关详细信息。  简而言之、 STA_User_marchTestData 和  STA_User_marchTestDataCopy 是各具有16个元素的数组。

关于以下问题、  

是的、1Kx16中的16意味着16位。  1K 块中的每个位置为16位宽。  请按照您喜欢的方式配置 C2000Ware 中提供的示例、并使用调试器逐步完成操作、以了解 API 执行的操作。

谢谢、

Krishna  

您好、HK、

我回到办公室。 您对3月测试的所有问题是否都已解决、或者您是否需要其他帮助？

惠特尼

您好、Whitney

我与安全机构进行了讨论。 目前、在我分享 TI 文档后、他们不接受使用 TI 诊断库来实现 IEC60730。  原因如下

TI 文档中没有显示 API 执行 RAM 测试如何符合 IEC60730的 sudo 代码。 这是该标准非常重要的要求。

2.如果我们不知道机制，如何测试演示。

我为 RAM 测试编写了自己的代码、如下所示

void IEC_RamTesting (void)//代码中使用的大多数变量都是全局专用变量
｛
   uint32_t x = 0；
   Dint；

   //ram_address_pr =(volatile uint32_t *) start_address；
   对于(x = 0；x < 597；x++)
   ｛
       Dummy1++；
       RAM_tempCopy =* ram_address_pr；//起始地址为0x00128，它基于链接命令文件
       //ram_tempNextCopy = * ram_address Next_pr；
       对于(pattern_index = 0；pattern_index < 12；pattern_index++)
       ｛

           /*
            *    uint32_t pattern_array[12]=｛pattern_00000000、pattern_555555、pattern_333333、pattern_0F0F0F0F0F0F0F、
                                 pattern_00FF00FF、pattern_0000FFFF、pattern_FFFF0000、pattern_FF00FF00、
                                 pattern_F0F0F0、pattern_CCCCCC、pattern_AAAAAAAA、pattern_FFFFFFFF｝；
            *
           * ram_address_pr = pattern_array[ pattern_index]；
           if (* ram_address_pr！= pattern_array[pattern_index])
           ｛
               mcuFault_Status = mcuFault_Status | 0x02；
           ｝

       ｝
       * ram_address_pr = ram_tempCopy；

       RAM_ADDRESS_pr++；
       如果(ram_address_pr =(uint32_t *) 0x000007FA)//指针必须为偶数，因为指针增加2
       ｛
           RAM_ADDRESS_pr =(uint32_t *) 0x0000A000；
           //ram_address Next_pr =(uint32_t *) 0x0000A000；
       ｝
       if (ram_address_pr =(uint32_t *) 0x0000C7D4)
       ｛
           RAM_ADDRESS_pr =(uint32_t *) 0x00000128；
           Dummy1 = 0；
           X = 1000；
       ｝
   ｝
   EINT；
｝

上述机制基于建议执行 RAM 测试的安全机构。 它基本上可以工作、但我发现了一个问题、这对我来说非常有力。

基于我的链接文件的存储器部分

存储器
｛
  开始             ：origin = 0x080000，length = 0x000002
  BOOT_RSVD      ：origin = 0x00000002，length = 0x00000126
  RAMM0             ：origin = 0x00000128，length = 0x000002D8
  RAMM1           ：origin = 0x00000400，length = 0x000003F8    //片上 RAM 块 M1 *
// RAMM1_RSVD      ：origin = 0x000007F8，length = 0x00000008 //根据勘误咨询“Memory：Prepetching Beyond valid Memory”(内存：超过有效内存的预取)，保留并不用于代码*/

/* RAMLS4          ：origin = 0x0000A000，length = 0x00000800
  RAMLS5          ：origin = 0x0000A800，length = 0x00000800
  RAMLS6          ：origin = 0x0000B000、length = 0x00000800
  RAMLS7          ：origin = 0x0000B800，length = 0x00000800*/

  /*合并所有 LS RAM */
  RAMLS4567       ：origin = 0x0000A000，length = 0x00002000
  //RAMGS0          ：origin = 0x0000C000，length = 0x000007F8
  RAMGS0          ：origin = 0x0000C000，length = 0x000007D4
  RAMGS0_TEMPSCOPY ：origin = 0x0000C7D4，length = 0x00000024
// RAMGS0_RSVD     ：origin = 0x0000C7F8，length = 0x00000008 //保留并不用于根据勘误咨询“内存：预取超出有效内存”的代码*/


// FLASHBANK1      ：origin = 0x00080000，length = 0x0000FFF0
// flash_bank1_RSVD：origin = 0x0008FFF0，length = 0x00000010 //保留并不用于根据勘误咨询“Memory：pretching Beyond valid Memory”(内存：有效内存之外的预取)*/的代码
  BootROM         ：origin = 0x003F0000，length = 0x00008000
  BootROM_EXT     ：origin = 0x003F8000，length = 0x00007FC0
  复位           ：origin = 0x003FFFC0，length = 0x00000002
  /*闪存扇区*/
  /*组0 */
  FLASH_BANK0_SEC0 ：origin = 0x080002、length = 0x000FFE   //片上闪存*
  FLASH_BANK0_SEC1 ：origin = 0x081000、length = 0x001000   //片上闪存*
  FLASH_BANK0_sec2 ：origin = 0x082000、length = 0x001000   //片上闪存*
  FLASH_BANK0_SEC3 ：origin = 0x083000、length = 0x001000   //片上闪存*
  FLASH_BANK0_SEC4 ：origin = 0x084000、length = 0x001000   //片上闪存*
  FLASH_BANK0_SEC5 ：origin = 0x085000、length = 0x001000   //片上闪存*
  FLASH_BANK0_SEC6 ：origin = 0x086000、length = 0x001000   //片上闪存*
  FLASH_BANK0_SEC7 ：origin = 0x087000、length = 0x001000   //片上闪存*
  FLASH_BANK0_SEC8_9_10 ：origin = 0x088000、length = 0x003000   //片上闪存*
  //FLASH_BANK0_SEC8 ：origin = 0x088000、length = 0x001000   //片上闪存*
  //flash_BANK0_SEC9 ：origin = 0x089000，length = 0x001000   //片上闪存*
  //FLASH_BANK0_SEC8_9：origin = 0x088000、length = 0x002000   //片上闪存*
  //flash_BANK0_SEC10：origin = 0x08A000、length = 0x001000   //片上闪存*
  FLASH_BANK0_SEC11：origin = 0x08B000、length = 0x001000   //片上闪存*
  FLASH_BANK0_SEC12：origin = 0x08C000、length = 0x001000   //片上闪存*
  FLASH_BANK0_SEC13：origin = 0x08D000、length = 0x001000   //片上闪存*
  FLASH_BANK0_SEC14：origin = 0x08E000、length = 0x001000   //片上闪存*
  FLASH_BANK0_SEC15：origin = 0x08F000、length = 0x000FF0   //片上闪存*
// flash_BANK0_SEC15_RSVD    ：origin = 0x08FFF0，length = 0x000010 //根据勘误咨询“Memory: prepetching Beyond valid Memory”(内存：超出有效内存的预取)，保留代码且不用于代码*/

｝

RAM 的总数为5970、结束地址为0x0000C7D2。 在我的代码中、如果它运行10次、然后它完成5970 RAM 位置检查、并在红色代码中将指针重置为0x000128。 发现 ram_address_pr 的内容为0x00C7D2、但它仍然进入循环、执行次数为11次。

我不知道为什么。 这是因为、如果指针的内容是0x00C7D2、而不是0x00C7D4。 程序不应进入循环。

是否有提示或评论？

BR

HK Woo

我将在以后的版本中做一个注释、在用户指南中添加一些伪代码。 这是一个非常简单的测试、但我知道组装很难遵循。

您是否说它过早地重置指针一个循环？ 您能否共享该代码段的反汇编？

惠特尼

您是否在编译器中启用了优化？

那么、所讨论的比较似乎是"cmpl  acc、@P"、对吧？ 如果您单步执行代码、而不是查看"Expressions"窗口、请查看 XAR4、XAR5、ACC 和 P (在"CCS Registers"视图中的"Core Registers"下)、这些值是否看起来正常？ 在 Dissassembly 中、我无法看到 XAR5之前的更新位置、但我想知道它是否与 ram_address_pr 的表达式窗口显示的内容不同。

惠特尼

您好、Whitney

1.是的，通过选项4启用优化，速度与尺寸之间的折衷为5

2.我对装配不是很熟悉，因此不理解你的意思。 抱歉。 您能解释得更多吗？

3.我查看这些寄存器的内容 ACC=0xC7D4、P=0xC7D4、XAR4=0x03E8、XAR5=0xC7D4。  在查看具有优化级别4的寄存器内容期间、我创建一个断点@代码"dummy1 = 0"。

4.我做一些测试。 我将优化级别配置为0。 CCS 表达式视图显示了正确的指针值。

根据#3和#4的结果、我是否可以说问题仅与 CCS 编译器显示问题有关？ 对固件的功能没有影响。

此外、我仍然不能确定函数执行次数的问题。

BR

HK Woo

"Expressions"窗口专门查看 ram_address_pr 在 RAM 中的存储位置、因此它不会显示代码已优化了对该 RAM 位置的一些访问、而是使用 XAR5来保存要检查的当前地址。 通过查看内核寄存器和反汇编、我可以知道 XAR5 = ACC = ram_address_pr = 0xC7D4和 P = 0xC7D4、因此检查 P = ACC 是否会导致执行 IF 语句的指令。

直到后面几条指令之后、内存中的实际变量才会更新(与上面所示的0x083559处的指令类似)。 在我看来、代码做得不错、但从表达式窗口的角度来看、高级别的优化会掩盖它。

惠特尼

惠特尼

感谢您的更新。 函数执行的次数。 完成 RAM 部分预计需要5970次。 请在链接查找中找到以下部分的信息

存储器
｛
  开始             ：origin = 0x080000，length = 0x000002
  BOOT_RSVD      ：origin = 0x00000002，length = 0x00000126
  RAMM0             ：origin = 0x00000128，length = 0x000002D8
  RAMM1           ：origin = 0x00000400，length = 0x000003F8    //片上 RAM 块 M1 *
// RAMM1_RSVD      ：origin = 0x000007F8，length = 0x00000008 //根据勘误咨询“Memory：Prepetching Beyond valid Memory”(内存：超过有效内存的预取)，保留并不用于代码*/

/* RAMLS4          ：origin = 0x0000A000，length = 0x00000800
  RAMLS5          ：origin = 0x0000A800，length = 0x00000800
  RAMLS6          ：origin = 0x0000B000、length = 0x00000800
  RAMLS7          ：origin = 0x0000B800，length = 0x00000800*/

  /*合并所有 LS RAM */
  RAMLS4567       ：origin = 0x0000A000，length = 0x00002000
  //RAMGS0          ：origin = 0x0000C000，length = 0x000007F8
  RAMGS0          ：origin = 0x0000C000，length = 0x000007D4
  RAMGS0_TEMPSCOPY ：origin = 0x0000C7D4，length = 0x00000024
// RAMGS0_RSVD     ：origin = 0x0000C7F8，length = 0x00000008 //保留并不用于根据勘误咨询“内存：预取超出有效内存”的代码*/

你在 RAMM1中走得太远了吗？ M1的长度为0x3F8、但当地址为0x7FA 时将停止、但 GS0结束时、长度为0x7D4、您将在0xC7D4处停止。

惠特尼

查看随附的是否对您有所帮助。 我将其另存为.c 文件、以便在 文本编辑器中突出显示语法、但它显然不是可执行的 C 代码。

e2e.ti.com/.../cpu_5F00_reg_5F00_test_5F00_pseudocode.c

惠特尼

您好、Whitney

我向安全机构展示了伪代码、他们说正在审核。 除此之外、他们还问了一个问题、如何测试函数。 我告诉他们、我们可以在函数中包含 true 参数以生成错误、但他们说这不是一个好主意、他们希望在调试模式下的测试期间手动更改寄存器的值。 您能建议如何操作？

HK Woo

是的、在调试模式下、您肯定可以这样做。 CPU 寄存器位于 CCS Registers 窗口中的"Core Registers"下。 对于任何寄存器、您都可以在测试模式写入寄存器后、但在比较完成之前、在"Registers"窗口中的该寄存器中翻转一个位、然后运行应用程序以确保返回故障。

例如、在下面、我在 MOVL XT、@ACC 之后的第51行上放置一个断点(将存储在 ACC 寄存器中的模式移动到 XT 寄存器中)、并翻转了寄存器窗口中 XT 寄存器中的一个位(将0x55555555更改为0x5555555545)。 然后、当我单步执行它时、我可以看到它将该分支转到 failCPURegTest、其中设置了返回值以指示故障。

惠特尼