[参考译文] TIDM-02002：C3M0030090K SiC MOSFET 中的功率损耗

Abdalla、  

让我将此主题与 Wolfspeed 团队联系、以获得有关这些拓扑的最佳建议。 因为我不是 SiC 的专家。

由于 CLLLC 在此设计上是完全软开关、因此我们的估算结果如下所示、纯粹是导通损耗/   

V2 = 300V           →  Ipri = 22安培 RMS→Pcond = 22^2 * 0.065 = 31.46，在给定时间2个开关导通

因此，PCOND_SEC_TOTAL = 31.46*2 = 62.92

因此、所有开关的总损耗为 87.498W

－Manish

Manish、

感谢您的回答。

以清晰地显示
参数的参数
VSEC = 300V
Ipri = 6.6KW / 300V = 22安培 RMS
我们得到了
的导通损耗
次要：
PCOND_SEC_TOTAL = 31.46*2 = 62.92W
总计：
所有开关上的总损耗= 87.498W

您如何计算 PCOND_PRINM_TOTAL = 24.578W？
请注意、VPRIM =380V @ 3.3kW [TIDM-02008]
如果 ON [TIDM-02002]直流/直流转换器的输出功率降至=3.3kw

根据测试结果(设计指南：TIDM-02002、3.2.3 @第71页)

VPRIM =378.08V
VSEC =280.06V
PoUT = 3304.4W

导通损耗   
VSEC = 280.06V
Ipri = 3304.4W / 280.06V = 11.79安培 RMS
PCOND = 11.79^2 * 0.065 = 9.03W
PCOND_SEC_TOTAL = 9.03*2 = 18.07W

(如果我有误解、请告知)

提前感谢
Abdalla、

尊敬的 Adam：
感谢您的回答

我知道您用于获得这些结果的热参数(RCS、RSA 和 TAmbient)吗？

如果我并行使用两个[TIDM-02008]来获取380V@6.6kW
对于这些新的工作点(380V IN、280V 6.6kW OUT、500kHz Fres)
RTH、ch = 3.73°C/W
RTH、ha =1.2°C/W

您建议的合适替代器件是什么？

C3M0030090K
C3M0060065K
C3M0065100K

祝你度过美好的一天！
此致、
Abdalla Saad

您好、Abdalla、

我使用了50C 固定底板温度和0.5C/W RCH、这对应于高性能润滑脂。  诚然、这是一个非常积极的冷却系统、但为了相对比较零件、这是足够的。  使用您提供的数字、您最好选择将2个器件并联。  我想问一下外壳至散热器接口使用的是什么、即使对于隔离焊盘、该接头的热阻也似乎很高。   

谢谢、

Adam

尊敬的 Adam：
感谢您的回答

对于散热器：
Alpha Company Ltd 的30mm×30mm×25mm 推针散热器部件号[UBM30-25bp-1P08]、采用600LFM 强制空气冷却。
散热器热阻为(Rθhs)约1.2°C/W

对于 TIM：
GR-45A GAP 填充焊盘部件号[GR-45A-E0-100-BL- 30x30 mm]从 Fujipoly 开始、在一个表面上放置 PET 薄膜以促进电气隔离、使用此 TIM 以及推针散热器。
TIM 热阻约为(RθTIM) 3.2°C/W

我可以向您发送电子邮件以获得进一步支持吗？
此致、
Abdalla Saad

Abdalla、

您可以根据需要与 Adam 脱机进行对话、我不建议在此处的主题中发布直接电子邮件 ID。

问题得到解决后、我将关闭此主题。

－Manish  

Manish、

好的、我理解。
我正在等待 Adam 的反馈。

感谢您的理解
祝你度过美好的一天！
此致、
Abdalla Saad