[参考译文] F28M36P63C2：使用外部 ADC 基准时出现问题

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https://e2e.ti.com/support/microcontrollers/c2000-microcontrollers-group/c2000/f/c2000-microcontrollers-forum/774670/f28m36p63c2-problem-using-external-adc-reference

当我尝试使用一个到 ADC 的外部基准时、我遇到了一些问题。

我有以下微控制器电压(使用 Keysight 34465A 测量)：

VDDIO = 3.353V
VDDA = 3.296V
VREFHI = 3.298V

注意：数据表(SPRS825E、2017年12月修订)中显示 VREFH<=VDDA。 我的设计差异是由于铁氧体磁珠中的压降。 但是、当我对磁珠短路、使 VDDA 变为3.298V、即等于 VREFHI 时、下面的问题说明也是有效的

在 ADC 通道 ADCINA4和 ADCINB4上、我施加了3.292V 的电压

现在、如果我使用内部或外部基准(通过更改 ADCREFSEL 寄存器位)进行测量、我在每种情况下进行大约300次测量时读取以下结果。

ADCREFSEL = 0                                                4069-4072时测得
ADCREFSEL =                                                1 4059-4062时测得

注意：当我在 0和1之间更改寄存器位 VREFLOCONV 时、结果没有变化

使用参考手册(SPRUHE8D、2016年11月修订)中§10.3.10中的公式、我的解释是、理想情况下应改为：

理想理论结果 ADCREFSEL = 0                         4086
理想理论结果 ADCREFSEL = 1                          4087

根据数据表第74页、该图显示了30度时大约12 LSB 的最大误差。 当我执行这些测试时、微控制器应该在这个温度附近。  

在使用外部基准时、我是否在某些寄存器中错过了更多需要更改的内容？

此致
John