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[参考译文] CCS/TMS320F28027:TMS320F28027:Piccolo HVPSFB (PCMC) FET 开关时序

Guru**** 1995295 points
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/microcontrollers/c2000-microcontrollers-group/c2000/f/c2000-microcontrollers-forum/780597/ccs-tms320f28027-tms320f28027-piccolo-hvpsfb-pcmc-fet-switching-timing

器件型号:TMS320F28027

工具/软件:Code Composer Studio

尊敬的 TI 社区

我正在 HVPSFB 上开发 PCMC。

为了了解 FET 开关时序、我绘制了时间图。

我将 DCAEV1插入 EPWM1递增计数和递减计数的中间位置。

(SR_MODE = 2)

但是、时间图如下所示。

Q2、Q3、Q5、Q6是奇怪的。

因此、我想让您指出一个错误。

  • 关于 Q2、Q3。

首先、COMP_A = 310、COMP_B = 20。

对 EPWM2_CNT 进行计数、稍后 EPWM2_B 由于 COMP_B 匹配而处于高电平。

之后、EPWM2_B 由于第一个 DCAEV1而变为低电平、并且由于 COMP_B 匹配而很快变为高电平。

然后、第1个中断开始并更改 EPWM2_ACTION。

COMP_A/B_Shadow 不变(A:310→310  B:20→20)、因此 COMP_A/B 在第三次同步时不会改变。  

然后第二个中断开始并更改 EPWM2_ACTION。

在第4次同步之前,COMP_A/B_Shadow 更改(A:310→20  B:20→310),因此 COMP_A/B 在 第4次同步时更改。  

在第4个同步时、由于 CNT = 0、EPWM2_B 为低电平。

不久,由于  COMP_A 匹配,EPWM2_A 就会很高。

然后 、第3个中断开始并更改 EPWM2_ACTION。

在第6个同步时、由于 CNT = 0、EPWM2_A 为低电平。

不久,由于  COMP_A 匹配,EPWM2_A 就会很高。

 第六次同步后、EPWM2_COMP_A/B_SHADOW 更改(A:20→310  B:310→20)。

由于  第4个 DCAEV1 、COMP_A/B 变化和 EPWM2_A 由于第4个 DCAEV1而为低电平。

不久,由于  COMP_B 匹配,EPWM2_B 就会处于高电平。

然后 第4个中断开始并更改 EPWM2_ACTION。

 在第8次同步之前、EPWM2_COMP_A/B_SHADOW 更改(A:310→20  B:20→310)。

因此 COMP_A/B 在第8个 SYNC 时发生变化,EPWM2_B 由于 CNT = 0 而处于高电平。

不久,由于  COMP_A 匹配,EPWM2_A 就会很高。

・・・μ A

  • 关于 Q5、Q6

首先、COMP_A = 310、COMP_B = 20。

当计数开始时、EPWM4_B 由于 CNT = 0而处于高电平。

不久、由于 COMP_B 匹配、EPWM4_B 就会变为低电平。

在第1个 DCAEV1时,由于 CNT=0,EPWM4_B 为高电平。

不久、由于 COMP_B 匹配、EPWM4_B 就会变为低电平。

然后、第1个中断开始并更改 EPWM4_ACTION。

 在第二次同步之前、EPWM4_action 会立即更改。

在第2个同步时,由于 CNT=0,EPWM4_A 为高电平。

第二次同步后、EPWM4_COMP_A/B_SHADOW 更改(A:310→20 B:20→310)。

在第2个 DCAEV1、COMP_A/B 更改时、由于 COMP_A 匹配、EPWM4_B 很快就会变为高电平。

之后、EPWM4_A/B 不变。

由于 ePWM_A/B 为低电平的条件仅在中断和 SYNC (这意味着 EPWM4_B Ω、action②④ Ω)之间的 CNT = 0时发生。

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    尊敬的用户5277039:

    很抱歉、我的回答很晚、只想让您知道我正在调查这个问题。 问题是您得到的时间图不正确的原因吗?

    此致、
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    是的、我想知道时间图不正确的原因。

    但是,我只得到 一点原因。

    当、EPWM1为通电时、中断启动 CNT=232。

    当它关闭时、中断启动 CNT = 74。

    但是、当我使用「实验板套件」进行测试时、

    中断启动 CNT = 245~251 μ F 且 CNT = 55~61。

    在这种情况下、当 NOP 等待时、会发生同步。

    因此、它变得正确。

    为什么中断启动延迟?

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    尊敬的用户5277039:

    在 HVPSFB 项目代码中、epwm2的周期为300。 您能解释一下为什么在您的示例中使用150而不是300? 谢谢。

    此致、
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      ・・・计算 Excel,DCAEV1的计算结果是,计数为150,450,750 μ s。

    EPWM2在 DCAEV1上重置并同步、不是。

    并且、错误的时间图得到了解决。

    我想回答有关中断时序的问题。

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    尊敬的用户5277039:

    我将于3月21日回到办公室、届时将遵循此主题。 很抱歉给我带来不便。

    此致、
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    尊敬的用户5277039:

    是的、您正是关于同步。

    您对此问题是否有任何更新?

    "当、EPWM1为 up 时、中断启动 CNT=232。

    当它关闭时、中断启动 CNT = 74。"

    这是 HVPSFB 代码中的原始设置、不是吗?

    此外、我不知道您在说"但是、当我使用「实验套件」进行拼写检查时、您是否修改了代码。"

    此致、

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    我不修改代码。

    我在代码「PUSH  AR1H:AR0H」处设置断点、因为代码是中断的第一行。

    因此,调试将在断点处停止 。

    然后 我检查 EPWM1 CNT。

    CNT 应为232或74、但 CNT = 245~251 Ω 且 CNT = 55~61。

    我想了解延迟。

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    原因是根据硬件进入汇编中的 ISR 大约需要15个周期。 谢谢。

    此致、