[参考译文] CCS/LAUNCHXL-F28069M：我的 MOSFET 过热

我认为这可能是因为栅极驱动电阻器和死区时间。
我将栅极驱动电阻器值从4.7Ω Ω 降低到0Ω Ω、但 MOSFET 仍然过热。
2.根据该帖子、
e2e.ti.com/.../1607367

我将死区时间增加了一个计数，但电源电流不会下降。
#define HAL_PWM_DBFED_CNT 1.
//！ \brief 定义 PWM 死区上升沿延迟计数(系统时钟)
#define HAL_PWM_DBRED_CNT 1.
我将 HAL_PWM_DBFED_CNT 和 HAL_PWM_DBRED_CNT 定义为180、但电流也不会下降。

我使用具有200ns 死区时间的 drv8305驱动程序。
也许 MOSFET 过热，不是因为死区时间？

我使用一个 drv8305来驱动两个 CSD18540Q5B、是否需要调整 IDRIVE 驱动电流？

尊敬的 Ming Chen3：

对于您的问题、我有以下几点意见：
1、死区时间为200ns、我认为过小。 虽然 MOSFET 允许快速开关频率、但当您使用并联 MOSFET 时、您应该增加去电时间(500ns-1uS)。
2.您应该参阅《电力电子设计手册》了解如何正确连接并联 MOSFET，以确保并联 MOSFET 之间的电流平衡。
3.我不知道您在设计中使用的 MOSFET 的名称，但您应该检查 MOSFET 的 RDS (on)值，并确保其值尽可能小。 通常、对于您的应用、它应该大约为几十毫欧。
4.布局设计应考虑使用散热器更好地散热。
最后、我建议您使用示波器测量 MOSFET 上的 VDS 和 Vgs、并将其发送给我、以便我获得更多信息来诊断您的问题。

此致、

感谢您的回复。

我使用 drv8305驱动并联 MOSFET。MOSFET 为 CSD18540Q5B。
我在 motorware 中运行 lab05b 程序、并且不调整 IDRIVE 设置。
栅极驱动器电阻为0 Ω。
现在、我的问题是 MOSFET 过热。



我已经调整了死区时间，默认的 CONT 为1，现在我将其更改为180，以获得2us 死区时间。
#define HAL_PWM_DBFED_CNT 180
//！ \brief 定义 PWM 死区上升沿延迟计数(系统时钟90m)
#define HAL_PWM_DBRED_CNT 180
但它似乎没有什么令人感到不好的地方。

我在 motorware 中运行 lab05b 程序、并且不调整 IDRIVE 设置。
我检查 drv8305寄存器，
IDRIVEP_HS = 30mA，IDRIVEN_HS = 1A

IDRIVEP_LS = 30mA，IDRIVEN_LS = 1A

也许是因为 MOSFET 压摆率太慢导致米勒区域的功耗较大？
这是我的 MOSFET 高温的原因吗？


我不更改 lab05b 中的程序。
我不知道为什么 drv8305中的 IDRIVE 不是50mA/60mA。
我只需在28069和 drv8305之间的 SPI 接口中添加一个隔离器。



我在 drv8305.c 中找不到 IDRIVE 程序的 cfg 参数
请告诉我如何调整 lab05b 项目中的 IDRIVE 电流。



谢谢。