这是参考逆变器设计参考文件。 实际上、我们
正在寻找具有以下特性的应用:
输入电压- 48VDC
输出电压- 60V 交流 RMS
频率- 50至60Hz
功率- 200 W
纯正弦波逆变器
经过调查、我们发现了 TIDA-01292和 TIDM-HV-1PH-DCAC 两种设计、 经过小幅修改后、这两种设计将是最适合我们应用的设计。
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这是参考逆变器设计参考文件。 实际上、我们
正在寻找具有以下特性的应用:
输入电压- 48VDC
输出电压- 60V 交流 RMS
频率- 50至60Hz
功率- 200 W
纯正弦波逆变器
经过调查、我们发现了 TIDA-01292和 TIDM-HV-1PH-DCAC 两种设计、 经过小幅修改后、这两种设计将是最适合我们应用的设计。
您好、Rajat、
正如 Manish 提到的、我们没有在网络上发布的 TIDA-01292固件、因为此设计的主要目的是从效率和热性能的角度展示 TI 的 SMD MOSFET 在低频逆变器应用中的性能。
TIDA-01292接受12V 直流输入并生成由变压器升压的9V RMS 输出。 输出电压基于变压器的匝数比。
根据您的描述、TIDA-01292可能更合适。 您可以更改 FET 以接受更高的输入电压、并使用具有合适匝数比的变压器将9V 输出升高到所需的电压电平。
我可以为您提供用于测试设计的源代码、但我们需要记住、源代码仅用于测试设计的基本功能、尽管它确实实现了输出电流保护、 您可能需要对其进行修改以具有其他辅助功能和保护功能。
我们使用 F28027 LaunchPad 对此设计进行了测试。
谢谢、
此致、
Neha
我对 tida01292的原理图有一个疑问。
此处、以 U1元件为基准(LM5101)驱动第一个桥臂(Ghia 和 GLIA)、以 U4元件为基准(LM5101)驱动第二个桥臂(GHIB 和 glib)、相对于 R29之后的 V+(在 U4中)和 R28之后的 V+(在 U1中)有差异、 请告诉我差异的原因。
2.我使用48V 电桥电源而不是电池(Vbat)、如果我为驱动器提供与 V+相同的12V 电压、这是可以的。
原理图中使用的 V+电压电平是多少。
您好、Rajat、
对您以下问题的答复:
V+实际上只是 LDO 的输入- TLV70433。 从驾驶员的角度来看、两个半桥臂之间没有差异。
2.您可以为具有较高额定电压 MOSFET 的电路板提供48V 输入。 对于驱动器、您可以提供的最大电压为18V。 因此、您可以将电池电压(48V)降至可接受的 VDD 范围、也可以使用另一个12V 电源为驱动器供电。
V+实际上只是 VDD (本例中为 VBAT - 12V)减去二极管压降、因此对于该设计、它大约为11.3V。
谢谢、
此致、
Neha Nain
我有两个问题
驱动器 LM5010B 是否能够根据栅极电流 I 的计算来驱动 csd18542 MOSFET。例如、I GATE = Q/Trise、它大于4A。
2、从 tida01292的原理图中可以看出、MOSFET 的栅极(csd17573) 、2并联由相同 的栅极驱动器(LM5101b)驱动、但 不包括
栅极驱动器的最大栅极电流限值为2A、而由于并联、它将消耗超过4A 的电流、请您澄清此问题。
注:
请建议是否可以将相同的 LM5101用于 csd18542 MOSFET、如果在确定栅极电流时存在任何计算误差、请纠正问题。
2. 请分享给定 MOSFET 的驱动器选择参数及其计算结果。
请 分享特定应用的 MOSFET 选择、例如额定电流。
4. 如果我们使用的驱动器的额定电流比 MOSFET 栅极电流高,MOSFET 的栅极是否会更快充电?