[参考译文] 逆变器设计参考文件选择(TIDA01292或 TIDM-HV-1PH-DCAC)

您好、Rajat、

正如 Manish 提到的、我们没有在网络上发布的 TIDA-01292固件、因为此设计的主要目的是从效率和热性能的角度展示 TI 的 SMD MOSFET 在低频逆变器应用中的性能。

TIDA-01292接受12V 直流输入并生成由变压器升压的9V RMS 输出。 输出电压基于变压器的匝数比。

根据您的描述、TIDA-01292可能更合适。 您可以更改 FET 以接受更高的输入电压、并使用具有合适匝数比的变压器将9V 输出升高到所需的电压电平。

我可以为您提供用于测试设计的源代码、但我们需要记住、源代码仅用于测试设计的基本功能、尽管它确实实现了输出电流保护、 您可能需要对其进行修改以具有其他辅助功能和保护功能。

我们使用 F28027 LaunchPad 对此设计进行了测试。

谢谢、

此致、

Neha

谢谢 Manish。

您好 Rajat、

请共享您的邮件 ID 以共享 TIDA-01292的源代码。

此致、

Vikas Chola

rajatdevagiri@bel.co.in

您好 Rajat、

在 TI 盒上共享。 请使用您的 my.ti 帐户下载。

此致、

Vikas Chola

我对 tida01292的原理图有一个疑问。

此处、以 U1元件为基准(LM5101)驱动第一个桥臂(Ghia 和 GLIA)、以 U4元件为基准(LM5101)驱动第二个桥臂(GHIB 和 glib)、相对于 R29之后的 V+(在 U4中)和 R28之后的 V+(在 U1中)有差异、 请告诉我差异的原因。

2.我使用48V 电桥电源而不是电池(Vbat)、如果我为驱动器提供与 V+相同的12V 电压、这是可以的。

原理图中使用的 V+电压电平是多少。

您好、Rajat、

对您以下问题的答复：

V+实际上只是 LDO 的输入- TLV70433。 从驾驶员的角度来看、两个半桥臂之间没有差异。

2.您可以为具有较高额定电压 MOSFET 的电路板提供48V 输入。 对于驱动器、您可以提供的最大电压为18V。 因此、您可以将电池电压(48V)降至可接受的 VDD 范围、也可以使用另一个12V 电源为驱动器供电。

V+实际上只是 VDD (本例中为 VBAT - 12V)减去二极管压降、因此对于该设计、它大约为11.3V。

谢谢、

此致、

Neha Nain

tida01292原理图文件的 PFA 图片，差异用两个圆圈标记。 其中一个桥臂没有 V+、而 B 桥臂有 V+

我有两个问题

驱动器 LM5010B 是否能够根据栅极电流 I 的计算来驱动 csd18542 MOSFET。例如、I GATE = Q/Trise、它大于4A。

2、从 tida01292的原理图中可以看出、MOSFET 的栅极(csd17573)  、2并联由相同 的栅极驱动器(LM5101b)驱动、但 不包括

栅极驱动器的最大栅极电流限值为2A、而由于并联、它将消耗超过4A 的电流、请您澄清此问题。

注：

请建议是否可以将相同的 LM5101用于 csd18542 MOSFET、如果在确定栅极电流时存在任何计算误差、请纠正问题。

2. 请分享给定 MOSFET 的驱动器选择参数及其计算结果。

请 分享特定应用的 MOSFET 选择、例如额定电流。

4. 如果我们使用的驱动器的额定电流比 MOSFET 栅极电流高，MOSFET 的栅极是否会更快充电？

您好 Neha、

在 tida01292的原理图中、6Ω Ω 电阻器用于导通、3Ω Ω 电阻器用于关断(R GATE)、 这仅适用于两个桥臂的低侧 MOSFET、但对于高侧 MOSFET、3Ω Ω 电阻器用于导通、0Ω Ω 电阻器用于关断(R GATE)。 请澄清 Ma'am。