请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
器件型号：TMS320F28069M 假设实验13是起点、与低侧相比、高侧电流监测需要进行哪些修改？
为了澄清问题：我有一个电路板很快通过、其中的(霍尔)电流传感器在晶体管和电机绕组之间串联、而不是在晶体管的低侧。 显然、ADC 设置需要更改、但我想知道可能存在任何其他影响(例如、高晶体管有效期与低晶体管有效期的电流测量)？
垫
假设实验13是起点、与低侧相比、高侧电流监测需要进行哪些修改？
为了澄清问题：我有一个电路板很快通过、其中的(霍尔)电流传感器在晶体管和电机绕组之间串联、而不是在晶体管的低侧。 显然、ADC 设置需要更改、但我想知道可能存在任何其他影响(例如、高晶体管有效期与低晶体管有效期的电流测量)？
垫
