This thread has been locked.
If you have a related question, please click the "Ask a related question" button in the top right corner. The newly created question will be automatically linked to this question.
您好、TI 工程师!
我在尝试将闪存 API 集成到我的代码时遇到了问题。 具体来说、当我使用仿真工具启动闪存调试时、闪存写入功能正常工作、但在下电上电后无法正常工作。 我怀疑一些应该在 RAM 中执行的函数目前正在闪存中执行。
为了解决这个问题、我按照用户手册中提供的建议、将与闪存 API 相关的代码移动到了 RAM 函数中。 尽管如此、我认为可能仍有一些函数需要重定位到 RAM 中。 我遇到的一些讨论建议、整个库应放在 RAM 中。
请您就此问题提供建议吗? 谢谢!
此致、
溧阳
您好!
请注意、我们的主题专家目前不在办公室、预计将于10月25日之前回来。 请预计响应会延迟。
谢谢。
瓦尔沙
您好、 Varsha、
我发现问题与我之前描述的不符。 问题是、对于同一地址只能执行一次写入操作、除非我 在写入前擦除该区域。 现在我的问题是、我应该擦除整个存储体、 还是只需要擦除特定的 部分? 我现在所做的是擦除整个银行,但这对我目前的使用来说很有趣。
此致
溧阳
尊敬的 Liyang:
您可以执行存储体擦除、并且仍然仅擦除要擦除的扇区-存储体擦除命令传递的第二个参数是允许/不允许单个扇区擦除的保护掩码。 详情请见 http://www.ti.com/lit/pdf/spruj27
谢谢。此致、
瓦姆西