[参考译文] TMS320F280036-Q1：代码可以在同一组的另一个区域执行闪存编程吗

Unknown 说：

1. 某些 MCU 会在执行闪存程序时挂起 CPU (我想是因为写入闪存操作占用了用于读取代码指令的总线)、与 F280036的逻辑是一样的？[/QUOT]

C2000 CPU 内核(C28x)控制闪存操作/调用闪存 API、因此 CPU 不会暂停、但在执行闪存 API 代码时会产生一些开销。  闪存 API 可中断、唯一的限制是代码本身不能从正在擦除/编程的同一个存储体运行。  CLA 可以继续并行运行、因为它独立于 C28x。

Unknown 说：

2. 如果引导加载程序代码位于 bank0的扇区1~10中、并通过从闪存获取指令来运行。 是否有可能为 bank0的扇区12闪存程序提供写入标志？

与上述内容相关、我们无法从正在进行编程的同一个库中运行代码。  为了对组0中的任何扇区进行编程、闪存 API 将需要重定位到闪存或 RAM 的另一个组。

Unknown 说：

3. 我注意到一些 C2000系列芯片只有一个存储体、是否可以通过从闪存扇区和闪存程序的目标地址(不在同一扇区)中获取指令来运行引导加载程序代码？[/QUOT]

是的、对于此器件来说、由于有多个存储体、只要闪存 API 不在编程存储体中、API 就可以耗尽闪存。

下面是指向闪存 API 常见问题解答的链接、该链接可能也对 https://e2e.ti.com/support/microcontrollers/c2000-microcontrollers-group/c2000/f/c2000-microcontrollers-forum/951668/faq-faq-on-flash-api-usage-for-c2000-devices 有所帮助 

此致！

Matthew

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我明白了。 感谢您的解释。