[参考译文] TMS320F28379D：通过调试器进行闪存编程

感谢您的答复。 你有什么想法如何做到这一点吗? 主要问题似乎是在 GEL 文件中有一个定制的闪存写入例程。 闪存芯片具有一个特殊的编程序序列、您需要在命令之间写入每个字。 因此、如果可以通过函数传递数据、并且如果它与特定地址范围匹配、则使用不同的算法、这将非常好。
托比致以亲切的问候

尊敬的 Tobi：

是否有任何特定的原因而只通过 JTAG 来执行此操作？ 他们能否使用其中一个器件引导加载程序引入闪存编程代码、然后使用编程外部闪存所需的任何接口？

您提到的内容也应该是可能的。 我需要检查是否将数据传递给 GEL 文件中的函数。 我假设数据将位于一个文件中。

Vivek Singh   

嗨、
现在最好使用 JTAG、因为我们正在开发中。 稍后、应通过引导加载程序对其进行编程。 Im 非常灵活。 通过 JTAG 将代码和数据写入外部 RAM 可以正常工作、方法是在 GEL 脚本中初始化 EMIF。 另一方面、闪存芯片需要通过特定序列对每个单字进行编程、然后等待直到完成。
这与 GEL_Load 如何与内部闪存进行交互相关、因为这不是向一些地址直接写入数据。
托比致以亲切的问候

您好！

Unknown 说：

此问题与 GEL_Load 如何与内部闪存进行交互有关、因为这不是将数据直接写入某些地址。

我们有用于内部闪存加载的正确插件、还需要为外部闪存编程开发相同的插件。 我必须向我们的 SDTO 团队咨询、看看他们是否对此有什么建议。

此致、

Vivek Singh

您好！
你有什么想法如何这可以做我自己. 那么、是否有任何可以通过 JTAG 启用闪存的位置？
此外、如果没有外部闪存器件无法以某种方式进行刷写、那么向更大的 C2000器件提供外部闪存支持有什么意义呢？
托比致以亲切的问候

这些问题最好由器件专家回答。 我将提请他们注意该线程。