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[参考译文] LAUNCHXL-F280049C:EPWM_setDeadBandDelayPolarity

Guru**** 2481465 points


请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/microcontrollers/c2000-microcontrollers-group/c2000/f/c2000-microcontrollers-forum/1458308/launchxl-f280049c-epwm_setdeadbanddelaypolarity

器件型号:LAUNCHXL-F280049C

工具与软件:

你(们)好

我正在研究 C2000 DPS BoosterPack - VMC 开环的代码。 我在函数 BUCK_HAL_setupSyncBuckPwm 中:

这两个函数使 POLSEL = 10正确? 您希望使用逆变器 EPWMxB 的原因是是否连接到低侧开关 NO?

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    尊敬的 Andres:

    这两个函数将导致 DBCTL。 POLSEL 为0x1。 EPWM_DB_POLARY_ACTIVE_HIGH 是默认行为。

    此致!

    Ryan Ma

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    您好、Ryan。

    我想有一个错误。 首先馈送电压、然后馈送电压。 这将影响位1的移位值和放置。  

    此外、您可以确认 POLSEL 应为0x10、因为低侧 FET 为 EPWMxB 吗?

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    [报价 userid="540920" url="~/support/microcontrollers/c2000-microcontrollers-group/c2000/f/c2000-microcontrollers-forum/1458308/launchxl-f280049c-epwm_setdeadbanddelaypolarity/5597758 #5597758"]

    我想有一个错误。 首先馈送电压、然后馈送电压。 这将影响位1的移位值和放置。  

    [报价]

    我现在可以通过更新确认该值为0x10。

    我还可以确认 EPWMxB 适用于低侧 FET。

    此致!

    Ryan Ma

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    您好、Ryan。

    要计算最小死区(例如上升沿)、是否需要添加 导通延迟时间(MOSFET)+ tpagation (栅极驱动器)?  
    12.1ns + 56nS?

    避免击穿

    栅极驱动器

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    您好、Andres:

    您将针对死区提出正确的公式。 我建议在该计算值的顶部添加一些保守的缓冲值。 之后、进行实验并降低该缓冲区、以便获得适合您的死区的最优值。 在进行实验时、请确保限制电源电流(远低于 MOSFET 电流处理限制)、以避免在接近死区刚玉时损坏 MOSFET。

    此致、

    Sumit

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    感谢您发送编修。  

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    不客气! 如有任何其他问题、请随时联系。 我现在将结束该主题帖。

    此致、

    Sumit