[参考译文] TMS320F28376D：HRPWM 功能设置

您好！

首先澄清一下、您是说您是想实现占空比控制、而不是相位控制模式？ 您的波形是否指示您实现了相位控制模式、或者根本没有实现 HRPWM？

在编写代码时、请确保先清除所有位、 EPwm1Regs.HRCNFG.ALL = 0x0；另外、为什么使用 Epwm6.regs、然后使用 Epwm1.regs？

您好、Stevan

谢谢你。  

首先、我们要检查是否设置了 HRPWM。
至于确认方法,我试图用①②的程序确认。
①Create 使用 EPwm6 COMPA 和 COMPB 的相同 PWM
仅在 Epwm6组合中具有②implement HR 功能。
只有上升沿被设置为延迟、如下图所示

COMPA 没有高分辨率。 COMPB 有。

到目前为止、我们已确认已成功实施到① μ m。
②不是我想的。

请告诉我们实现②所需的寄存器设置项。

要回答您的问题：

您是想实现占空比控制而不是相位控制模式吗？

我们需要对 ②进行占空比控制。 是这样吗？

您的波形是否表明您已实现相位控制模式、或者根本没有实现 HRPWM？

COMPA 和 COMPB 50%占空比相同的同相波形。

[报价 userid="580964" url="~/support/microcontrollers/c2000-microcontrollers-group/c2000/f/c2000-microcontrollers-forum/1463214/tms320f28376d-hrpwm-function-setting/5615329 #5615329"]确保首先清除所有位、 EPwm1Regs.HRCNFG.ALL = 0x0；[/QUOT]

谢谢、我们已经试过、但行不通。

为什么使用 Epwm6.regs、然后使用 Epwm1.regs？

已使用 epwm6检查 HR 功能、但在参考手册的 HRPWR 寄存器说明中找到了以下措辞、因此仅在情况下设置了 epwm1。

请给我们一些建议。

此致、

Jieyu

您好！

您是否必须使用 ePWM6或也可以使用 ePWM1来实现这一目标？ 我只是想知道是否会发生任何变化、因为寄存器看起来可以。

我们想对 ②进行占空比控制。 正确吗？

MEP 可编程为同时在上升沿(RE)、下降沿(FE)或两个边沿(BE)提供精确的位置控制。 FE 和 RE 用于需要占空比控制(CMPA 或 CMPB 高分辨率控制)的电源拓扑、而用于需要相移(TBPHS)的拓扑。 因此、您只需要修改 RE、它是指占空比控制。

你好,我再看看你的询问。 您是否使用 ePWM 通道 A 或通道 B 来生成常规 ePWM？ 如果您使用通道 A (EPWM6A)、则只能访问 CMPAHR 寄存器、而对于通道 B (EPWM6B)、只能访问 CMPBHR 寄存器。

因此、必须使用 EPWM6B 才能正常运行代码和 HRPWM。  

感谢您的评分

还有其他问题：

可以将 COMPHR 设置为大于1TBCLK 的值吗？ 具体而言、TBCLK = 100 MHz (1个时钟= 10ns)、假设 MEP 阶跃= 150ps、每个时钟的 MEP 阶跃数为10ns/150ps = 66。 是否可以将 COMPHR 设置为大于67的值？ (即使设置了67个或更多、是否可能延迟设置？)

2.在使用 HRPWM 时、我是否应该始终使用 SFO()函数？

HRPWM 是否只能通过置位 COMPHR 寄存器和 HRCNFG 寄存器来实现？

如果可能、我们仍然希望与您/您的团队在30分钟左右进行讨论、以便更好地理解。

您是否有时间 0203/0204/0205/0206下午工作？

此致、

Jieyu