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数据表显示了用于片上 LDO“旁路“的 10uF 和 0.1uF 电容器。 这里未提及这些电容器的电介质材料。 如果这些电容器在内部 LDO 的内部基准上绕过噪声、则 X5R 和 X7R 及其压电式效应将产生振动噪声。 为避免振动敏感性、10uF 优先使用薄膜电容器 (0.1uF 可以是 COG)。 如果它们在本地绕过电源到内部稳压器、那么外部电源稳压器可以通过伺服这些电容器会受到的振动噪声来应对这一情况。 能否澄清一下、这类旁路是用于内部稳压器基准 的低噪声滤波、还是用于内部稳压器输入电源？
谢谢、
Farron Dacus
可以肯定的是、 这是 LDO 原理图顶层的一个小片段。 节点 VREG_RFVCO 连接到 LDObyp1 引脚、VREF_RFVCO_LDO 节点连接到 LDObyp2 引脚。 如您所述、该连接直接位于参考节点上、而不是反馈节点上。 感谢您继续这样做、回答正确。
在内部、+和 — 输入之间的电阻非常小（几十欧姆）、通过该网络的偏置电流约为 1.5mA、这似乎可以校正差分放大器的基极失配。 VREF_RFVCO_LDO 调优为约 1.5V、伺服 在 VREGG_RFVCO 节点的基准之上增加约 1V。 似乎基准节点上的噪声只是使输出移动等量、并且此路径中不应有任何明显的增益。 然而、在耦合到该输出的任何带内噪声之外、伺服仍会增加约 1V、这表明需要非微音器外部旁路电容。
我还跟踪了设计的历史、一直追溯到 LMX2531、从中或多或少复制了该设计。 当时的几位应用工程师提到、在微音噪声耦合到 VCO LDO 方面存在一些客户问题、但我们都不记得还有更多具体细节。 我想在内部询问另一位对 LDO 设计非常了解的人，但他们本周不在办公室 — 如果可能，我将提供更多信息。
除非我下周对此设计有所了解、否则我 仍然支持针对 LDO 上 0.1µF 的 C0G 建议。
