[参考译文] TXS02324：我得到的是 3.3V @VSIM1 &Amp；2、但我已经将 B1 和 B5 插槽为 1.8 伏（一次只有一个 SIM 处于活动状态）

尊敬的 Vishnu：

您能否 再次提供图像、以便检查原理图吗？

此致、

插孔  

您好：  

感谢您的答复、

我正在通过邮件发送文件。 我无法附加图像或 PDF 文件。

e2e.ti.com/.../SLX_5F00_100_5F00_V1R1.pdf

请检查文件,PDF 文件包含原理图

在控制器侧上拉电阻器。 控制寄存器地址正常。  

检查我用于控制 SIM 操作的以下代码

mport smbus2.

地址= 0x3D

REG_CONTROL = 0x08

总线= smbus2.SMBus (1)

#SIM1 在 1.8V 时激活

BUS.WRITE_BYTE_DATA (ADDR、REG_CONTROL、0x0D)

#sim2 有效且电压为 1.8V

#bus.write_byte_data (ADDR、REG_CONTROL、0xD0)

#关闭两个模拟

#bus.write_byte_data (ADDR、REG_CONTROL、0x00)

您好 团队：

请根据要求进行检查。

下面读取寄存器的状态是条件  

1.未激活 SIM 卡  

2.使用第一张 SIM 卡  

3.使用第二个 SIM 卡  

请参阅随附的图像

并参考随附的 vedio、其中包含我们正在写入的 SIM 卡激活值和输出电压。

得到的结果

e2e.ti.com/.../SIM-card-2-volatge-with-command-0x0F.mp4e2e.ti.com/.../SIM-1st-card-volatge-command-0xF0.mp4

Thansk

尊敬的 Vishnu：

关键 问题是什么？ 根据提供的视频、2V 是基准输出电压。 如果是、200mV 的差值是否会导致下游出现通信错误？  

此致、

插孔

我们的关注是：

根据数据表、我们必须写入 D0 和 0D 才能获得 1.8V 输出、但为此、我们需要写入 3.0-3.2V。

对于 F0 和 0F、我们将设置 2.0 伏、这是我们的主要关注点。

请在设计完成后进行验证。

这是好的还是我们需要的任何变化。

Vishnu、

我仍在研究这一点、不久将采取后续行动。 这种现象发生在多少个电路板上 ？  

此致、

插孔  

5 个板

Vishnu、

从示波器获取示波器捕获会有所帮助、以检查信号完整性是否在此处受到干扰。 如果软件或硬件相关、这将有助于缩小根本原因的范围。  

此致、

插孔

您好：  
我在紧急休假几天。 今天我回来了。 请告诉测试点,以便我可以在 DSO 上共享波形。

尊敬的 Vishnu：

别担心。 I2C 通信线路 (SDA/SCL) 有助于捕获数据。

此致、

插孔

您好：

明天我将检查并确认。 我们还焊接了另一个 5 号 PCB 以检查相同的问题。 我会更新。

您好：

好的。 如果有任何更新、请告诉我。

此致、

插孔

您好：

我们已进行检查、但获得的电压将超过 3V

我们已经检查、但获得的电压超过 3.2115V。 Tekan 视频、但无法在此处上传  

Vishnu、

请再次尝试上传、网站维护现已完成。 同时、我还将获取器件/板的样本以复制相同的器件/板。

此致、

插孔

e2e.ti.com/.../test-video.mp4

尊敬的 Vishnu：

我正在采集样本/样本板、以复制问题点。 请在这方面留出一些准备时间、谢谢。

此致、

插孔

您好、  

没问题。 尽可能早地尝试。  

尊敬的 Vishnu：

可以。  

此致、

插孔