大家好、
我的客户担心终端用户可能会错过接线。
在最坏的情况下、-32V 将施加于 Vout/Iout。 绝对最大值为-20V、因此器件可能会损坏。
1.您能告诉我在施加-32V 电压时哪些器件会损坏?
2.施加意外电压时器件的行为如何? 可能会出现一些故障?
3.是否可以共享 Vout/Iout 的实际值绝对最大值?
此致、
Yoshi
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Yoshi,
始终很难对违反绝对最大额定值表的"短期"行为进行评论。 这主要取决于-32V 的灌电流能力以及-32V 和 VOUT/IOUT 引脚之间是否存在任何导通元件。
这有两个原因:
如果超过阈值、则其他本质上是 SCR 的内部保护电路可能会导通并开始导通。 在流经 SCR 的电流低于保持电流之前、它不会停止传导、这可能仅在系统完全断电时才会发生。 通常情况下、SCR 不会接合、直到值高于绝对最大额定值、但-32V 确实明显超出了表中的值、因此我觉得这很可能。
我还建议在 VPOS 和 VNEG 上使用 TVS 二极管、如我们的参考材料中所示。 在 VNEG 上使用击穿电压~18V 的 TVS 二极管有助于调节 VNEG 存储电容器的充电量、尤其是在电流受到限制时、如我在第1)和第2)点中所述。
Yoshi,
[报价用户="Masayoshi Takahashi">为了限制电流、客户需要使用外部电路。 我的理解是否正确?[/引述]
是-在某种程度上,您复制的图中的 R1、R2和 R3中已经存在这种情况。 在参考设计材料中、这些是15欧姆电阻器、这可能不足以无限期地防止这种误接线情况。 这取决于 D7和 D5/D6以及它们将在何处有效钳制共享 VOUT/IOUT 节点上的电压。 FB1在直流条件下不会非常有效-因此、如果它们可以接受与使用另一个电阻器替换 FB1相关的精度损失、这将有助于提高 D5/D6的效率。
[引述 USER="Masayoshi Takahashi">另外、您能告诉我如何连接 VPOS 和 VNEG 上的附加 TVS 二极管吗? 能否检查所附图片是否正确。
D1和 D4是双向 TVS 二极管、表示我的建议。 您无需添加任何额外的二极管。 本参考设计材料假定采用某种通用用例-但在本例中、为 VNEG 选择 TVS 二极管可能会有所帮助、该二极管根据负载条件下的电压可能会降至接近18V、甚至更低。 对于 VOUT 模式、VNEG 默认设置为-15V、在 IOUT 模式下、VNEG 上的最大负值取决于 IOUT 上的负载阻抗。
Yoshi,
我不会真正关注此计算的执行方式。 D5、D6和 D7很可能会将 VOUT/IOUT 上的电压限制为比-32V 更接近 VNEG 的电压、因此较小的值应该是合理的。 我们只需知道它们在这些位置使用了什么二极管、以及从-32V 电源期望的电流大小、即可了解每个元件将钳制在何处。 我们将从 D7开始、然后使用一些合理的电阻器值代替 FB1来帮助输出 D5/D6、理想情况下、反馈网络内部的电阻较小。
Yoshi,
我想这在某种程度上取决于我们讨论如何放置该电阻器-但实际上、在每个位置它都会导致问题。
对于 IOUT、IOUT 引脚和负载之间具有该串联阻抗的情况、负载将进入最大允许负载。 例如、流入1.2kOhm 负载的20mA 电流将需要26V VPOS。 VPOS 最大值为33V。 因此、对于350欧姆负载、会有余量。
对于 VOUT、反馈环路外的该电阻器将与负载一起创建一个分压器、该分压器的最小值通常为1kOhm、因此是一个有效的分压器。 如果它在反馈网络内、它开始成为一个足够大的值以与内部反馈电阻器相比较、因此它将开始引入增益误差。
我们希望尽力使用尽可能小的电阻器来优化电路。 为此、我们需要有关其所选二极管的详细信息。