[参考译文] TUSB4041PAPEVM：如果 USB PD 在数据引脚接触前启动 DCD、则 CDP 检测不起作用

编号 在编写 TUSB4041时、我指的是 TUSB4041PAPEVM 上安装的 TUSB4041。 我不太知道其他 CDP 芯片端口使用什么、但它不是 TUSB4041。

相关 USB PD 的 TUSB4041PAPEVM CDP 识别仅在以下两种情况下才能正常工作：

• 数据引脚在 USB PD 启动 DCD 之前进行接触。 例如、当电缆已连接且按下 USB PD 复位按钮时、或者当连接电缆且 TUSB4041PAPEVM 滑块从关闭位置移至自供电位置时。
• USB PD 选择根本不执行数据接触检测(300ms 超时工作、但几乎会发生任何超时、甚至比 BC1.2允许的最大900ms 超时更长的超时)。

尊敬的 Tomasz：

  从 EEPROM 文件中、仅启用端口3和端口4进行电池充电。 EEPROM 安装在 EVM 上、SCL/SDA 切换到 ON 位置(开关1引脚3和4)？

  如果 使用 EEEPROM、能否将 0Ah 寄存器从70更改为20？

 上游端口是否已连接？

此致

Brian

是、EVM 上安装了 EEPROM。 SW2引脚1开启、其余部分关闭。 SW1引脚3、4、7、8开启、其余部分关闭。

我确实将0Ah 寄存器从70更改为20、并且观察不到任何差异。

已连接上游端口。 如果上行端口断开连接、则集线器以前被检测为 DCP、但现在我似乎得到了一些奇怪的 VBUS 开启和关闭序列。 但是、我更倾向于将 DCP 操作排除在此处的范围之外。

尊敬的 Tomasz：

  您是否使用过其他 PD 设备进行了测试？  TUSB4041通过了 BC1.2 CDP 合规性测试。

好极了

Brian

我试过手机、但不幸的是、它未实现 DCD。 手机会实施~660ms 延迟、之后继续进行初步检测。

我能否获得 TUSB4041 BC1.2认证报告？

好的、我来了解一下。

好极了

Brian

e2e.ti.com/.../Port1_5F00_CDP-_2800_1_2900_.PetRpt

这是测试 报告。

好极了

Brian

感谢您的报告。 我查看了报告、发现 DCD 没有进行测试。 "仿真连接 VDP"相位直接进入启用了 PD 的主要检测阶段。

您是否有与 DCD 相关的测试报告？ 如果在数据接触检测期间 D+线路处于~200mV、TUSB4041PAPEVM 似乎不对主要检测做出响应。

USB PD 使用 RDM_DWN 方法实现 DCD、这是电池充电规范修订版1.2 3.4.1数据接触检测时序要求的两种允许方法之一"要启动数据接触检测、PD 应启用 IDP_SRC 和 IDM_SINK 或 RDM_DWN"。

我想我们没有其他测试报告、您知道哪款 PD 器件具有 DCD 吗？  我可以在实验室中进行测试。

好极了

Brian

我设法在相当可观的一堆手机,似乎表现出与 TUSB4041PAPEVM 几乎相同的行为手机.

手机是三星 Galaxy J3 (2016)运行 Android 5.1.1。 在外部、误检测背后的根本原因似乎与我最初在上观察到问题的 USB PD 相同。 我无法访问三星 Galaxy J3 (2016)上的任何内部信号,因此我只能捕获外部可见信号。

通道1是 VBUS

通道2在 Samsung Galaxy J3 (2016)连接器上为 D+

通道3在 TUSB4041PAPEVM 端口4处为 D-、通孔连接器引脚

通道4是 TUSB4041PAPEVM 端口4上的 D+、穿孔连接器引脚

从波形可以清楚地看出、手机在数据引脚接触之前启动 DCD (通道2在 VLGC_HI、通道4在 GND)、然后当数据引脚接触时、D+上会出现~200mV 的信号。 然后在 TDCD_DBNC (此处为16.3ms、超过所需的最小10ms)之后、IDP_SRC 将关闭。 然后~12.2ms 后、主要检测开始。 TUSB4041PAPEVM 不启用 VDM_SRC、因此 CDP 被误检测为 SDP。

感谢所有的 评估. 这似乎是 TUSB4041 CDP 充电的真正错误。

好极了

Brian

您是否会跟进根本原因分析和勘误表？ 如果执行根本原因分析、是否可以访问(不一定是公开的)？

我 被告知很难在 TI 更新勘误表,也许与 数据表的变化,我会让你知道我们将要做什么来解决这个错误。

好极了

Brian