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[参考译文] TPD1S514:始终启用并放大;浪涌电流

Guru**** 2478765 points
Other Parts Discussed in Thread: TPD1S514, LP3470

请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/interface-group/interface/f/interface-forum/654948/tpd1s514-always-enabled-inrush-current

部件号:TPD1S514
主题: LP3470中讨论的其他部件

如果 始终启用TPD1S514-1,如何确保满足USB 2.0 / 3.0 的浪涌电流要求

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    Shmuel,

    在这种情况下,系统中的电池充电器或某些其他电源开关需要提供电流限制,以确保符合USB规范。

    此致,
    卡盘
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    亲爱的查克:

    TI是否有任何与 TPD1S514具有相同保护的efuse /负载开关,并且在不使用AN使能PIN的情况下防止浪涌电流?  

    谢谢

    Shmuel

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    Shmuel,

    如果没有使能引脚,我找不到与TPD1S514等效的单个设备。

    如果您的预算允许额外的电路,您可以添加一个LP3470电源重置发生器( www.ti.com/.../lp3470 ,该发电机由VBUS_POWER引脚供电,以控制使能引脚。 这将创建一个自主接口,我相信它将满足您的系统需求。

    卡盘
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    亲爱的查克:

    谢谢,这听起来很好,但我想我需要一个逻辑反相器件,因为此器件在通电时的重置将会很高? 您是否有类似的设备在通电时提供低电压?

    或者更好的是-有没有什么理由我不能使用兼容+5V的逻辑反向门来启用 TPD1S514-1?

    此致

    Shmuel

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    与添加另一个门来控制启用相比,此电路可能是更好的选择。  它将保持使能高电压,直到VBUS_POWER上升到足以打开NMOS。  当RC节点到达NMOS的VT时,绘制的电路将切换。  我还会在电容器的同时添加一个电阻器,以确保NMOS在VBUS_POWER大于使能引脚1.2V (VIH)之前不会打开。  这应该适合您描述的内容。

    如果我能提供更多帮助,请告诉我

    此致,

    卡盘

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    我更喜欢使用逻辑门来减少离散组件的数量,我们有一个(SC70-5)-它只需要VCC电源上的0402盖和TPD1S514-1的使能引脚上的VBUS_Power的0402上拉电阻。

    在TPD1S514-1中使用此工具时,您是否知道我可能需要注意的任何问题?
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    我所看到的离散栅极的唯一问题是,您必须确保LP3470重置周期足够长,以确保逻辑栅极驱动EN引脚高,然后再转换为低电平。 您必须在LP3470上设计电容器延迟,以了解逻辑门通电顺序。

    回路应保持坚固,并应小心谨慎。
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    对不起,查克-也许我不清楚

    我本来想根本不使用LP3470,而只是使用反相逻辑门来提供我所需的低信号,以便在VBUS_Power给我+5V后启用TPD1S514-1?
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    我认为您需要添加一个RC延迟,以确保门高至少几百纳米秒,从而确保TPD1S514中产生延迟的计数器正确重置。 您必须在没有上拉电阻器的情况下实施我绘制的NMOS电路。
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    好的,我发现我们有一个2N7002 N通道TrenchMOS FET -我认为这将足以实施您所绘制的NMOS电路。 您能帮我一个忙并提供建议的电阻和电容值吗?
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    我没有SPICE模型来检查输入电压与时间常数,因此我无法验证我的大小,但这里是一个很好的起点。

    我会以10kohm作为连接到VBUS_POWER的漏电阻,100nF电容器(带有1kohm电阻器到VBUS电源)和门到地电阻(如果为100kohms)开始。 这应提供约1-20US的时间常数,以使NMOS以合理的组件精度打开。

    此致,
    卡盘
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    亲爱的查克:

    感谢你的所有帮助

    此致

    Shmuel
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    如果在您建议的电路上运行SPICE模拟器-使能引脚在200nS内保持高电平是否足够\理想? 什么是“理想”值?

    电路上还有什么我要检查的吗?  

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    当您运行SPICE模拟时,请确保在5 % 的预期变化中改变电阻器,如果您有电阻器,请为您的晶体管使用流程最小值和最大值模型。  我还假设您的电容器中存在60 % 变化,除非您知道一个非常高质量的电容器。

    如果您使用这些宽模拟范围,则200nS将是最坏情况下延迟的理想选择。  如果您正在使用标称供应运行简单的标称模拟,那么我会将目标设定为1US,以便您拥有大量的系统余量。

    如果您需要更多帮助,请回复。 如果您的问题得到回答,请单击  验证答案  

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    亲爱的查克:

    感谢你的所有帮助。 我现在正在使用Spice模拟器来按照您的建议来制作适当的组件。  

    您是否能够帮助我做类似的事情?

    在我的设备中有2个USB端口。 第一个是电源和通信。 对于此端口,我正在使用TI TPD1S514-1和您概述的电路来控制我们所说的使能引脚。

    我的第二个USB端口需要相同类型的电路,用于附加电源和无通信。 但是,它的规格要求略有不同。 为了简单起见,我将第一个USB端口称为COMM端口,第二个端口为PWR端口。

    对于第二个PWR端口, 一旦PWR端口提供电源,我还需要处理TPD1S514-1的启用问题,以便我可以利用 TPD1S514-1的浪涌电流功能。 但是,只有当通信端口处于活动状态(已插入)时,才会启用此PWR端口。 因此,我想使用一个与您建议的电路类似的电路,但使用来自COMM端口的VBUS_SYS电压作为额外的启用! 捕获用于PWR端口,启用必须完全填充以下3种情况:-

    1. PWR port connected,COMM port not connected:Enable pin deactivated (PWR端口已连接,COMM端口未连接:启用引  

    2.通信端口已连接,稍后(可能是几分钟) PWR端口已连接:已启用引脚已激活

    3. PWR port connected and some time later (could be unminutes) the COMM port is connected:Enabled pin activated (PWR端口已连接,稍后(可能是几分钟) COMM端口已连接:Enabled p

    我当时在考虑使用第二个nMosfet,以便我可以节省零件-这是否可行?  

    非常感谢你们!  

    此致

    Shmuel  

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    Shmuel,

    我相信这条线路将实现您的目标:

    如果这不是您所想的,请给我发送两台设备的图表,我可以尝试帮助您想出一些东西。

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    亲爱的查克:
    谢谢你。
    为了澄清这一点,我正在寻找一个电路(与您建议的用于我的COMM端口的原始电路非常相似),该电路具有一个单输出,可馈入保护PWR端口的TPD1S514-1的使能引脚。

    但是,只有在COMM端口通电时才能启用此功能。 因此,我考虑使用保护COMM.端口的TPD1S514-1的VBUS_SYS输出来调节此电路输出的激活,该输出馈入保护PWR端口的TPD1S514-1的使能引脚。

    但是,我仍然需要我在上一个帖子中提到的3个条件

    非常感谢

    Shmuel
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    此电路仅在启用COM端口时启用电源端口,但需要3个FET才能在"启用电源端口"上实现"和"功能。

    我相信它能满足您的所有3个条件,因为电源是作为通信端口的和启用的。

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    非常感谢您的所有帮助