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[参考译文] HD3SS3220：TxP/n &amp；RXP/n 下拉电阻器

admin
Guru**** 2468610 points


请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/interface-group/interface/f/interface-forum/647986/hd3ss3220-txp-n-rxp-n-pull-down-resistors

器件型号：HD3SS3220

在开发板上 、USB3_TX0N\P 和 USB3_RX0N\|P_C 信号上有100K 下拉电阻器、并附有相关的设计说明"R10、R11、R6和 R7被放置用于与2V 以上的 USB VCM 的互操作性。" －请您解释一下。 我是否可以假设这些信号不是设计所必需的、而是直接路由到板载栅极阵列？

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    TI__Guru**** 2468610 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
    您好、Shmuel、

    由于互操作性情况、C1、C2、C3、C4 R10、R11 R6和 R7被放置在 HD3SS3220UFP-DGLEVM 中、我是说、在某些特定应用中、需要高于2V (高达12V)的更高电压 USB VCM、这正是这些组件被放置在 EVM 中的原因。 基本上、取决于客户的应用、在您的情况下、这些组件是可选的(不是必需的)。

    此致、
    Luis Omar Moran
    高速接口
    SWAT 小组
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    TI__Guru**** 2468610 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    感谢您的澄清！  

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    TI__Guru**** 2468610 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
    您好、Shmuel、

    您是否想验证我的答案？ 如果需要进一步的支持、请开一个新 TT。

    谢谢、
    Luis