主题中讨论的其他器件:DP83867E
大家好、
当我的客户在10Base-Te 中对 DP83867CSRGZR 电路板进行了合规性测试时、合规性测试结果如下所示:
如果对他们的合规性测试结果有任何建议、我将不胜感激。
此外、结果与下面的 e2e 测试结果相同。
1.e2e URL
e2e.ti.com/.../dp83867ir-10base-te-100base-tx-1000base-t-compliance-test
2.10Base-Te 测试结果
- 2在以下各项中失败:
1) TP_IDL 模板,带有 TPM(最后位 CD0 ):在 LOAD2失败
2) TP_IDL 模板,带有 TPM(最后一位 CD1): LOAD2失败
3.10Base-Te 测试条件
(1)测试装置(10Base-Te、带 TPM):640-0581-001 (EEE-TPA-ERK)
・以上是专门用于10Base-Te 的测试板。
(2)测试图案
・10BT 测试时、由于链路伙伴不能输出伪随机、
PHY BIST (0x16)函数的伪随机信号被用作测试信号。
◆下面的寄存器设置
0x1F 0x8000、PHY 复位
0x00 0x0100、10Base-T/Te 模式
0x10 0x5008、强制 MDI 模式
0x16 0xd804、
(3)示波器:KEYSIGHT
我在 E2E 社区找到了与此问题相关的主题、但我不确定问题是否已得到解决。
请告诉我以下几点。
根据下面的论坛答案、我尝试写入 GPHY 寄存器。
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2.对于10BTe:
a.使用以下额外配置测量负载2上的 TP_IDL (之前出现故障的位置):
REG<0x009F>= 0xCCCC。
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此致、
Vikram
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通过实现上述设置、振幅增加了0.2V。
此外、TP_IDL 模板(LOAD2)现在通过。
但它会以10BASE-Te 峰值差分电压出现故障。
・μ A 测量值:2.129V
・导通限制:1.540V <=值<= 1.960
是否可以精细地调节10BASE-Te 的差分振幅?
是否有其他方法可以提高输出电平?
据报道、e2e 社区和 DP83867 EVM 具有类似的结果。
请告诉我 DP83867 EVM 的合规性测试结果、以便我可以比较这些结果。
下面的 E2E 社区问题是否已得到解决?
e2e.ti.com/.../dp83867ir-10base-te-100base-tx-1000base-t-compliance-test