[参考译文] ISOW1412：MIL 标准的 EMC 要求

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请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

器件型号：ISOW1412

工具/软件：

您好：

在第 37 页的数据表中、我阅读： GND1 和 GNDIO 必须直接短接

此 direkt 连接的背景是什么？

我进行了测试、使用带电容器的共模扼流圈代替铁氧体磁珠和电容器。在引脚 10 和引脚 11 之间增加 100pF。在这种情况下、GND1 和 GNDIO 不会像数据表要求的那样直接连接。但与铁氧体磁珠一样、25MHz 范围内的 EMC 更好。

这样做是否有风险？

此致、

Manfred.

0 admin 3 个月前

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尊敬的 Manfred：

感谢您的联系。请在下面查找我的意见：

建议在 GNDIO 和 GND1 之间直接连接、即使在嘈杂的环境中、噪声也会耦合到 GND2 引脚（由于采用铁氧体/CMC 的高阻抗节点）并导致性能问题、从而实现器件的最佳性能。

CMC 可以提供比铁氧体磁珠更好的性能、但其中任何一个都应处于电源负极、不应将器件的 GNDIO 和 GND1 分开。您可以参考 ISOW1412 EVM 原理图、了解这种与铁氧体磁珠的连接。

此致
Varun

0 admin 3 个月前

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尊敬的 Varun：

感谢您的反馈。当我不连接 GNDIO 和 GND1 时、哪个性能细节会降低？ DC/DC 的最大可能输出电流是否降低或最大比特率是否降低？

当我使用 GNDIO 和 GND1 之间的万用表进行测量时、电阻约为 500k。对我来说、芯片中的 DC/DC 电路看起来是外部 DC/DC 转换器之类的独立器件。因此、我无法理解性能损失。您能更详细地解释一下性能损失吗？

此致、

Manfred.

0 admin 3 个月前

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尊敬的 Manfred：

性能问题可能会出现在极端运行条件下、例如在嘈杂的环境中、出现总线数据干扰和更高/更低的 VISOUT 值。

这种性能可能因器件而异、因此要消除这种情况、必须在 PCB 上短接 GNDIO 和 GND1。

此致
Varun

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