[参考译文] SN6505B：与共源共栅晶体管一起用于高输入电压应用

我在仿真中发现、所示 CSD18543器件的漏源电容似乎将 SN6505的漏极上拉至远高于容差。  我认为这个特定的 CSD18543共源共栅 MOSFET 对于这个应用来说太大了；不确定 TI 是否有更合适的器件。  无论如何、我添加了 BAT54C 二极管、如图所示、以钳制漏极、这似乎很有帮助。  BAT54C 采用双二极管(共阴极)封装、在这种封装下工作正常、价格低廉：

特定二极管等。。。。 这还没有解决。  现在尝试证明这一概念、稍后将更加具体。  遗憾的是、该瞬态仿真运行得非常慢。

理想情况下、我们希望在次级侧提供10至15瓦的功率、这会将此拓扑推入一个位。

您好、Steve、

使用 CSD18543时的过压时间是多久？ 在任何情况下、DMN6140都是合适的选择、因为它还具有低 RDS_ON 和漏源极电压规格、能够承受超过15V 电源的2倍的电压。

选择肖特基二极管时、请确保它们能够承受大于2倍的变压器输出电压、因为推挽式转换器操作会导致二极管阴极上的电压摆幅为2 x Vin x N [其中 N 是变压器匝数比]。 如果该系统预计在高温下运行、我们建议使用 RB168MM-40。

变压器 V-t 积的大小也应适当、但我知道这可能还不是问题。 仿真中的变压器模型是否已导入到 TINA 中？


谢谢、
Manuel Chavez

使用 CSD18543 时、尽管存在共源共栅、但 D1和 D2上的大方波脉冲仍超过约10伏。  这些部件的 CD 太大了。  我在这些共源共栅的源极上放置了一些分流100欧姆电阻器、以尝试缓冲这一伪差、但它们并没有做太多-只是由于一个糟糕的问题导致 RC 衰减。  然后我添加了 BAT54缓冲器、这对我有所帮助、但与 DMN6140几乎不一样。

变压器与默认 SN6505仿真随附的变压器相同。  希望使用 Wurth 或其他供应商提供的现成选项之一。

我希望我们拥有此器件的更高电流版本-我担心此解决方案中可能没有足够的余量或裕量。

Steve

您好、Steve、

了解为什么 CSD18543不能在该电路中使用。 某些 TI 模型与其物理器件相比不准确、但 D1/D2线路上的寄生效应最好尽可能降低。

该隔离式电源的目标电流输出是多少？


谢谢、
Manuel Chavez

需要 Vout ~= 15V、PoUT 10-15W。 正如仿真结果、它的工作电压为13.8V、12.7W、D1、D2的电流正好为1A。  我们可以使用更高的输入电压获得更大的功率、但不确定是否可以使用。