[参考译文] SN74LVC2G17：SN74LVC2G17

嘿、Siddharth、

感谢您提供的详细信息-现在我可以提供帮助。

您的方程式缺少几个东西。 所需的一切都包含在我链接的应用报告和数据表中、加上您提供的值。

5V 时的静态功率由等式3给出：   

P_S = V_CC * I_CC = 5 * 10uA (最大值)= 50uW (最大值)

V_CC =5V 、C_L = 50pF、N = 2 (切换通道数)、F = 50kHz 时的动态功率

瞬态功耗通过公式4算出：

P_T = C_PD * V_CC^2 * F * N = 52.5uW

电容负载功耗通过公式5算出：

P_L = C_L * V_CC^2 * F * N = 125uW

总动态功率通过公式7算出：

P_D = P_T + P_L = 52.5uW + 125uW = 177.5uW

总功耗通过公式10算出：

P_TOT = P_STATIC + P_DYNAMIC = 50uW + 177.5uW = 227.5uW

如果您想进一步、我们可以计算出器件在该额定功率下的预期温升。

温度变化由 R_J ü θJA 和器件消耗的功率决定。 我将使用最坏的 R_M θJA Ω、 即使用 DSF 封装的300C/W。

Δ T = θJA Δ T * P_TOT = 300C/W * 0.0002275 W = 0.06825 C

因此、如果您在40C 下运行器件、您可以预计结温大约为40.06825 C。  这并不奇怪、因为通过单个 CMOS 逻辑门传输信号所需的功耗很低。