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[参考译文] TXB0108:推挽结构中的11k 至16k Ω 电阻器是否与双向通信兼容?

Guru**** 1960875 points
Other Parts Discussed in Thread: TXS0108E, TXB0108
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/logic-group/logic/f/logic-forum/928873/txb0108-is-11k-to-16kohm-resistor-in-push-pull-structure-compatible-with-bidirectional-communication

器件型号:TXB0108
主题中讨论的其他器件:TXS0108E

尊敬的 TI 团队:

我需要通过将8个信号从3V 转换为5V (反之亦然)、使两个微处理器相互"通信"。

µC 数据表、5k Ω 接口是一个不带推挽电阻器的推挽接口、因此这一侧应该是合适的。

µC、3V Ω 可配置为开漏或推挽、通过上拉和下拉电阻器上的11k Ω 至16k Ω 内部电阻器。

我在数据表中读出、如果使用上拉电阻器、它必须高于50k 欧姆、但我想它是要定义一个"标称"状态。

直接连接到推挽结构的上拉/下拉电阻器如何?

您认为我可以从3V µC 侧驱动转换器、还是驱动过弱?

感谢您的帮助!

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    这听起来好像3V µC 的驱动强度太低。

    这是什么 µC?

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    您好 Ben、

    如果您满足第8.3.2节中的电流要求、并且不违反第6.3节中的转换率要求、则应该可以。 否则、最好使用开漏配置并切换到 TXS0108E。

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    大家好、Clemens、

    感谢您的回复。

    n ü µC 是 nRF52840、出于实际原因、在我的设计中、它的供电电压不能超过3Vdc。

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    在高驱动模式下、nRF52840的 GPIO 可保证驱动至少6mA 的电流。 可以在 PIN_CNTF[n]寄存器中禁用上拉/下拉电阻器;您应该针对 TXB 执行此操作。

    是否存在您实际需要上拉或下拉电阻器的情况?

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    迪伦、您好!

    很抱歉耽误你的回答。

    事实上、我没有阅读第8.3.2节、似乎我不符合要求。

    TXS0108E 对我的应用似乎更有希望。

    我需要详细阅读数据表、但如果还有其他问题、我会告诉您。

    谢谢!

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    大家好、Clemens、

    感谢您的新回复。

    实际上、我不需要推挽电阻器、但我认为这意味着输出将处于漏极开路状态(北欧国家不太清楚、尽管论坛中的不同主题导致人们认为情况如此)。 但是、根据 TXB0108的数据表、"该器件只能转换推挽 CMOS 逻辑输出"。

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    如果使用 DIR=输出、PULL=禁用、DRIVE= H0H1、您将获得不带电阻器的普通输出。 请参阅 nRF52840产品规范 v1.1的第6.9.2.10节。

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    我不知道“高驱动“0”、“高驱动“1”究竟意味着什么,但我认为您是对的:它似乎是用于将输出配置为推挽。

    感谢你们的帮助

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