[参考译文] SN74LVC1G123：SN74LVC1G123和 CD74HCT4538E：关于使用 SN74LVC1G123和 CD74HCT4538E 元件改进高可靠性电路设计的建议。

您好、纤薄、

如果使用滤波不良、会突然断电的电源、51欧姆电阻器非常重要。 这可能会导致电容器快速放电到器件中。 否则、没有必要。

我不确定问题2的含义。 这似乎非常具体。 您能否分享原理图？

此致！

Ian

如果我们查看 CD74HCT4538数据表、尤其是图2。 很明显、外部电容器(Cext)连接到位于这些引脚之间的 N 沟道 MOSFET 两端的引脚1 (15)和引脚2 (14)。 Cext 还通过 P MOSFET 连接到 Vcc。

问题：
除了 Vcc 突然断电可能导致电容器 Cext 快速放电外、在特定转换事件期间、Cext 是否有可能通过 PMosfet 快速充电或通过 N MOSFET 快速放电？

我认为 CD74HCT4538内的 N MOSFET 和 P MOSFET 在特定转换事件期间从 Cext 传输充电或放电电流发挥着作用、因此与 Cext 串联的51欧姆电阻器是控制电流流动所必需的。 能否向负责的工程师咨询进一步的指导和说明？

我的问题2是关于一个包含放电引脚的集成电路、例如555计时器的 CMOS 版本。 CMOS 555计时器有一个引脚7 (放电)、可通过555计时器内的 N MOSFET 为计时电容器提供一条放电路径。 当计时电容超过0.1uF 时、您是否认为51欧姆电阻器也是此类 IC 的良好实践？

此致
纤薄

您好、纤薄、

FET 检测 RC 的电荷水平以控制单稳态的内部逻辑。 除了 VCC 突变之外、它们不会快速对电容器充电或放电。 只有在突然断电的情况下、才需要使用51欧姆电阻器来控制电流。

对于555计时器、我应遵从该器件数据表中的布局建议。

此致！

Ian

根据 CD74HCT4538数据表图2中显示的逻辑图、单稳态的内部逻辑控制 N 沟道和 P 沟道 MOSFET 以调节 RC 电荷电平、而不是相反。 此外、根据图2的逻辑图、N 沟道和 P 沟道 MOSFET 不会用作电荷电平检测器。

如果 TI 的集成电路设计工程师能查看我的问题并提供解释和建议、帮助我利用 CD74HCT4538实现加固型设计、我将不胜感激。