[参考译文] DRV8353：DRV8353–方向改变期间在高电流下触发栅极波形失真和 nFAULT

您好：

您能尝试重新附加原理图和波形吗？ 我看不到帖子附带的任何内容。

至于我最初的想法、在看到行为之前、您列出的所有潜在根本原因都可能影响行为。 我想了解您选择的 IDRIVE 栅极驱动电流设置。  

此外、由于您提到 nFAULT 正在触发、因此它可能与保护相关。 如果自举电容器未在高电流条件下正确充电、则可能是 VDS 或 BST 欠压。

再次、请重新附加补充材料、以便我可以检查波形和原理图。

谢谢、

Joseph

您好：

我的一种理论是、当您增加流经 MOSFET 的电流时、结温会升高、因此会导致 MOSFET 的 Rdson 轻微升高。  

因此、由于 Rdson 值跳变、这可能会导致 VDS 过流保护提前跳闸。 您能否尝试提高 VDS 过流水平并看看问题是否仍然发生？

谢谢、

Joseph

你（们）好

感谢您的建议。

我们已经通过测试了此场景 增加 VDS 过流阈值 。
。 VDS 过流电平升高至 0.4V 、对应于近似值 200A. 、以考虑由于结温升高而导致的 MOSFET RDS (ON) 的潜在增加。

但是、即使 VDS 过流阈值设置为这一更高水平、我们仍然可以观察到 nFAULT 置位和栅极波形失真相同 CAN SIC 器件。
这表明 nFAULT 事件是这样的 并非仅由 RDS (ON) 增加引起的过早 VDS 过流检测而触发 。

基于这一结果、我们认为可能涉及另一种保护机制（或保护之间的交互）。
您能否告知、接下来应该研究哪些其他保护功能（例如栅极驱动欠压，电荷泵行为，VGLS/VCP 相关保护或换向期间的瞬态情况）？

谢谢

您好：

感谢您提高 VDS 阈值进行确认。 我们可以继续在其他地方寻找根本原因。

我对实际 nFAULT 引脚在发生该行为期间的行为感兴趣。 我想看看故障是否正在重试、或者是否似乎被锁存。 如果您可提供包含 nFAULT（而非 CPH-CPL 信号）的波形、这会很有帮助。

波形另一个有趣的方面是在 GHA 上看到的突降。 看起来您希望以大约 70%或 80%的占空比运行、但当 GHA 波形应为高电平时、它会持续下降。 我也想在这些骤降期间看到故障信号。

谢谢、

Joseph