器件型号： DRV8703-Q1
您好！
我遇到了一个问题：芯片持续出现故障—要么立即发生故障、要么一段时间后发生故障。 芯片驱动器通过 MOSFET 晶体管连接到电机、但电机不在运行、因此驱动器不受控制。 24V 线路由 TVS 二极管保护。 然后电阻器 R1、R7 和 R8 会变得非常热并出现故障。 然后芯片本身在几乎所有引脚上都会短路。 MOSFET 晶体管正常、不要出现故障。 这里有 G 和 PG 两个接地端、它们在一个点短接。 当连接 24V 电池时、芯片通常无法正常工作。 上一次、我们使用电源为其供电、随后仅因未使用而自行失败。 帮助！
尊敬的 Alexander：
感谢您的测量。
在什么情况下、 您是否测量了测试点？ GH1 和 GL1 均处于其高电平状态、这意味着 HSFET 和 LSFET 均导通、并且存在一个击穿形式的 TI、T2 和 R9。
1-请让我 看看输入 (IN1 , IN2) 模式引脚的值是什么。
2-请使用示波器捕获 GH1、GL1 和 SH1、IN1 波形。
好极了
Mojtaba.
尊敬的 Mojtaba：
尊敬的 Alexandra：
创建表时、SH1 上先前报告的高电压是我的器件上的错误。 示波器最初显示的 最大 电压为 26V、但这是由于测试期间使用的长探头引线而导致的测量伪影导致的。 以下是具有伪影的捕获结果 (CH1=GH1、CH2=GL1、CH3=SH1、CH4=DVDD)：
图 1 中突出显示的是否是由于测量伪差造成的？ 在上一张屏幕截图图 2 中、可以看到该干扰。
其他屏幕截图看起来正常。 他们是否使用 L1？
您是否能够 重复失败并捕获屏幕截图？
您是否尝试过对 IN1 输入进行 PWM 处理并看看是否可以重现故障？
需要首先查找器件出现故障的条件、然后捕获波形。
图 1： 图 2.
如果上述干扰是由测量结果导致的、如您所述“ 电阻器 R1、R7 和 R8 会变得非常热且出现故障。“
最大电流为 25A、Rsense 为 0.01、因此得到 0.25V、R7/R8 上的电流为 UA 范围。 因此、为了找出 R1/R7/R8 上出现高电流 的原因、需要测量 SP 至 SN、SP 至 GND 和 SN 至 GND、Vdrain、并测量负载电流？ 找到故障可复制的情况。
此外、我还会在 R1/R7/R8 电阻器的路径中看到 NT。 这些是什么以及为什么要使用它们。
好极了
Mojtaba.
