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[参考译文] DRV8701：DRV8701干扰辐射

admin
Guru**** 2362860 points
Other Parts Discussed in Thread: DRV8701
请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/motor-drivers-group/motor-drivers/f/motor-drivers-forum/570476/drv8701-drv8701-interferences-radiation

部件号：DRV8701

您好，

我们根据DRV8701设计了一个电机控制板，工作正常，但我们遇到了EMI问题。

当DRV8701处于睡眠状态时，没有辐射。

当DRV8701驱动MOS时，其周围会出现峰值辐射，从50 MHz到650 MHz，每50 MHz一次。 在导线MOS的GH和GL赛道上，我们有150 MHz的峰值。

您是否有任何想法来降低这些峰值振幅？

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    TI__Guru**** 2362860 points
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    您好，oh2229，

    我们将进行调查。 您能否提供一些其他信息？

    正在使用什么FET？
    IDRIVE引脚是如何配置的？

    您是否有任何范围捕获可供分享？
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    TI__Guru**** 2362860 points
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    您好Rick，

    我们使用IRF8721，我们尝试了Ridrive = 330欧姆，Ridrive = 3.3 kOhm。 ｛\lang1024，｝｛\lang1024｝｛\lang1024｝｛\lang1024｝｛\lang1024｝｛\lang1024｝｛\lang1024｝｛\lang1024｝

    以下是我们如何使用频谱分析仪和自制探针进行测量：

    以下是与前一张图片上的探头位置相对应的捕获：

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    TI__Guru**** 2362860 points
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    您好，oh2229，

    我们正在研究这种和谐与我们的设计师之间的关系。 我们收到回复后，我会尽快通知您。

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    TI__Guru**** 2362860 points
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    您好，oh2229，

    我和我们的设计师谈过，您测量的辐射峰值很可能是我们设备中的一个内部时钟的谐波。

    为了帮助减少此峰值，您可以尝试进行几次布局调整：

    • 在 SH1和SH2之间添加一个小电容器(介于10和100 nF之间)

    如果这不起作用，请尝试添加以下内容：

    • 在开关节点(SH1 / SH2)和接地之间添加小电容器(介于10和100 nF之间)。

    使用这些电容器，您需要尝试不同的尺寸，以确定适合您布局的最佳解决方案。  我建议从小电容器开始，然后慢慢增大电容器的大小。  如果SHX节点上增加了太多电容，为这些电容器充电的浪涌电流将导致我们设备上的OCP跳闸错误。

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    TI__Guru**** 2362860 points
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    您好，

    我们正在开发这种设备的去控制电机，我们也遇到了同样的问题。

    在certifícate μ m EMC的测试过程中，我们有50MHz到650MHz的相同峰值。 tríed把它与电容器分离，但它不起作用。

    你能给我另一个解决方案吗？？？

    谢谢！

    Javi

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    TI__Guru**** 2362860 points
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    您好，Javi：

    您是否尝试过提高去耦电容器的价值？
    此外，您的电源是否有任何类型的PI过滤器？
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    TI__Guru**** 2362860 points
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    Phil，您好！

    是的，我曾尝试通过Murata Pi滤波器增加电容器并过滤电力线，但没有效果。 我尝试隔离板上的所有部件或工位，只需连接DRV8701工位的功率和休眠信号拉至3V3。  

    当nSleep在驱动器上启用某项功能时，开始对电源信号进行渗透和耦合...它通过所有板上的24VDC辐射，超过IEC限值30dB/uVrms

    我按照DRV8701 EVM原理图和指南将我们的owm板设计成4层板。 是总功能驱动电机，估计电流和所有材料，但在EMC测试中具有此峰值信号...

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    TI__Guru**** 2362860 points
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    Phil / Javier，您好！

    遇到同样的问题(激活nSleep时振荡)。 是什么解决了问题？

    Patrick