[参考译文] DRV8908-Q1：DRV8908的使用情况

大家好、

BTW、请参阅下图以了解更多详细信息、

你可以看到下面与我的标记,我们可以将任何 OUTx 和 OUT 平行作为一个驱动 A 半桥, 并将 任何其他两个作为一个输出驱动另一个半桥吗? 而双输出并联时、在此应用中、此应用可满足多少 rms 和峰值电流？ 我们的客户需要一个半桥1.6A 电流、这种使用是否有任何风险？

嗨、团队，

您是否还能帮助解释四个载荷？折叠和垂直和霍尔

似乎半桥可以使用任何两个通道来进行并联

这是否正确？

对于硬件连接、您能否给我们一些

大家好、

还有一个问题，

• 此器件如何检测输出电流,使用内部集成传感器？我们能获得实时电流信息吗? 或者我们可以只知道 OCP 事件？

您好！

感谢您的提问。

~、DRV89xx-Q1通常以小电流(高达1 μ A 500mA)多通道电机驱动器为目标。 通常针对该应用、所有通道不会同时打开。 热是限制因素、DRV 可以在短时间内驱动更高的电流。  

您可以参考数据表9.3热应用检查和计算(第135页)。  

简而言之、复杂的故事通常由客户选择。  

1) Mirro XY (水平/垂直)位置

  可使用 DRV89xx-Q1输出。 一些客户将剩余的通道用于 LED 驱动器等与内部 PWM 发生器。

2)后视镜折叠。

  电流通常会更高。 例如1.6A、(范围可能为~5秒)、就像您的客户一样。 因此、DRV89xx-Q1可能不够好。

  我们的建议是 DRV8242-Q1、具有更低的电流能力(随时间变化)。 或者、如果客户具有大镜、则改用较高电流的版本 DRV8243-Q1或 DRV8244-Q1。   

3)"此用途可满足多少 rms 和峰值电流？  "

   通过使用并联、每个电桥的 Rdson 将为一半。 最终可以驱动比单/非并联半桥更高的电流。 请参阅数据表9.3了解热性能、然后使用一半 Rdson 值来估算并联模式。

   该器件具有 OCP、但无电流检测功能。 因此、未提供实际的电流信息。 请注意：DRV8242-Q1具有电流检测(IPROPI)功能。

3)  

是的、对于并行模式、这是正确的。

4)下面是镜子折叠的解释。 XY 应为  

此致

森田真也

尊敬的 Shinya：

感谢您的帮助。

还有两个问题。

1.在实时运行中,一旦我们想用 SPI 改变 PWM 占空比或频率,我们是否每次都需要停用 PWM 发生器?

请参阅数据表中的图36和37、这两个图是否有差异？

BTW、即高侧制动器和低侧制动器、二者之间的优缺点是什么。

您好！

我今天在 timebank 上。 明天会向您提供反馈。

此致

森田真也

尊敬的 Shinya：

等待您的响应。

Br.

埃里克

您好

另一个问题，关于该器件，如果它在连续模式下工作， 半桥的低侧 MOSFET 和高侧 MOSFET 将具有相同的 PWM 占空比？

您好  

还有一个问题、  

我们如何为在并行模式下工作的此器件选择 SR，2.5V/us 可以？  越高越好？

，Shinya K ö m

感谢您的全力支持。

1. SM：假设有 DRV8908-Q1问题。 同步整流开/关不同。

问：，这个不同的？您可以提供更多的详细信息吗？也许其中的数据会更好。

连续模式是持续开启或关闭。 无 PWM 操作。

问：对于这种模式，如果我们使用双通道并联，这两个通道将同时打开和关闭？

SR 也可与并行模式配合使用。 Hbx_SR=1b (2.5V/us)可以。 请参阅数据表中的注释。

问、对于选择不同的 SR、您可以帮助分享有关差异的详细信息吗？

尊敬的 Shinya：  

首先,感谢您的答复,

请注意、我知道这些常见的答案、但您可以提供更多有关这方面的详细信息吗、就像我们使用低 SR 将导致 MOSFET 导通时间很长、并且如果我们选择高 SR、它将导致过冲一样。  

对于其它问题,请多说一些意见,因为我支持 中国最优秀的客户,他们对这些技术细节很感兴趣。