[参考译文] DRV8714-Q1：我使用 DRV8714驱动器 A MOS (参数如下图所示)，、但栅极的上升时间与计算结果不符。

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I TEST VDRAIN（PIN39）、值为15.9V μ A、I TEST Vsh1，值为16.3V，PIN23（）。 SH1设置为 HiZ 模式。

为什么 VDRAIN≠Vsh1？

嘿、Ling、

62mA 是 DRV8714-Q1能够提供的最大驱动拉电流/灌电流、因此这是最长时间的正确设置。   

您是否 通过 EN_PDR_x 寄存器设置打开了传播延迟降低(PDR)？ 请参阅数据表中的8.3.4.4。  这可能会导致上升/下降时间总体上要快得多。

您还可以尝试 闭环压摆时间控制(STC)并将其设置为最快的设置、然后查看这是否会改善开关时间。   

您可以使用以下常见问题解答公式进行检查、以确保驱动  器支持这些 FET：[FAQ]如何确定栅极驱动器可以支持哪些 MOSFET？ 但我非常确信您的 FET 对于9nC Qgd 是没问题的。  

除此之外、您可能需要考虑如何使用不同型号的 FET 或不同的驱动器- 260mA 对于 V_VM、DRV8702-Q1和 DRV8703-Q1的驱动电流高达440mA 13.5V 左右。   

此致！

雅各布

感谢您的答复。 关于我的第二个问题、您能给我一些评论吗？ 谢谢~

嘿、Ling、

为什么 Vdrain？Vsh1≠

为此、请让我告诉一位对这款设备更熟悉的同事、给我们一天时间。  

确保您具有与数据表相匹配的此器件所需的外部元件。  您是否有可以用于测试此情况的 EVM 以确认我们的 EVM 是否提供相同性能？   https://www.ti.com/tool/DRV8714S-Q1EVM 

此致！

雅各布

n‘t 没有 EVM 板。

我，与数据表描述匹配的设计。

感谢您的评论。

——我想，MOSFET 的 Trise/Tfall ，目的是降低 MOSFET 的开关损耗

<我不建议您使用降低传播延迟(PDR)>

———你能给我一些意见吗 ?为什么不给我建议 PDR?  

感谢您的解释、它非常有用。

添加关于 DRV8714的另一个问题

我想 ‘s VDS 比较器 输出何时发生 NORMAL/SHORT/STG/STB。 谢谢~

感谢您的答复。 它对我的问题很有用。 下一次我将创建新帖子。

对于这个问题,我仍然有一些困惑。

对于开路负载，PVDD=16V。

I 测量 VSHx=15.200V、VGHx=15.000V 。 为什么  VSHx 具有0.8V 的压降、VGHx 具有1V 的压降？(以 PVDD 为基准)

I 测量 VSHy=0.517V、 VGhy=0.502V。 为什么  VSHy 具有0.517V 的压降、VGHy 具有0.502V 的压降？(以 GND 为基准)