[参考译文] DRV8714-Q1：我使用 DRV8714驱动器 A MOS (参数如下图所示)，、但栅极的上升时间与计算结果不符。

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https://e2e.ti.com/support/motor-drivers-group/motor-drivers/f/motor-drivers-forum/1359743/drv8714-q1-i-use-drv8714-driver-a-mos-parameter-shows-at-below-picture-but-the-rise-time-of-gate-isn-t-meet-calculation

器件型号：DRV8714-Q1
主题中讨论的其他器件： DRV8702-Q1、DRV8703-Q1

您好 TI

我使用 DRV8714驱动器 A MOS (参数如下图所示)，、但栅极的上升时间不符合计算结果。

Qgd = 9nC，Vsupply=16VDC，IDRVP_x=1111b = 62 mA (2.3 mA)，Trise=Qgd / IDRVP_x=9nC / 62mA =145ns，但我的测试 Trise 为470ns。

我的要求是尽可能减少 Trise，有任何方法？

5 个月前

0 admin 5 个月前

TI__Guru**** 1624225 points

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添加另一个问题

I TEST VDRAIN（PIN39）、值为15.9V μ A、I TEST Vsh1，值为16.3V，PIN23（）。 SH1设置为 HiZ 模式。

为什么 VDRAIN≠Vsh1？

0 admin 5 个月前

TI__Guru**** 1624225 points

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嘿、Ling、

62mA 是 DRV8714-Q1能够提供的最大驱动拉电流/灌电流、因此这是最长时间的正确设置。

您是否通过 EN_PDR_x 寄存器设置打开了传播延迟降低(PDR)？请参阅数据表中的8.3.4.4。这可能会导致上升/下降时间总体上要快得多。

您还可以尝试闭环压摆时间控制(STC)并将其设置为最快的设置、然后查看这是否会改善开关时间。

您可以使用以下常见问题解答公式进行检查、以确保驱动器支持这些 FET：[FAQ]如何确定栅极驱动器可以支持哪些 MOSFET？但我非常确信您的 FET 对于9nC Qgd 是没问题的。

除此之外、您可能需要考虑如何使用不同型号的 FET 或不同的驱动器- 260mA 对于 V_VM、DRV8702-Q1和 DRV8703-Q1的驱动电流高达440mA 13.5V 左右。

此致！

雅各布

0 admin 5 个月前

TI__Guru**** 1624225 points

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感谢您的答复。关于我的第二个问题、您能给我一些评论吗？谢谢~

0 admin 5 个月前

TI__Guru**** 1624225 points

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嘿、Ling、

为什么 Vdrain？Vsh1≠

为此、请让我告诉一位对这款设备更熟悉的同事、给我们一天时间。

确保您具有与数据表相匹配的此器件所需的外部元件。您是否有可以用于测试此情况的 EVM 以确认我们的 EVM 是否提供相同性能？ https://www.ti.com/tool/DRV8714S-Q1EVM

此致！

雅各布

0 admin 5 个月前

TI__Guru**** 1624225 points

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n‘t 没有 EVM 板。

我，与数据表描述匹配的设计。

0 admin 5 个月前

TI__Guru**** 1624225 points

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您好！

我再补充一点意见。

正如 Jacob 提到的、如果需要更快的压摆率、DRV8703-Q1是另一种选择。通常、SH 压摆率比 GH/GL 压摆率更重要。由于米勒区域、如果 GH 压摆率为470ns、则 SH 压摆率会快得多(例如200ns……)。

通常、由于 EMI 问题、高于 SH 压摆率可能是一个好范围。我有一点好奇、您为什么需要提高 GHx/GLx 的压摆率更多。

我不建议您使用传播延迟降低(PDR)。为了获得最佳/最快的压摆率、请勿使用 PDR、而是仅使用64mA max IDRIVE。这样可使 DRV8714-Q1达到最快的速度。

为什么 VDRAIN≠Vsh1

当处于高阻态时、SH 引脚被上拉、弱路径来自 VCP 源极块。因此、SH 电压可能会略高于 PVDD/漏极。

这是已知的行为。它可能比 PVDD 高0.3-0.5V。

此致

森田真也

0 admin 5 个月前

TI__Guru**** 1624225 points

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感谢您的评论。

——我想，MOSFET 的 Trise/Tfall ，目的是降低 MOSFET 的开关损耗

<我不建议您使用降低传播延迟(PDR)>

———你能给我一些意见吗 ?为什么不给我建议 PDR?

感谢您的解释、它非常有用。

0 admin 5 个月前

TI__Guru**** 1624225 points

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添加关于 DRV8714的另一个问题

我想 ‘s VDS 比较器输出何时发生 NORMAL/SHORT/STG/STB。谢谢~

0 admin 5 个月前

TI__Guru**** 1624225 points

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，这个问题、我只想知道如何设置寄存器来判断电池短路/接地短路/相互短路/正常

0 admin 5 个月前

TI__Guru**** 1624225 points

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您好！

感谢您的提问。更改主题时、请创建新帖子。 E2E 旨在让将来有人推荐。我们尽量使 E2E 标题和内容保持一致。

请参阅本常见问题解答。 VDS 比较器应大于1V、通常选择2V。

(+)[常见问题解答] DRV8714-Q1：[常见问题解答] DRV8705/6-Q1、DRV8714/18-Q1离线激动性-电机驱动器论坛-电机驱动器- TI E2E 支持论坛

如果您还有其他问题、请创建新帖子。

此致

森田真也

0 admin 5 个月前

TI__Guru**** 1624225 points

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感谢您的答复。它对我的问题很有用。下一次我将创建新帖子。

对于这个问题,我仍然有一些困惑。

对于开路负载，PVDD=16V。

I 测量 VSHx=15.200V、VGHx=15.000V 。为什么 VSHx 具有0.8V 的压降、VGHx 具有1V 的压降？(以 PVDD 为基准)

I 测量 VSHy=0.517V、 VGhy=0.502V。为什么 VSHy 具有0.517V 的压降、VGHy 具有0.502V 的压降？(以 GND 为基准)

0 admin 5 个月前

TI__Guru**** 1624225 points

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您好！

感谢您的提问。

它来自方框图中所示的二极管压降。

如有其他问题、请创建新帖子。

此致

森田真也

电机驱动器（参考译文帖）

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[参考译文] DRV8714-Q1：我使用 DRV8714驱动器 A MOS (参数如下图所示)，、但栅极的上升时间与计算结果不符。