[报价 userid="446065" url="~/support/motor-drivers-group/motor-drivers/f/motor-drivers-forum/1398006/drv8343-q1-questions-about-the-parameters-explained-in-proper-rc-snubber-design-for-motor-drivers ]整流器的电容值为22pF、CSD18540Q5B MOSFET 数据表上哪一项列出了？我在发布的数据表中找不到此值。

我认为此数据来自于最大反向电容(在下面的数据表图像中列为20pF)、但该值仅增加到所使用的标准22pF 电容。

[报价 userid="446065" url="~/support/motor-drivers-group/motor-drivers/f/motor-drivers-forum/1398006/drv8343-q1-questions-about-the-parameters-explained-in-proper-rc-snubber-design-for-motor-drivers ]]要查找寄生电感、应该将额外的电容器 C1添加到顶部 FET 还是底部 FET？我应该将其添加到两个 FET 还是仅一个 FET？

对于 RC 缓冲器、您可以为每个高侧和低侧 FET 设置一个电容器来抑制、如下图所示：

我希望这些信息对您有所帮助！如果您还有其他问题、请再次联系。

此致、

-约书亚

0 admin 5 个月前

TI__Guru**** 1821780 points

请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

感谢您的答复。
我了解整流器的电容。

-关于 C1 ,我了解到缓冲电路中的电容器最终会添加到高侧和低侧 FET 中的每一个。
不过、
e2e.ti.com/.../pastedimage1617744455172v3。PNG.
在上面的步骤2中、当添加 C1来测量振荡偏移时、我想知道是通过将值为 C1的电容器添加到高侧和低侧的每一个、还是仅添加到其中一个来测量。

0 admin 5 个月前

TI__Guru**** 1821780 points

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尊敬的 Keiju：

感谢您的澄清。

您似乎将该 C1添加到高侧和低侧、因为您正在表征每个 MOSFET。本指南似乎只介绍了重要电机相位输出为源极的奇异高侧 FET 的缓冲、但实际上、您可能还想抑制低侧瞬态响应、而很可能需要描述该电路元件的特征。

这是我目前对流程的理解、希望这些信息对您有所帮助。

此致、

-约书亚

0 admin 5 个月前

TI__Guru**** 1821780 points

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我了解了在电路中添加 C1的步骤。我能够将其添加到电路中进行测量。非常感谢您的帮助。

电机驱动器（参考译文帖）

电机驱动器（参考译文帖）(Read Only)

[参考译文] DRV8343-Q1：关于&#39中所述参数的问题；适用于电机驱动器的 RC 缓冲器设计。&#39；