请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
器件型号：DRV8343-Q1 工具与软件：
嗨、团队：
我的客户在其项目中测试了 DRV8343-Q1、并遇到了以下问题、您能帮助我们审查并发表一些评论吗？谢谢！
原理图：
e2e.ti.com/.../DRV8343_2D00_Q1-schematic.pdf
1. 芯片的输出端都是高电平
2. 我可以知道为什么软件设置的死区时间是无效的？
此致、
Ivy
工具与软件：
嗨、团队：
我的客户在其项目中测试了 DRV8343-Q1、并遇到了以下问题、您能帮助我们审查并发表一些评论吗？谢谢！
原理图：
e2e.ti.com/.../DRV8343_2D00_Q1-schematic.pdf
1. 芯片的输出端都是高电平
2. 我可以知道为什么软件设置的死区时间是无效的？
此致、
Ivy
您好、Ivy：
GHx 是从 GHx 测量到 GND 还是从 GHx 测量到 SHx？ 否则、请让客户针对 SHX 采取措施。
此致、
Yara
您好、Yara、
1、上一个波形是 GHx 至 GND 波形。
2、GHx 至 SHx 测试波形如下所示,从波形可以看出,高侧 MOS 开路会导致 低侧 MOS 出现电压尖峰。
此致、
Ivy