[参考译文] DRV8343-Q1：死区时间

您好、Ivy：

客户似乎同时打开了高侧和低侧。

它们使用的是 SPI 还是硬件型号？

它们的死区时间是多少？

客户使用哪些 IDRIVE 设置？

它们是否使用 独立半桥 PWM 模式？

您能否提供有关他们何时看到此击穿事件的更多背景信息？ 以及它们是否已损坏驱动器或 FET？

此致、

Yara

您好、Yara、

请参阅下面的反馈。

1.客户使用的是 SPI 版本。

2. DEAD_TIME 为 默认值1000ns、客户尝试通过 SPI 修改死区时间、但发现无法成功修改。

 所有6个通道的 IDRIVE 设置均为1A。

 PWM_MODE = 000b、6x PWM 模式

5. 波形测量方法:两个 MOS 门在 A 相通过示波器测量;驱动和 FET 没有损坏  

 谢谢！

此致、

Ivy

您好、Ivy：

GHx 是从 GHx 测量到 GND 还是从 GHx 测量到 SHx？ 否则、请让客户针对 SHX 采取措施。

此致、

Yara

您好、Yara、

1、上一个波形是 GHx 至 GND 波形。
2、GHx 至 SHx 测试波形如下所示,从波形可以看出,高侧 MOS 开路会导致 低侧 MOS 出现电压尖峰。

此致、

Ivy