工具与软件:
尊敬的团队:
DRV8350芯片是否会受到电机相电流的影响?
例如、它只能接受几十个 A、一旦达到100 A 以上、它就会烧坏。感谢您在此处分享您的评论。
此致、
Mingkang
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尊敬的 Mingkang:
DRV8350是一种栅极驱动器、因此它使用用户选择的外部 MOSFET、通常是受电机相电流影响的 MOSFET。 因此、只要 MOSFET 与 DRV8350兼容、也就是说 DRV8350能够驱动这些 MOSFET、并且系统设计得足以管理高电流。
以下是一些可以帮助您的内容:
此致、
Yara
感谢您的答复。
我们使用 SQJQ510ER 的 MOSFET、工作电压为72V、最大相电流为400A (峰值)。
目前、当我们使用 DRV8350RH 进行调试时、以及使用高达~120A 的 Pahse 电流运行时、会导致栅极驱动器单元损坏。
特别是我们发现 GL 和 SL 的引脚将具有较大的振荡并且延伸为+/-1V、这可能会导致栅极驱动器损坏。
您能否帮助检查这一可用于大电流应用的栅极驱动器单元、或者您是否有任何大电流设计示例? 非常感谢。
您好!
正在使用的 IDRIVE 设置是什么? 我刚检查一下正在使用的 MOSFET、Qgd 极低。 您提到在 GL 和 SL 上看到了振荡、但您是否同时在 GHx 和 SHx 上看到了任何振荡? 由于 MOSFET 上的 Qgd 较低、所选的 IDRIVE 设置可能已导致该振铃严重到足以导致击穿事件。
我还应该说明的是、该器件使用72V 的工作电压也非常高、并且在达到绝对最大值之前不会留出很多空间
请提供:
GHx 至 SHx、SHx 至 GND、GLx 至 SLx 和 SLx 至 GND 的波形
2.使用的是什么 IDRIVE 设置
此致、
Yara
您好!
我认为所使用的 MOSFET 可能具有过低的 Qgd。
以下常见问题解答深入介绍了 MOSFET 的 Qgd 与应选择的 IDRIVE 设置之间的关系:
根据我的计算、即使是最低的 IDRIVE 设置对于 MOSFET 也可能过高。
您是否曾使用不同的 MOSFET 进行过测试?
您是否能够分享原理图进行审阅?
此致、
Yara
您好!
最好至少让您的 Qgd 能够处理我们的 IDRIVE 设置的最小设置。
根据我对通过电子邮件处理信息的理解、三个 MOSFET 是并行使用的? 这会略微发生变化、因为这确实会增加总 Qgd。
数据表中规定的 Qgd 为4nC、如果三个 MOSFET 并联、则总 Qgd 实际为12nC、如果是这种情况、则为12nC 在 Qgd 上额外增加3nC、将允许您使用数据表中的最低 IDRIVE 设置。
但是、考虑到这是高电流应用、这可能无法完全解决严重的振铃问题、并且改变此电流的方向可能会导致超出此器件绝对最大值的瞬变。
此致、
Yara