[参考译文] DRV8350：MOSFET 高温会在高占空比中击穿

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https://e2e.ti.com/support/motor-drivers-group/motor-drivers/f/motor-drivers-forum/1463901/drv8350-mosfet-high-temp-break-down-in-high-duty-cycle

器件型号：DRV8350

工具与软件：

大家好、团队成员：

客户现在要在其电动自行车应用中使用 DRV8350。发生了一些问题、请参阅以下说明：

正常工作

GHA 占空比=98%、GLA 占空比不正常
开关频率=20K
3xPWM 模式

发行

低侧 MOSFET 高温击穿、对地阻抗为7 Ω

波形

(绿色：GHA、蓝色：GLA. 红色：相电压)

您能给我们一些关于潜在结果的见解吗？

谢谢！
Yishan Chen

8 个月前

0 admin 8 个月前

TI__Guru**** 2392905 points

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尊敬的 Yishan：

今天是美国的假日、但我们将很快做出回应。

此致、

Anthony Lodi

0 admin 8 个月前

TI__Guru**** 2392905 points

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Anthony、您好！

感谢您的答复。

您能在今天之前提供一个答案吗？

谢谢你

Yishan Chen

0 admin 8 个月前

TI__Guru**** 2392905 points

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尊敬的 Yishan：

由于需要考虑死区时间插入以及传播延迟、低侧 MOSFET 可能永远不会在98%的占空比下开启。考虑到这些因素、您提供的波形似乎合理、但我想指出、在高侧 MOSFET 开关期间、似乎有显著的电压耦合到低侧栅极、如果耦合足够大、则可能导致击穿。相电压上升时间极快、因此我对存在耦合不感到惊讶。我会建议显著降低 IDRIVE、以减慢 MOSFET 开关速度、并减少耦合到低侧。此外、添加 Cgs 电容也有助于减少耦合。

当您提到接地阻抗为7欧姆的低侧 MOSFET 高温击穿时、您是指 MOSFET 栅源阻抗吗？或漏源电压？如果您更换 MOSFET、该电路板是否再次工作？

此致、

Anthony Lodi

0 admin 8 个月前

TI__Guru**** 2392905 points

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Anthony、您好！

感谢您的答复。

低侧 FET 是指 DRV8350内的推挽驱动器。

外部功率装置工作正常。

谢谢你

Yishan Chen

0 admin 8 个月前

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尊敬的 Yishan：

感谢您的澄清！这可能是由于低侧驱动器上的 GLx 或 SLx 绝对最大值违例、导致驱动器内部损坏。观察波形可以发现、MOSFET 开关的上升和下降时间非常快、可能会引入明显的过冲/下冲、从而可能违反器件规格。在您提供的波形中、在高侧 MOSFET 关断期间、由于 dV/dt 耦合、我们会看到 GLx 降至接地电位以下约2V、这可能会对下拉 MOSFET 产生应力。我强烈建议降低开关速度以减少瞬变。您还可以考虑添加一些外部 Cgs 和 CGD 电容来进一步调整开关。

此致、

Anthony Lodi

电机驱动器（参考译文帖）

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[参考译文] DRV8350：MOSFET 高温会在高占空比中击穿

电机驱动器（参考译文帖）

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[参考译文] DRV8350：MOSFET 高温 会在高占空比中击穿

[参考译文] DRV8350：MOSFET 高温会在高占空比中击穿