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[参考译文] 《UCC5350:SiC 栅极驱动器设计问题》。

Guru**** 2380860 points
Other Parts Discussed in Thread: SN6501, UCC5350
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1485424/ucc5350-sic-gate-driver-design-questions

器件型号:UCC5350
Thread 中讨论的其他器件:SN6501

工具与软件:

您好!

我使用 UCC5350M 设计了一个栅极驱动电路。

向 VEE2引脚施加负电压是否会出现任何问题?
如果就电路设计提供任何技术建议或反馈、我将不胜感激。

该电路旨在与 SiC FET 搭配使用。

VCC2:18Vdc
VEE2:-3VDC

我非常感谢您提出任何见解或建议。

此致、

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    高泰珍

    在 VEE2上使用相对于 Q1_S 的负电压没有问题 这确实是使用隔离式栅极驱动器的好处。 由于输出级相对于输入侧的电压浮动、因此您可以使用隔离式电源。 这可以轻松转换为三级电源、以生成负关断电压、只需使用一个简单的齐纳二极管和电阻电路以及并联去耦电容器即可。  

     

    e2e.ti.com/.../NegativeBiasTurnoff.TSC

    我建议仍将 VCC2-VEE2电容器放置在最靠近 UCC5350的位置、因为这将保护上拉网络和下拉网络免受瞬态过压的影响。 您可以使用 SN6501和小型推挽式变压器为输出侧生成隔离式电源轨。

    此致、

    Sean

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    你好、Sean、

    感谢您的帮助!

    问题已成功解决。

    此致、

    Tae Jin