[参考译文] BQ40Z50-R2：更新关断命令/参数文件后、无法在 SMBus 上通信、无法唤醒芯片

您好！

继续我的调查,我再次坠毁我的第二个原型,现在我没有更多的卡可以使用。
环境是不同的。

在第二张卡片上、
1)我将固件升级到版本 v5.05(上个月的最新版本)
2)我加载化学物质
3) 3)我加载了参数文件
4)我做了明确的一生
5) 5)导出参数文件
6) 6)执行参数缩放(/2的 mA 和 CW、从而能够使用高达65000mA 的双倍电流、而不是32500mA)
7) 7)导入修改后的参数文件
8) 8)电流校准(bq studio 中1000mA 的2000mA Real)
该卡未连接到任何地方、既不连接充电器、也不连接负载

从那时起：
-主 FET 关闭
-如果我强制唤醒(系统电压,电池组,电池),芯片不再响应,不再有 SMBus COM
我不明白芯片为什么卡住而无法重新启动、以及如何对其进行复位
我指明卡在以前工作了几天。 这是从设置/校准的最后步骤,它不再工作,所以纯软件,但我没有看到确切的致命的步骤和停止的时刻。

因此、我损毁了2个不同的卡、它们的共同点是设置/校准

因为我无法在 SMBus 上通信(电路为静默)、所以我无法更改参数、擦除或下载固件。

我被完全封锁了。

如何恢复 SM Bus 通信? (测量仪表是否具有引导加载程序模式？)

为帮助进行分析、请访问随附的配置文件。 (我尝试上传.srec、但似乎不允许这样做)

e2e.ti.com/.../r5_5F00_250102_5F00_scaled.gg.csv

此致、

厘米

尊敬的 CM：

是否可以示波器探测器件的 TS1引脚以查看器件中是否存在明显的脉冲？ 这样我们就大致了解了监测计在此期间所处的状态。  

此致、

Anthony

您好！

我将示波器放在连接到10k NTC 的 TS1 (引脚10)上。

我将示波器设置为单次模式、以捕捉启动以来的任何内容(200mV/div、200µs 和100mV 正边沿触发器)

我没有看到任何内容、信号保留为0V。

我等待几分钟(因为 VSYS 通电至16V)。

则信号似乎是0V 永久。

此致、

厘米

(注意：为了与时区差相适应、您是否在德克萨斯州、即与法国相比-7h？
如果是这种情况、可用时隙：8-13h Texas --> 15h-20h France)

要添加更多调查信息、我今天继续搜索...

我拿出在开发卡之前使用的演示套件：bq40z50EVM-651。
我使用固件 v5.05升级了它

我试图加载一个稍微旧的参数文件(它工作,比上一个与崩溃相一致的旧),我得到了一个错误,所以它已经不是很正常。
这告诉我参数失败、似乎没有问题。 (我提醒您、此文件位于卡片中并且已正常工作)

所以：
-我从 TI 放回初始固件 v5.05 (以重新启动初始状态)
-我可以根据参数更改参数,更改​​初始 TI 配置文件(导出以进行比较)和参数文件之间的不同值。
-在写入整个文件时导致问题的参数是没有问题的写入(非常令人惊讶)

-我继续,这是当写"GasGauging \州\更新状态",写不起作用

我不知道参数的写入顺序、但我怀疑 bqstudio 中公布的错误与现实不符、这会让人在理解时感到困惑
目前我不敢拿最后一个可疑的参数文件、因为怕死芯片。

请参阅随附文件

-从固件 v5.05导出参数文件刚刚编程

 e2e.ti.com/.../TI_5F00_initial_5F00_5.05.gg.csv

-文件,无法编程后不久

e2e.ti.com/.../test_5F00_fail.gg.csv

此致

厘米

尊敬的 CM：

Unknown 说：

我继续说、写"GasGauging \ State \ Update Status"时、写法不起作用

正在尝试向更新状态写入什么内容？

如果可能、您可以尝试发送命令0x08并在此时读回0x0D、看看收到了什么？

BqStudio 不会立即打开、必须从弹出列表中选择器件、但仍然能够从器件发送这些命令。

另外、我们的团队位于德克萨斯州。

此致、

Anthony

您好！

对于更新状态、"golden file"(正在构建中)包含"enable"(启用)到1、其值为0x06、卡最初位于0x02

对于请求的测试、我执行高级 Comm SMB 操作：

1) 1)我连接的演示卡只有固件5.05、并带有默认参数

-->读响应= 0x000F

只是为了理解,这种测试的目标是什么?

参考文档、读取地址0x0D 处的字用于 RSOC。 值为0x000F、对应于15%(因为默认情况下3节电池的15V 电源、因此一致)

但是、cmd = 0x08是什么？ (为什么以前?)。 我尝试另一个值(如0x00和0x44)、我具有相同的读取工作0x0D 结果

2) 2)我让 bq studio 打开、并将 EV2400探针连接到另一个卡上、VSYS 由外部电源强制施加为15V 电压来为芯片供电。
CMD 0x08失败。 没有 ACK (正如我在票证开始时所说的、SMBUS com 保持沉默)

-您对芯片崩溃有何解释?

-是否有办法在引导加载程序中强制引导?

-您是否能够检测到我添加到 TT 的文件中的任何内容?

-你有一系列的行动或调查,以建议我可以执行的一天的时间差异?

此致

厘米

尊敬的 CM：

明白、我认为将其保留在0x06不存在任何问题、因为这表明学习周期已经完成。

1) 1)我连接的演示卡只有固件5.05、并带有默认参数

-->读响应= 0x000F

只是为了理解,这种测试的目标是什么?

参考文档、读取地址0x0D 处的字用于 RSOC。 值为0x000F、对应于15%(因为默认情况下3节电池的15V 电源、因此一致)

但是、cmd = 0x08是什么？ (为什么以前?)。 我尝试另一个值(如0x00和0x44)、我具有相同的读取工作0x0D 结果

2)了解、 发送0x08然后读回0x0D 的过程 是为了查看电量监测计是否处于 ROM 模式、我认为它不是基于接收到的值。 通常、如果监测计处于 ROM 模式、则器件会产生差异很大的值。

如果0x0B 此时为 NACK、则似乎此时通信存在问题、如您之前所述。 在这种情况下、当您说外部电源连接到 VSYS 时、这是电池组侧连接还是电池侧连接？ 如果是来自电池侧、则通过断开器件的所有电源以尝试重新启动通信来实现上电复位是否会产生任何影响？  

在之前发送的两个文件中、似乎使用了不同的固件版本(新文件为5.05、错误文件为5.04)。 如果数据闪存映射存在差异、我们不建议使用.gg 文件来对不同固件的电量计进行编程。 使用.srec 文件可以避免这种情况、因为该文件包含固件和数据闪存配置、因此我们建议使用该文件、因为版本不会混用。

此致、

Anthony

您好！

对 FW v5.05进行调查是在问题发生之后、在 FW v5.04上对票证中解释的问题进行了调查。
我输入固件5.05以查看是否存在功能差异。 我在 v5.04中得到相同的结果。
固件的次要版本演变似乎没有改变任何内容的参数文件(通过比较验证),所以确实值得报告它,但它不会改变任何先验。
(在我之前的设计中、使用此电量计和其他工具、我确实已经看到主要版本的映射可能会发生变化、因此我知道不应该将这些文件混合使用)。

关于通过 VSYS 上电、考虑到 FET 处于关闭状态、这允许为 PACK 引脚供电。
正如我所说、BAT 和 VCCFET 始终处于通电状态。 考虑到电子卡是不可接触的(将其焊和焊接/粘附到电芯)、我不能断开信号(VC1到 VC4)、但如果您回到票证开始时所做 BAT 的详细信息、您将看到我已通过分流(到 GND) PACK、操纵和 VCCFET 信号准确地尝试强制关断。 不幸的是,这没有改变任何, COM 没有回来。
因此、我怀疑固件在立即崩溃时启动、因此我提出了有关引导加载程序操作模式的问题。

随着机票信息的增长、我要提醒您：
-我建立了"黄金文件"从我的参考卡的出口,我定期(在几周...) 更改了参数(随着开发进度)
-当我在缩放后将文件重新导入我的卡(有> 30000mA ),卡在重新启动后不会重新启动
-我试图重新启动他们没有成功(通过 PACK, BAT, VCCFET ), SMBus com 保持沉默。

因此、我的问题是：
-当固件启动时,是具有引导加载程序功能的应用程序(因此是由应用程序管理以管理参数的引导加载程序),还是引导加载程序首先启动然后加载应用程序(在这种情况下,是否有办法留在引导加载程序中)?
-是否可能组合的参数值可能​​会在启动时崩溃固件的执行(例如 div /0,在阈值上阻止...)
-是否有可能在1个步骤中写入文件(所有的参数一次)可以崩溃,而构建的内存计划参数的 pram 不会导致崩溃(因为这也是我在我的最后一次测试与你提出的一个点)?

-您是否尝试将我的 gg.csv 文件加载到您的板上?

此致

C é dric

尊敬的 Cedric：

请理解、允许我们使用之前发送的.gg 文件来尝试重新创建问题。 固件编程时、bqStudio 会使器件进入 ROM 模式、然后向器件发送必要的信息。 我尚未看到更改单个参数会导致器件在编程时整体崩溃、但是参数的输入是否处于该参数的阈值范围内？

此致、

Anthony

您好！

如果是这种情况、应使用什么方法在引导加载程序(ROM 模式)中强制进行引导？

关于修改参数的问题、我从未有过软件的警报或限制、无论是在导入还是导出方面都是如此。 此外、当我在寻找问题可能是什么时、通过检查所有参数、我没有看到任何异常。
正是通过加载文件、您可以看到一些内容、因为您有源代码需要分析。

总结(每次换票都提出了几个要分析的独立要点)
-导入可疑的文件,然后重新启动导致卡崩溃
-按参数创建参数文件(在导出/导入之前)没有崩溃的卡
-导入另一个文件失败的参数是好的(当修改手动)
所有这一切都让我怀疑一次性写入文件时可能存在问题、固件会在内部管理某些参数组合。

最终的问题是,如何摆脱崩溃? 如何找到 SMBus 通信以便能够重新执行干净的 FW？

被完全阻止,我当然愿意接受你要求我做的任何操作或文件,以提供给你,以便尽快解除阻止情况。 我想要的是有一个非常集成、紧凑的电子卡、具有较大的焊接和胶合单元、几乎没有可访问的信号、而且芯片不能不销毁部分组件、这会非常昂贵。
我之前在"爆炸"中开发过、使用演示套件...、验证了硬件和固件操作、但在最终定稿时、我进行了真正的组装、在参数最终注入期间、我丢失了芯片。

感谢您的帮助、

此致

C é dric

尊敬的 Cedric：

很抱歉耽误您的时间、我没能在我们的一个 bq40z50 EVM 上测试失败案例.gg 文件。 首先、我尝试使用5.04 FW 来重现问题、从而获取发生情况的基准、我们连接了一个~11V 的电源、以模拟上面 bqStudio 图像中的情况。 电量监测计能够使用.gg 文件进行编程、但编程完成后会立即进入关断模式。

使用5.05 FW 执行此操作后、我们能够重现上述引发 ERETM 电压阈值错误的问题、并且电量监测计将立即投入关断状态。 但是、由于我们使用电源而不是电池、因此我们能够将电压升高到~16V、这样监测计就可以退出 SHUTDOWN 模式并进行通信。 此外、当我们使用16V 重新执行该过程时、对失败案例.gg 文件进行编程时不会出现问题、监测计可以正常通信。

在此基础上、我不认为电量监测计会崩溃、而是只能卡在关断状态、因为此时也会设置 SDV 位。 即使电量监测计被唤醒、如果最小电芯电压满足阈值、则仍然会进入 SHUTDOWN 模式。

是否 已在电芯电压处于充满电状态时执行此过程？ 此时的电压也是多少？

此致、

Anthony

您好！

我的配置是4s 或 x4 3.7V、这对应于14.8V 电池组(16V 充满电)、而不是11V (3S)。 因此、该参数文件适用于4S。

当问题发生时(仍处于当前状态)、电池将充满电、或每个约为4.10V、从而提供超过16V 的电压。 由于电池组处于非活动状态、它们没有放电、总电压仍然大于16V。

因此、我不知道为什么在本例中会激活 SDV 位。 在您的一侧、如果您为配置为3节电池的电池组提供11V 电压、这是正常的、但这与所研究的案例不符。

bqstudio 为11V 时的图像与我的文件不匹配、但正如我在注入参数文件之前所说的、固件 v5.05 (3S)的默认文件。 该屏幕截图对应于您要求我对命令进行的测试(在 EVM 套件上、然后在我的卡片上、其中的响应正处于失败状态)。 由于 BqStudio 无法再连接、我没有我的案例的屏幕截图。

要测试我的案例、您必须使用票证开头的文件、从而使用具有4S 配置的设置文件。

因此、您执行的测试与 TT 不对应。

我需要取消阻止这种情况。 目前、除了等待、我不能做任何事情...
关于引导加载程序、您能回答我吗？
所以,我也可以继续调查。

反映

C é dric

尊敬的 Cedric：

好的、感谢您的澄清。 我们已经重现了.gg 文件的编程问题、但在我们这边、我们可以关闭器件并重新启动、不会出现任何问题。 在这种情况下、由于使用的是4个电芯、因此应该没有必要唤醒器件、因为正在使用的4个电芯已充满电。 关于 SMBus 引擎、最好的重新启动方法是执行某种类型的复位、在这种情况下、唯一可能的方法是执行上电复位、由于很难从卡中取出电池、这可能是不合理的。   

如果是这种情况、应使用什么方法在引导加载程序(ROM 模式)中强制进行引导？

如果请求编程、电量监测计应以固件模式启动、然后转至 ROM 模式。 进入和退出 ROM 模式的过程(如果 SMBus 引擎正常工作)如下所示：

对于该难题、我们深表歉意、现在我们将继续查看.gg 文件以重新创建状态。

此致、

Anthony

您好！

1)当您说您设法重现问题时、您究竟在谈论什么问题？

我自己不知道哪一步正是导致问题,因为我不能再尝试,因为我不再有任何卡(所有崩溃)。 我已经完成了几个步骤(请参阅我之前的说明)
-参数文件没有完全加载,并在进行中中止,当它写在1 GO ?
-加载参数文件时固件崩溃?
-固件在校准后崩溃(SLUA760程序§2对于高电流系统)?
要获得此问题、必须结合多个因素。

2)这就是我怀疑的情况：应用程序首先启动、只有应用程序运行时才能切换到引导加载程序。 如果应用程序发生崩溃、引导加载程序将无法再访问、因为 SMBus 通信由应用程序管理("ROM 模式"命令是应用程序管理的消息)。
您确认吗？
在这种情况下、进入引导加载程序模式的硬件方法是什么、或者如何由外部程序员进行编程？ 这绝对是可能的。

3)重启 SMBus 引擎,当然这是目标,但在我介绍的情况下,它似乎在启动时崩溃。
同样、我试图按照我所说的那样、通过分流可访问的信号(即 BAT、PACK、VCCFET)来"强制"复位。 我无法访问其他信号。

这样做是否足够强制进行复位？

4)在之前的一条消息中、你让我监视模拟信号 TS1、显然它也具有逻辑功能(在 ROM 模式中)。 其他3个通道 TS2、TS3、TS4是否也具有横向功能(例如 ROM 模式)？ (必须有一种方法可以对空芯片进行编程)。

我的情况非常微妙、因为我已经完全组装 BMU、并且只因软件不再启动而断开、我唯一直接的需要是能够启动 BMU、这样我就可以在您使一切崩溃的同时进行分析和测试。 目前,我不能做任何事情(所有项目都被阻止),我必须等待你做测试,但它仍然可以持续很长时间...

此致

C é dric

尊敬的 Cedric：

当我们按照上述步骤尝试重现此情况时、包括输入 fail case .gg 文件、发送复位或关断命令以将电量监测计置于此状态、然后尝试恢复时、我们已经能够与该器件建立通信。 我们之前没有看到监测计仅通过参数配置进入此状态的情况、尤其是在 SMBus 引擎关闭的情况下。 我认为、由于这是可重现的、我们应该研究客户退货、因为他们此时可以查看物理器件是否存在任何问题。 TI 代表或 FAE 应该能详细介绍一下如何达成、如果需要详细介绍、敬请告知。

Unknown 说：

2)所以、我怀疑这就是：应用程序首先启动、只有当应用程序可以运行时才能切换到引导加载程序。 如果应用程序发生崩溃、引导加载程序将无法再访问、因为 SMBus 通信由应用程序管理("ROM 模式"命令是应用程序管理的消息)。
您确认吗？
在这种情况下、进入引导加载程序模式的硬件方法是什么、或者如何由外部程序员进行编程？ 这绝对是可能的。 [报价]

是的。 器件进入 ROM 的唯一方法是通过发送的命令、没有硬件入口可强制器件进入此模式。  

[报价 userid="281839" url="~/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1456735/bq40z50-r2-can-not-communicate-on-smbus-after-shutdown-command-parameter-file-updated-no-wake-up-of-chip/5609323 #5609323"]

3)重启 SMBus 引擎,当然这是目标,但在我介绍的情况下,它似乎在启动时崩溃。
同样、我试图按照我所说的那样、通过分流可访问的信号(即 BAT、PACK、VCCFET)来"强制"复位。 我无法访问其他信号。

这样做是否足够强制进行复位？

[报价]

同时通过对 BAT 和 VCC 接地切断电源应该足以导致复位、因为它们是器件的主要电源。

Unknown 说：

4)在之前的一条消息中、我让我窥探了模拟信号 TS1、该模拟信号显然也具有逻辑功能(采用 ROM 模式)。 其他3个通道 TS2、TS3、TS4是否也具有横向功能(例如 ROM 模式)？ (一定有办法对空芯片进行编程)。

该测试的目的是检查发生的脉冲量、以观察监测计的活动。 是否存在明显脉冲、如果是、脉冲周期可以让您了解如果处于范围之内、监测计处于何种模式。 这些引脚不能用于编程。

此致、

Anthony

[/quote]

您好！

再次感谢您的帮助。

1)为了重现问题,我认为重要的是要精确地重现每个步骤。 正如我所说,我不知道确切的时间是决定性的,但我知道的是,我已经使用电量计几个星期的一次性配置,校准测试,我删除并重新启动某些步骤几次(通常在开发过程中),一切都是好的,这是当我在"生产"模式(参数文件在1个步骤和校准/缩放)同时发生的问题。

从你已经设法重现的东西,即使你还没有完全的问题,你确定了什么? (因此关于生成问题的参数文件的加载、这也可能给我带来一些线索)

在 FAE 方面、我在法国找了家公司、没人。 TI 网站上没有可用的目录。 我曾尝试给 TI 法国打电话、但没有成功。 你是唯一要回答的人。

2)进入 ROM 模式的唯一方法是通过 FW (在 IAP 中)、而且没有替代的硬件方法、我对此感到非常惊讶。 因此、最细微的问题就已经结束了。 在我看来、这是芯片中的一个重大缺陷。

如何对空白芯片进行编程？

3) 3)好的、因此如果在我操作后 SMBus 引擎没有启动、那就没有希望了。

4) 4)好的、那么没有恢复编程的解决方案？

根据我现在的理解：
-无论问题将被识别,在当前状态下,没有办法重新编程一个崩溃的芯片。 因此、我没有恢复初始运行的解决方案。 所以我是否被迫破坏我的 BMU 才能接触和解冻芯片、并用新的芯片替换？
-那么,一旦芯片被更换(但 BMU 严重损坏),我将做什么,以避免再次陷入同样的问题?

从现在起,供应其他芯片,拆卸卡,更换芯片的时间,至少是1到2周的延迟。

--- 从今早开始的附加信息----

5)

所以,今天我试图单独前进。 我拆除了一个 BMU、因此为了恢复 PCB、对电池进行了一些拆分。

我分析了 PCB、无硬件问题、所有组件(二极管、晶体管...)状态都良好。
我通过1k 分压桥(4x 1k 串联)模拟4节电池、将 PCB 连接到实验室电源(16V)。
- BAT =~15.5V
- VCC =~15.7V
- PBI =~15.2V
- PACK :切换到 BAT 到 WAKEUP
- VC1到 VC4 :每个~4V
-外部平衡不导通
- TS1到 TS4, PTC :无电压
-芯片仅连接到 SMBus 和 EV2400
- SCL/SDA 在范围内验证(在3.3空闲,时钟和数据发送由 PC )
-没有通信(仍然是相同的观察)
-电源提供20mA 电流。 知道分压器桥消耗4mA、这将意味着芯片消耗16mA (我通过断开网络电源来移除硼的其他电路)。
根据文档显示、芯片在"正常的" 1mA 功耗、所以很明显有什么异常。

永续"复位"的芯片能不能有这种类型的功耗？

--------------------------------------------------------

此致、

厘米

尊敬的 Cedric：

1)为了重现问题,我认为重要的是要精确地重现每个步骤。 正如我所说,我不知道确切的时间是决定性的,但我知道的是,我已经使用电量计几个星期的一次性配置,校准测试,我删除并重新启动某些步骤几次(通常在开发过程中),一切都是好的,这是当我在"生产"模式(参数文件在1个步骤和校准/缩放)同时发生的问题。

从你已经设法重现的东西,即使你还没有完全的问题,你确定了什么? (因此关于生成问题的参数文件的加载、这也可能给我带来一些线索)

在 FAE 方面、我在法国找了家公司、没人。 TI 网站上没有可用的目录。 我曾尝试给 TI 法国打电话、但没有成功。 你是唯一要回答的人。

根据我们到目前为止重新创建的内容、我们已经能够让 bqStudio 生成相同的误差、在此误差中将不会使用.gg 文件对 ERETM Voltage Threshold 进行正确编程。 在收到我们团队的审核后、我得知、在使用.gg 文件进行编程时偶尔会发生这种情况、但在使用.srec 进行编程时不会发生这种情况。 在此基础上、我们尚未找到将监测计置于从您身边观察到的状态的原因、但我们将重新尝试使用完整的生产方法来查看这是否能够生成。

关于 FAE、我已联系我们的欧洲团队、尝试找到一个您的名字、以便就退货事宜与其联系。 根据所看到的症状、如果我们无法从最后重现问题、我认为这是最好的选择

Unknown 说：

所以、今天我尝试独自向前推进。 我拆除了一个 BMU、因此为了恢复 PCB、对电池进行了一些拆分。

我分析了 PCB、无硬件问题、所有组件(二极管、晶体管...)状态都良好。
我通过1k 分压桥(4x 1k 串联)模拟4节电池、将 PCB 连接到实验室电源(16V)。
- BAT =~15.5V
- VCC =~15.7V
- PBI =~15.2V
- PACK :切换到 BAT 到 WAKEUP
- VC1到 VC4 :每个~4V
-外部平衡不导通
- TS1到 TS4, PTC :无电压
-芯片仅连接到 SMBus 和 EV2400
- SCL/SDA 在范围内验证(在3.3空闲,时钟和数据发送由 PC )
-没有通信(仍然是相同的观察)
-电源提供20mA 电流。 知道分压器桥消耗4mA、这将意味着芯片消耗16mA (我通过断开网络电源来移除硼的其他电路)。
根据相关文档、芯片"正常" 1mA 功耗、所以很明显有异常。

总之、当电池被移除时、这将使器件进入完全断电状态、然后使用 PACK-BAT 开关重新启动并连接到 bqStudio。 在大多数正常情况下、此操作会重新启动与器件通信的 SMBus 引擎。 这些以及更高的消耗电流使我相信、在物理设备内部可能会有某种东西、可以通过退货进行调查。

此致、

Anthony

您好！

1) 1)好。 然后.gg 文件编程可能会破坏某些内容。 由于存在已知的问题、我可能遇到了新的问题。 我正在等待您的分析。

在开发阶段、srec 文件不可用、因此仅可用于"完整"生产。 即使在当前阶段、它也是我需要的 gg 文件。 特别是由于校准问题(如果有问题)是在使用 srec 文件之后发生的。

好的、我正在等待 FAE 联系、谢谢。

因此、对于"退货"、您应该知道如何将芯片安装在其中一张卡上(我将把它焊出来)并与它进行通信以分析存储器内容？

2)怎么样?

3)就我而言,我有计划地用操纵把我的牌砸了,所以你应该能够重现与我相同的问题

4)怎么样?

5)是的,这是完全正确的。 完全断电、随后实验室工具有条理地上电、以及 bqStudio 连接失败。

为了你的信息,下周我会有困难回答你,因为我不会在办公室。 尽管如此,我会尽量遵循票,但如果有必要操纵,我将没有可用的材料。

此致

C é dric

尊敬的 Cedric：

在开发阶段、srec 文件不可用、因此仅可用于"完整"生产。 即使在当前阶段、它也是我需要的 gg 文件。 特别是由于校准问题(如果有问题)是在使用 srec 文件之后发生的。

好的、我正在等待 FAE 联系、谢谢。

因此、对于"退货"、您应该知道如何将芯片安装在其中一张卡上(我将把它焊出来)并与它进行通信以分析存储器内容？

根据了解、如果在校准后被拉取、.srec 将包含校准结构。 关于 FAE 联系人、我与法国团队有联系、很快应该为您提供一个名字。 他们还希望确认是通过 TI store 还是通过供应商购买？ 当我们处理客户退货时、需要执行多个步骤、但第一个步骤是使用插座板(我们可以直接将您的器件放入插座板)验证问题、然后在器件上执行其他测试来检查内部功能。

在生产方面、我相信芯片是从 ROM 模式收到的、然后编程了必要的固件。 我可以查看此内容以了解更多信息。

目前、如果 SMBus 引擎出现故障、我认为无法与器件进行通信、也无法将器件从这种状态下拉低、内部会发生一些情况。

此致、

Anthony

您好！

感谢您的反馈。

因此、我不会选择更换所有的筹码、但正如我所说、我会怎样做、因为我肯定会回到同样的问题、即用一个错误的设置来阻止执行。
a)因此、确定问题对于不重现这些影响并使我能够继续工作至关重要。
b)对崩溃的分析、这对我来说是独立的辅助方法、然后将是纠正 FW、使其不会因设置错误而崩溃的方法

购买芯片时、我无法立即提供答案、但如果它不在商店、可以通过 DigiKey 或 Mouser 进行选择。

我正在等待法国的支持

此致

C é dric

尊敬的 Cedric：

理解、如果通过经销商购买器件、那么我认为需要联系他们以完成客户退货表。 如果他们是通过 TI.com 购买的、我们就能够处理。

此致、

Anthony

您好！
在这里、我们将完全摆脱技术问题。
无论您如何购买组件、它完全不会改变问题。 我不明白为什么我们要讨论这个问题。
我们可以回到主题 a)和 b)吗？
此致
厘米

尊敬的 Cedric：

我询问此信息的原因是为了了解应如何处理客户退货。 基于这种情况、对单个参数或.gg 文件进行编程、 或者测量仪表处于固件模式还是 ROM 模式、在任何情况下都不应导致器件的 SMBus 引擎崩溃。  关于校准步骤、如果配置的阈值低于当时应用的2000mA 并关闭 FET、这可能会导致触发保护或永久失效、但此时电量监测计仍无法进行通信。

此致、

Anthony

您好！
客户反馈处理模式是我的详细信息、这仅涉及主题 b)。
主题 b)是第二个分析步骤、它允许固件强化以纠正错误(从长远来看、适合您的发布)、但如果您重现问题、无需我的芯片、因为您将拥有相同的东西与您的芯片。

此时、需要解决的是主题 A)。 鉴于我很容易将我的卡与文件和校准崩溃、没有理由不应该有相同的东西。 要做到这一点,你必须复制我的步骤,我提供给你的细节。

您在哪个步骤停止了、您想了解更多详细信息吗？

我很快就会收到新的芯片来重新生成一张卡、因此如果需要、我可以使用详细的步骤重做崩溃、但我已经给出的芯片在我看来已经很详细了。

此致、

C é dric

您好！

今天、我收到了 Mouser 提供的新芯片。

我更换卡上的芯片。 我上电并连接 EV2400。

与 BQ Studio 的通信正常。

因此、只需更换组件就足够了、这表明卡没有问题。
那么现在卡可以再次使用,我该怎么办,那么你发现什么不重现相同的崩溃?

我尚未对任何内容进行编程(固件或参数均未编程)、它处于"出厂"状态

此致、

C é dric

尊敬的 Cedric：

Unknown 说：

在第二张卡上、
1)我将固件升级到版本 v5.05(上个月的最新版本)
2)我加载化学物质
3) 3)我加载了参数文件
4)我做了明确的一生
5) 5)导出参数文件
6) 6)执行参数缩放(/2的 mA 和 CW、从而能够使用高达65000mA 的双倍电流、而不是32500mA)
7) 7)导入修改后的参数文件
8) 8)电流校准(bq studio 中1000mA 的2000mA Real)
卡未连接到任何设备、充电器和负载均未连接

我已经使用一个全新的芯片重新启动测试、对 R5固件进行编程、手动输入 test_fail.gg 文件中的每个值、 导出.gg 文件、并在直接对该.gg 文件编程的同时再次重新启动该过程。 我没有看到任何问题、我将缩放参数、然后进行校准。 为了确认、缩放的参数是第一个发送的.gg 文件 r5_250102_scaled.gg.csv 中的参数？ 为了保持完整性、这里使用了什么 chemID？

此致、

Anthony

您好！

今天、我也在我这边进行了类似的测试。
对于"干净"的芯片、通过加载 TI v5.05的 FW、当我加载"未缩放的"文件、然后"缩放的"时、表示存在 Bq Studio 错误、但直到崩溃才能继续。

您描述的过程(您的过程、从一开始就不是我的过程)遵循我们在调查期间首次发布后所做的测试、但仍采用不同的方法。 然后,你向我确认,这是一个已知的问题,不一定在这种形式,但密切相关,这是一个线索,以一个更深的 bug。

对于最初的票证(您提到的)、我还尝试在新芯片上重现它。 我没有成功地复制,我不知道为什么,但初始条件是非常不同的,我有一个印象,一切都在细节。 事实上,在这里我正在加载一个"干净"的芯片,而在12月我做了一系列的更新,一个单一的参数化(1乘1 ),进口/出口,命令发送( LT 复位,重置,关机...). 我一定要有一个关键的步骤,我必须错过,这是非常令人沮丧的。 我继续调查。

实际上、缩放的参数确实位于所述文件中。

对于化学物质、在12月和1月、我刚刚开始使用芯片/FW 的默认化学物质、然后加载了另一个(0x1241、但我不确定了、我无法查询芯片以进行检查、因为它不会响应命令)。

问题似乎非常深刻和邪恶,我怀疑一个非常具体的一系列行动,但我目前不能把自己放在确切的背景下。

此致

C é dric

尊敬的 Cedric：

Unknown 说：

对于初始票据(您提到的)、我还尝试在新芯片上复制。 我没有成功地复制,我不知道为什么,但初始条件是非常不同的,我有一个印象,一切都在细节。 事实上,在这里我正在加载一个"干净"的芯片,而在12月我做了一系列的更新,一个单一的参数化(1乘1 ),进口/出口,命令发送( LT 复位,重置,关机...). 我一定要有一个关键的步骤,我必须错过,这是非常令人沮丧的。 我继续调查。

理解、感谢您确认 chemID 编号、如果我从干净的芯片开始、那么我无法重现任何代表先前看到的问题的东西。 我还将继续执行不同的操作、以查看可能导致此显示的流程顺序是否有任何差异。

此致、

Anthony

您好！

自上一条消息以来、我一直在继续调查。
我已经拆除了我的另外2个原型,试图想象其他方法的测试,以便交叉参考方法,因为我不知道我在寻找什么确切的方法。
于是我逐步拆除、并定期测试与 PC 的 SMBus 通信。
#在一张卡片上,我做了同样的观察与第一,
   -断电(总数-->拆卸的单元),然后上电(使用实验室电源/分压桥)没有恢复运行
   -"简单地"用新的芯片替换芯片就足以重新启动卡,所以没有必要修改或修复硬件。
   -拆卸的芯片卡住。

#在另一张卡片上,它是更有趣的
   -卡卡住,没有 SMBus COM ,所以相同的症状。
   -正如我在初始报告中提到的(见票的开始)在月初,我无法断开电池(没有造成损坏)
   -所以, VC1到 VC4仍然保持连接,但我设法将 PACK、VCC 和 BAT 信号分流到0 (同时)。 但卡仍然保持沉默...
   -在那里,我分阶段分解(没有任何真正的具体目标,但我看了一切,产生的想法)
   -我最终从( VC4, VC1, VC3, VC2,在这个顺序,因为机械组装)
   -我不得不断开 SMBus 的4个电池 时间回来、 我不相信!

所以
-我有2个不工作的芯片,更换
-我有一个芯片,重新启动通过完全断开所有电池

在2个芯片上、我确实做了几个操作、造成 FW 崩溃、但在能够重启的第3个芯片上却没有成功。 在本阶段、我无法确定在这3张卡片之间能够采取的行动的详细情况、这3张卡片是区分它们的。

关于化医,正如前面所说,我有一个疑问。 在该卡上(通过命令读取)、它是0x1189、对应于8460mA 的一个单元格、与引用0x1241 (4000mA)相比较。 这是因为我在做一些测试时考虑到我使用了 x2校准、并且我试图查看初始化学物质在实际值或缩放值上的差异(这仍然是一个未决问题、但这只是在解决崩溃问题后才感兴趣)

我强调两点：
1)从这一点,尽管有强制的 BAT, PACK 和 VCC 为零,它在我看来是一个事实, VCX 的永久连接防止重新启动的测量仪表,尽管说了什么。
我再次查看了数据表、VCx 通道已连接到 ADC、但没有看到钳位二极管、那么内部电路实际如何？

根据我的发现、VCx 输入为电量计维持内部电源、从而防止其断电(从而无法重新启动)

2) 2)我看到2个失败结果：完全和部分崩溃
在已重新启动的卡上、以便我可以读取参数并导出.srec、我就是这么做的。 所以现在我们有一些东西要分析,即使这显然不是最坏的情况(总的坠毁寻求)。
但是、这对于了解发生的情况非常有用、并且可以推断其他2个电量监测计上可能发生的情况。
如果可以分析、我保留了2个崩溃的测量仪表。

你认为下一步,如何发送你的 srec 文件(不是 authoriezd 下载)?

此致

C é dric

e2e.ti.com/.../params_5F00_survival_5F00_card.gg.csv

尊敬的 Cedric：

我联系了我们的硬件团队、检查器件的 VC1-VC4引脚和电源引脚之间是否存在内部关系、他们确认两者之间在内部没有路径。 除非这些引脚之间有外部路径、否则不应进行交互。 但是、此时器件的 PBI 引脚也需要接地。  

关于第二个主题,我将向你发送一个朋友的请求发送.srec 在私人信使,应该允许它发送。 对于.gg 文件、 您能否确认是否启用了寿命功能？ 如果是、电量监测计将跟踪电量监测计数据闪存中的某些值、适用于无法记录问题的此类情况。

此致、
Anthony

您好！

关于 VC1到 VC4、我不明白为什么他们的断开会允许重新启动、因为它们是唯一几周仍保持连接的信号、而其他信号则被关闭。
我没有任何外部路径、电芯通过 app.note SLUA420等外部平衡分别连接到 VCx
在拆卸之前无法访问 PBI 管脚(芯片附近有短信号、非常闭合)、无法强制它为零、但由于我等待了很长时间(几天后又进行了测试)、电容器电压最终会被抵消。
为了跟进您的 PBI 备注,尽管 VCX 引脚和电源之间没有"直接"内部路径,但是否仍有"寄生"内部路径可以保持 PBI 上极少电流的残余电压?

我比较了原理图
-数据表原理图
-应用手册 SLUA420原理图(外部平衡)
- SLUUAV7B 示意图(EVM 套件)
我找不到任何区别,除了 PBI Capa 在10µ 的,而不是2.2µ(然后更好)。 (在 SLUA420中、有一个与 VCC 串联的额外二极管、但我没有看到任何关于其用途的信息...)。

同时、我将 srec 文件附加到私有消息以及 VCx /电源原理图上。
我已经激活了生命周期、但考虑到固件更新、加载参数、加载化学物质、发送命令和崩溃之间只有几秒钟、日志是否有时间记录内容？

此致、

C é dric

尊敬的 Cedric：

我无法接收私人信使发送的.srec、接收"不支持插件的问题"是否可以将其放入 zip 文件中并发送？ 发送 zip 文件应该没有问题。

当接收到.srec 时、我将查看是否可以重新创建该文件、以及此时是否可以从生命周期查看任何内容。  

此致、

Anthony

您好！
好的、我认为网页不想播放视频、而不提供下载链接。 太糟糕了,我什么都没浪费时间。
我已再次以私密消息格式将文件发送给您、格式为 zip 和 txt

关于原理图、您能看到我的发言吗？
- PBI 电容器
-在 VCC 上添加了二极管(在应用手册中)
-从 VCX 的寄生路径(间接)

此致

C é dric

尊敬的 Cedric：

感谢您的 zip 文件、我们能够接收.srec。  

Unknown 说：

固件更新、参数加载、化学加载、命令发送和崩溃、

只是为了确认,这是一组正在完成的操作,可以从您的终端重现崩溃? 遵循这一做法、我们无法重现此情况、但在观察 srec 的参数时、似乎在从器件拉取.srec 之前发生了6次完全复位。 当器件处于应用中时、从器件读取信息的速度如何？

关于 PBI CAP、我们的硬件团队提出的原因是 PBI 能够保持很长一段时间的充电。

有关 VCC 上二极管的信息可以在下面找到：

我认为不存在可能导致这种情况的寄生路径、但可以咨询我们的团队。

此致、

Anthony

您好！

a) SREC 文件
-事实上,崩溃似乎是几个条件的组合,这就是为什么它的实现不是明显的你。 我自己有变体,而困难是确定步骤或细节是重要的。
正如在票中所说的,我使用了几个星期没有问题的卡片,与许多独立的迭代参数发展(单元),发送命令... 最终、我想一次性完成所有操作以进入量产条件、这就是崩溃的地方(立即配置参数文件、化学加载、电流调节、关闭命令发送、所有这些都需要 BQ Studio...)、而且无法准确地告诉您确切的序列。

-在参数/化学文件中肯定会有某些内容导致问题,或命令不兼容(校准/缩放、寿命、重置、关机等)。 在配置中...

-关于重置,这是可能的,行为之前的完全关闭是混乱的,我似乎已经注意到重新启动

-关于 SMBus 请求的频率,当系统启动时,我的 n ü µC 快速链接,但始终在前一个事务完成后(如 BQ Studio ),然后当系统处于活动状态时,刷新最多是一秒的顺序。 该操作已经存在很长时间、我将其用于开发多年的其他测量仪表。

b) PBI
"非常长"一词具体是什么意思？ 对于我的器件、我在几天/几天后检查了系统... 直到最后一次干预

c) PACK、VCC 和 DIODE
阅读你的摘录,这引起了我的注意,因为它不符合我所拥有的。 通过更加仔细的分析、您指的是最旧的数据表、通过与最新的数据表进行比较、我们可以看到不同之处：
-我尊重 PACK 上的10k 和 VCC 上的100R
- VCC 输入端有一个内部二极管、不需要外部二极管

二极管呢、有吗？

d)寄生路径
无论如何、我都注意到、几个星期后、只有 VCX 仍然连在一起、断开它们的简单事实就足以让之后插卡重新接通、所以芯片内部肯定会出现一个电子现象。

此致、

C é dric

您好！
您是否能够澄清最后提出的要点？

此致

C é dric

尊敬的 Cedric：

-事实上,崩溃似乎是几个条件的组合,这就是为什么它的实现不是明显的你。 我自己有变体,而困难是确定步骤或细节是重要的。
正如在票中所说的,我使用了几个星期没有问题的卡片,与许多独立的迭代参数发展(单元),发送命令... 最终、我想一次性完成所有操作以进入量产条件、这就是崩溃的地方(立即配置参数文件、化学加载、电流调节、关闭命令发送、所有这些都需要 BQ Studio...)、而且无法准确地告诉您确切的序列。

-在参数/化学文件中肯定会有某些内容导致问题,或命令不兼容(校准/缩放、寿命、重置、关机等)。 在配置中...

-关于重置,这是可能的,行为之前的完全关闭是混乱的,我似乎已经注意到重新启动

-关于 SMBus 请求的频率,当系统启动时,我的 n ü µC 快速链接,但始终在前一个事务完成后(如 BQ Studio ),然后当系统处于活动状态时,刷新最多是一秒的顺序。 该操作已经存在很长时间、我将其用于开发多年的其他测量仪表。

我同意、这对我们来说很难重现、因为这些功能都不会导致电量监测计崩溃、我们也没有看到它们的组合会导致崩溃。 正如我们之前讨论过的,这也是极其困难的重现,因为我们不知道确切的行为链,以及在这之间的时间,这导致这发生在你的最后 关于重置、导致重置发生的时间或操作是否一致、或者它们是否零星存在？ 还感谢您确认频率。

Unknown 说：

"非常长"一词具体是什么意思？ 对于我的器件、我在几天/几天后检查了系统... 直到最后一次干预[/报价]

我不确定具体的时序、但由于通常连接了一个2.2uF 电容器、因此在其他电源输入接地的同时、需要消耗该元件的所有电流。

Unknown 说：

c) Pack、VCC 和 DIODE
阅读你的摘录,这引起了我的注意,因为它不符合我所拥有的。 通过更加仔细的分析、您指的是最旧的数据表、通过与最新的数据表进行比较、我们可以看到不同之处：
-我尊重 PACK 上的10k 和 VCC 上的100R
- VCC 输入端有一个内部二极管,不需要外部二极管

我相信关于内部二极管的问题、您是正确的、但是我需要向我们的硬件团队确认、这是该二极管的位置。

[报价 userid="281839" url="~/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1456735/bq40z50-r2-can-not-communicate-on-smbus-after-shutdown-command-parameter-file-updated-no-wake-up-of-chip/5644309 #5644309"]在任何情况下、我注意到几周后、只有 VCX 仍处于连接状态、断开连接这些 VCX 的简单事实足以让卡重新打开、因此必须发生芯片内部的电子现象。[/quote]

我认为器件的供电系统和 VCx 输入之间不应存在交互、为了确认这是否由寄生路径引起、需要进行更广泛的测试。

此致、

Anthoyn  

您好！

a)复位
关于复位、它们发生在完成所有序列(固件更新、参数、化学成分、缩放、命令)之后。 从记忆,他们发生非常快(所有在不到几秒钟)。
我的鸡巴在她的屁眼里滑了出来,我就感觉到她快要喷发了。
除了问题之外、如果电量监测计尚未完成内部启动、那么在电量监测计引导时接收到的命令是否会被误解？

b) PBI 电容器时序储备
当然,这是一个储备,但我们所说的数量级是什么? (分钟、小时、天？) 我 µA 它与待机功耗有关、但不知道数量级、NA、Δ I、只有您可以回答。 此外、 内部漏电流、我们将得到大约100毫安的电流 PBI 消耗量、PBI 电容器的电压 损耗 切换、绝不返回到零。

c) PACK、VCC 和二极管
考虑到这一因素以及之前讨论的要点(如漏电流、PBI 电容器)、在我看来、事实上、有几个点值得 HW 团队进行澄清、因为并非所有内容都是明确的、并非所有内容都是足够详细的。 另一方面、我怀疑漏电流以及芯片内部的设计可能会影响复位功能正常工作。

d)同样、这条评论是硬件团队的责任。 根据我的经验、在这里、耦合到其他类型输入(因此肯定是非常复杂的交互、例如具有多条路径的 VC4和多路复用器)的输入肯定具有高阻抗、但我们总是会在电路其余部分的某个位置发现钳位。 在大多数组件文档中、都显示了钳位文档。 如果在方框图上没有清晰地画出它、我们可以借助"最大额定值"的指示来进行假设、例如、当我们表示+/-0.3V 时。 此处、VCX 的上限取决于它们之间的 VCX 以及与电源相关的每个 VCX、因为 VCX VSS 38,030对应于 VCC (通过 BAT...)。

VSS + 30是否为" VCC "或" VCC + 0.3V"？ 在这种情况下、当电源< 30V...时、它会更改一切

z)、接下来会怎么做？
现在、具体地说、我该怎么办？ 我不能继续等待,项目被阻止,我不知道如何延迟。 我把一切分开,修理损坏的东西,恢复芯片,我准备重新组装一切继续.
我想帮助你做更多的操纵,你会问我(如果可行),但在国家我看不到其他什么做,我已经做了这么多的研究。
-硬件团队能否快速做出决定? (我应该考虑架构演进吗？)
-对固件及其配置做什么,缩放过程?
-发送命令的建议/限制是什么?

此致

C é dric

您好！

最近几天,我一直在努力恢复我的 BMU。
我已修复/重新组装卡、并从以下位置重新准备 golden 文件：
-最新固件5.05
-一个足够的参数
-化学
-默认校准
我没有做任何缩放,我降低了我的负载的功率已经有一个更简单的情况管理,即"正常" 1 : 1比例

我注意到一些非常有趣的东西:我设法崩溃了一个测量仪表(其中三个),也就是说,它崩溃了(如12月),它没有重新启动!
我必须拆解电源信号才能使其重新启动。 它会再次工作。 移除电源允许重新启动。

就在组装电池之前、监测计的工作原理是、我已经通过实验室电源上的分压桥仿真4x 电池来测试通信(使用 SW BqStudio)。
在焊接电池后、电量监测计才停止工作。

与12月相比仍然存在差异、但故障是立即发生的、而上次卡在使用软件执行操作后关闭(永久)。

我用点焊机焊接电池端子(特定于电池,所以一个真正的调整机器)。 它是低电压/高电流焊接(用于焊接镍焊盘的经典焊机)

因此我怀疑仪表对 EMC 效应敏感,如电场/磁场,我知道什么...它的内部电子器件是锁住的。 这又回到了我之前的帖子、其中我们想知道输入的钳位。 在我看来,这一观察似乎与我的怀疑密切相关...

因此,硬件(因此夹具)似乎非常相关的我...

此致、

C é dric

您好！

我今天继续在昨天的延续,我注意到,一个 BMU 再次被关闭。
这些症状让我在分析中取得了显著进展。

以下是观察结果：
-功率输出为0、因此 FET 关闭
-与 BQStudio 的连接工作,幸运的是,它允许了解发生了什么
FET 上的操作(命令)没有任何操作, FET 保持关闭,尽管 FET 处于开启状态。
-显示日志(Power、PF、BBR) 部分复位事件 、Watchdog (看门狗)、T°和 数据闪存损坏 . (如有必要、可保存配置和 srec 文件)

-无法重新编程 FW,立即出错

无法进行编程、但我可以阅读(非常奇怪...)。 在"Registers"选项卡中、我注意到异常值：
- TS3在-53°时,探针正常,实际 T°约为24°
- BAT 引脚为19V、而所有电池均为16V
- PACK 引脚电压为4.7V、而 FET 关断

然后,通过操作 NTC TS3探头(将几厘米的支腿折回电池上的探头),这3个值​​恢复正常! 控制功能再次发挥作用、FET 被激活。

因此、从仪表的内部电子设计角度来看、多个输入之间存在一个连接(钳位或其他路径)、并且整个操作会中断。

因此、我更准确地研究了这个问题的根源。 与其他3个0V NTC 探头不同、TS3探头在4.0V - 4.2V 的范围内波动(如果您不知道、这并不对应于3.9V 的电池电压)。
我使用软袋细胞,外包(虽然绝缘)具有非常低的泄漏电流在粘附边缘(凸出的边缘的软袋连接)当探头腿靠在它,令人难以置信!

当我将电压表置于包络边沿时、我没有4V、我可以看到1V 至2V 的可变电压(取决于触控探头)、那么会出现泄漏电流... 4V 可能通过内部电量监测计路径创建
这种极低的泄漏电流足以引起电量监测计的故障。

基于以上观察结果、我想知道之前是否并非如此、根据与泄漏电流相关的探头、它会损坏测量仪表、或者只是使其崩溃。
在任何情况下、输入都不像数据表提到的那样"悬空"且独立、所有通道之间确实存在内部电子链路。

此硬件危害会导致其他两个硬件影响(其他损坏的输入)、还会导致软件影响、因为我可以读取但无法写入！

好的、我可以继续向前、我隔离了引脚！
您能否将此(和昨天的评论)转发给 HW BE 和要计划的解决方法、谢谢吗？

顺便说一句、我寻找了保护 TSx 输入(例如 ESD)的任何建议、但我没有找到任何建议。 您有任何这方面的信息吗？

我觉得现在这将解除对分析的限制、因为这将打开一个有形的、可重复的分析。

此致、

C é dric

尊敬的 Cedric：

抱歉耽误您的时间、感谢您在调试过程中提供的详细信息。 我将这些细节带给我们的硬件团队。

Unknown 说：

因此、我更准确地调查了此问题的根源。 与其他3个0V NTC 探头不同、TS3探头在4.0V - 4.2V 的范围内波动(如果您不知道、这并不对应于3.9V 的电池电压)。
我使用软袋电池,当探头支腿靠在它上时,外部封套(虽然是绝缘的)在粘附边缘(软袋连接的突出边缘)具有非常低的泄漏电流,令人难以置信![/报价]

在另外三个看到0V 的 NTC 探头上、是否有脉冲？ 当监测计处于 NORMAL 模式时、每1s 应该有一个脉冲用于测量。 我的理解是、TS3引脚通过一个可以反馈回引脚的外部连接被升高到~4V？ 我将与我们的硬件团队核实、以了解这种情况下监测计可以置于何种状态。

此外、请仔细检查是否有任何 ESD 措施可在此处实施。  

此致、

Anthony

您好！

在过去的两周中、提出了几个问题、最新信息似乎表明、尽管文档中没有提及任何问题、但寄生硬件再供电路径似乎仍然存在。
提醒不明确的要点：
- VCX 输入钳位(路径方案?)
- TSx 输入钳位(路径方案?)
- PBI 电容,保持电流(不返回零),推荐的间隔?
- VCC 内置二极管?
- PACK、BAT、VCC、TSX、VCX 之间的路径?

深入探究后、TSx 输入以内部1.8V 稳压器为基准。 这个"低"电压向我暗示它可由内核使用、因此可能是闪存。 鉴于 BBR 已记录闪存损坏、我想知道 TSx 输入故障是否会再次通过内部寄生路径(内核过压、寄存器损坏...)通过其存储器损害固件的完整性。

如果所有 ADC 通道都以 Vreg (1.8V)为基准、因为我发现 TS3上的异常电压对 PACK 和 BAT 有影响、因此存在内部路径。

当 TS3出现故障时、我没有注意其他3个 NTC 探针上是否存在脉冲信号。 因此、我不知道如何在不重新创建此故障上下文的情况下进行回答。 另一方面、在 BqStudio 中、其他3个测量是有效的(我肯定是检查过它们、这是我开始确定问题的方法)、因此我们可以假设已经进行了测量。

对于在 TS3上观察到的电压约为4.0V-4.2V (该电压在接近第二个的时段内波动……)、我认为这是电量计内部路径和接触袋边的漏电流之间的组合、因为在电池包络边缘的直接测量会产生接近伏特的漏电压、很难测量电压表的简单测量阻抗足以"吸收"漏电流、 因此、电流看起来非常低、但足以干扰监测计。

因此、是的、我想知道如何保护输入。 由于 NTC 的测量是直接的、因此任何引入的电阻或滤波器都可能会破坏测量结果。 如果没有其他元件、ESD 二极管将是无效的、因此需要低于 Vreg 的保护电压... 直观地说,我目前看不到一个解决办法,而不知道监测计的内部功能

此致、

C é dric

尊敬的 Cedric：

我不确定能否分享监测计内部功能的准确路径方案、但我会联系我们的硬件团队了解哪些可用方案。

关于 TS 引脚、我发现了其他连接可能导致反馈到 TS 引脚的问题。 从我与我们硬件团队之前的一次对话中可以看出、 TS  引脚具有连接到内部1.8V 稳压器的内部二极管。如果它们通过电源反馈进入稳压器、则可以使监测计进入奇怪的状态。

Unknown 说：

因此、是的、我想知道如何保护输入。 由于 NTC 的测量是直接的、因此任何引入的电阻或滤波器都可能会破坏测量结果。 如果没有其他元件、ESD 二极管将无效、并且需要低于 Vreg 的保护电压。[/QUOT]

我同意你在这里的发言。 是否可以使用任何器件来阻断电池和热敏电阻之间的潜在连接点？

此致、

Anthony

您好！
感谢您的反馈。

首先,什么是好的是硬件团队同意,我的东西和描述确实存在,它可以导致我注意到的问题! 确定原因已经非常重要,它使我们能够知道发生了什么,现在在哪里进行干预。
从我通过测试观察到的情况：
-当磁芯受到漏电流的影响时,根据反馈电平,磁芯会迅速而永久地崩溃。
-在较低的层次(我的假设),并且根据收到的 SMBus 命令,或定期的内部日志写入,闪存可能会被损坏(数据区域和代码?),因此延迟的故障。
最后、环境非常复杂、影响本身难以解释、"相当基本"和难以确定硬件原因会对遥远的功能造成硬件和软件的危害；更不用说、我害怕不会认真对待、因为很难重现问题、从而被遗忘。

我已经绝缘了 TSX 连接。 这样的保护就像直接漏电流一样。
另一方面、它无法防止 EMC 干扰。 这对 VCx 和 TSx 通道都有影响。
例如、我可以将多大的电容值与热敏电阻并联以在不降低测量质量的情况下削波 EMC 冲击(时间常数)？ 这只是一个原则的例子,我正在寻找保护手段,这里非常简单,你有更有效的解决方案建议?
此外、关于 PBI 和内部二极管、仍悬而未决的问题又如何呢？

尽管我知道您不能泄露机密的设计原理图、但方框图仍然是了解和实施对策/保护的必要基础、因为我知道我要强化我的原理图以供 CAD 审阅。

此致、
厘米