[参考译文] TPS53119：参数验证

安娜 

Unknown 说：

此控制器的输出能力是否取决于外部 mos 的参数？

有。  任何具有外部 MOSFET 的控制器的输出电流能力取决于所选的外部 MOSFET

[报价 userid="543105" url="~/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1487271/tps53119-parameter-validation ]]如果工程师想要查看输出可以提供多大的电流、需要查看哪些参数？[/QUOT]

我很抱歉 Anna、我不确定我是否理解您的问题。

TI 建议将 TPS53119控制器用于最大负载电流高达20A 的应用中、具体取决于其 MOSFET 驱动器的强度以及开发和发布 TPS53119时可用的 MOSFET 的 RDS_ON 和 Qgate 平衡。  自 TPS53119发布以来发布的具有更好 Rds_on x Qg 品质因数的新型 MOSFET 可能会略微提高该值、但 TPS53119提供电流的能力取决于所选的外部 MOSFET。

选择的 MOSFET 应能够平衡 Rdson 导通损耗以及驱动器和开关转换损耗。  选择栅极电荷高于50nC 的 MOSFET 可能会对器件运行产生负面影响。

TPS53119具有可编程的电流限制、可在低侧导通期间通过选择 RTIP 和低侧 MOSFET 上的 GND 至 SW 压降进行设置。  数据表中提供了可编程电流限制的公式。

此外、采用 TPS53119的设计的电流处理能力可能会受到所选 MOSFET 的热功率能力的限制、包括其 RDSon、开关损耗和热功率耗散能力。

希望这有助于回答您的问题。