工具与软件:
我正在尝试找到一个 N 沟道 MOSFET、可以与 USB2.0 DP/DN 的数据线串联使用。
基本上、当没有 VBUS 时、我需要在主机和器件之间物理断开 DP/DN。
有人能判断 CSD13380F3是否适合500Mbps 速度吗?
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工具与软件:
我正在尝试找到一个 N 沟道 MOSFET、可以与 USB2.0 DP/DN 的数据线串联使用。
基本上、当没有 VBUS 时、我需要在主机和器件之间物理断开 DP/DN。
有人能判断 CSD13380F3是否适合500Mbps 速度吗?
您好 Atharva、
感谢您关注 TI FET。 CSD13380F3针对负载开关和一般开关应用进行了优化。 它尚未在高频率下进行开关测试、因此我们没有任何数据。 它是一个低栅极电荷 FET、但典型的内部栅极电阻为16Ω、这限制了它的开关速度。 即使是我们针对高频开关模式电源应用进行了优化的 FET、也会限制在几 MHz 的开关频率。 我不相信我们有任何分立式 FET 会在如此高的频率下开关。 TI 拥有许多可能实现这一目标的 USB IC。 我可以将此线程重新分配给 USB 应用程序团队、看看他们是否可以为您提供帮助。
此致、
约翰·华莱士
TI FET 应用