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工具与软件:
您好!
我们的一款产品中正在使用 TPSM843A26RDGR-TPSM843R ET、最近完成了原理图设计。 在继续进行 PCB 布局之前、我们要运行仿真来验证设计。 但是、我们无法在 PSpice for TI 中找到相关库。
您能否协助我们验证原理图并提供仿真报告? 此外、要估算 RENT 和 RENB 的值、您是否可以提供上拉电流源(IP)和上拉迟滞电流(Ih)值?
谢谢你。
Kavin
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工具与软件:
您好!
我们的一款产品中正在使用 TPSM843A26RDGR-TPSM843R ET、最近完成了原理图设计。 在继续进行 PCB 布局之前、我们要运行仿真来验证设计。 但是、我们无法在 PSpice for TI 中找到相关库。
您能否协助我们验证原理图并提供仿真报告? 此外、要估算 RENT 和 RENB 的值、您是否可以提供上拉电流源(IP)和上拉迟滞电流(Ih)值?
谢谢你。
Kavin
您好、Kavin、
TPSM843A26 的功能与 TPSM843A26E 相同、E 版本具有 额外的限定条件。
TI.com 上 TPSM843A26产品文件夹中的 pspice 模型。 https://www.ti.com/lit/zip/slum897 可 用于仿真。
Webench 可用于计算左侧面板中的使能引脚电阻器 或 DS 中的公式。 IP 为1.5uA、IH 为9.9uA。
Webench 位于 TPSM843A26产品文件夹 TPSM843A26 数据表、产品信息和支持|德州仪器 TI.com 的底部
第5页的 EC 表具有 IP 和 IH。
https://www.ti.com/lit/ds/symlink/tpsm843a26e.pdf#page=5
我可以回顾一下原理图。
此致。
David
Kavin,
设计看起来不错。 但是、如果输出负载电流阶跃较大、请考虑使用更大的输出电容。
请使用图8-17 www.ti.com/.../tpsm843a26e.pdf PCB 布局获取指导。
TPSM843A26EVM ( TPSM843A26EVM 评估板| TI.com )第页上的 TPSM843A26EVM 是一款12V 至1V 的设计、用户指南中提供了性能波形。
此致、
David
尊敬的 David:
感谢您的反馈。 对于处理器的1V VDD、我们预计降压转换器的最大电流为10A。 我包含的内容 0.1µF、1µF 和10µF 电容器 两个 VOUT 上的电压。 这是否足够了、或者您是否建议在 VOUT 的两侧额外添加一个100µF 电容器?
此外、是否有方法可以确定降压转换器在接收到使能信号后提供1V 电压所需的时间(以毫秒为单位)?
此外、我可以在设计 PCB 时仅将 GND 连接到 AGND 吗?
此致、
Kavin
在 webench 的左侧面板上、有一个定制输出规格选项。 所需的信息是电压瞬态和输出电流阶跃。
如果阶跃为0A 至10A、请使用10A。 如果瞬态变化可能为5%、则输出电容应约为 600uF 的输出电容。
由于陶瓷电容器的电容随直流电压的变化而变化、
陶瓷电容器应针对直流偏置进行降额、下面是电容变化与直流偏置间关系的示例图
见第29页的图8-11 https://www.ti.com/lit/ds/symlink/tpsm843a26.pdf#page=29 显示了带使能功能的 Vout 启动时序。
Vout 的斜坡时间是软启动、根据 MSEL 电阻值、软启动时间可以是1ms、2ms、4ms 或8ms。 见数据表第18页的。