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[参考译文] UCC21710-Q1：3300V 微芯片 SiC MOSFET 的栅极驱动器

admin
Guru**** 2378680 points
Other Parts Discussed in Thread: UCC21750
请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1484749/ucc21710-q1-gate-driver-for-3300v-microchip-sic-mosfet

器件型号：UCC21710-Q1
主题中讨论的其他器件：UCC21750

工具与软件：

您好！

您能给我推荐一个合适的栅极驱动器来驱动 MSC025SMA330B4N 微芯片使 SiC To247-4L MOSFET 吗？ 此器件的总栅极电荷为400nC。 我们需要合适的栅极驱动器才能在 AFE 全桥配置中同样运行。

可在线获取 MOSFET 的数据表。

此致、

Nikhil  

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    TI__Guru**** 2378680 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好、Nikhil：

    栅极驱动器的选择应基于多个因素、

    1.隔离式还是非隔离式? 如果是隔离式的、汽车/工业应用的隔离电压要求是什么？

    2.所需的驱动强度是多少(取决于所需的总栅极电荷和栅极的上升时间)

    3.还需要哪些特性(DESAT/OC、米勒钳位等)

    4.栅极驱动器的 UVLO 支持所需的栅极驱动电压(基于所选的 FET)是多少？

    您能否对照这些因素进行检查？

    您可以通过以下链接查看所有不同的栅极驱动器可用性

    https://www.ti.com/power-management/gate-drivers/overview.html

  • 0
    TI__Guru**** 2378680 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    萨西卡拉您好！

    感谢您的答复。

    这是响应。

    1.隔离式还是非隔离式? 如果是隔离式的、汽车/工业应用的隔离电压要求是什么？

    回答：-具有工业隔离的隔离式栅极驱动器

    2.所需的驱动强度是多少(取决于所需的总栅极电荷和栅极的上升时间)

    响应：总栅极电荷为400nC、上升时间约为26ns。 因此我们需要栅极驱动器>16A

    3.还需要哪些特性(DESAT/OC、米勒钳位等)

    响应：需要 DESAT  

    4.栅极驱动器的 UVLO 支持所需的栅极驱动电压(基于所选的 FET)是多少？

    响应：电压必须介于+23V (高侧)和-10V (低侧)之间

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    TI__Guru**** 2378680 points
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    您好、Nikhil：

    根据您的要求、UCC21750将满足您的大部分要求、但其驱动强度仅为~10A。 您可以使用外部缓冲器将驱动强度增加到10A 以上。

    我们确实具有 UCC5880驱动器、它可通过 SPI 编程、具有附加功能、15A 驱动强度、并且是汽车级。

    希望它能满足要求。

    谢谢

    SASI