[参考译文] UCC21710-Q1：3300V 微芯片 SiC MOSFET 的栅极驱动器

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https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1484749/ucc21710-q1-gate-driver-for-3300v-microchip-sic-mosfet

器件型号：UCC21710-Q1
主题中讨论的其他器件：UCC21750

工具与软件：

您好！

您能给我推荐一个合适的栅极驱动器来驱动 MSC025SMA330B4N 微芯片使 SiC To247-4L MOSFET 吗？此器件的总栅极电荷为400nC。我们需要合适的栅极驱动器才能在 AFE 全桥配置中同样运行。

可在线获取 MOSFET 的数据表。

此致、

Nikhil

6 个月前

0 admin 6 个月前

TI__Guru**** 2378650 points

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您好、Nikhil：

栅极驱动器的选择应基于多个因素、

1.隔离式还是非隔离式? 如果是隔离式的、汽车/工业应用的隔离电压要求是什么？

2.所需的驱动强度是多少(取决于所需的总栅极电荷和栅极的上升时间)

3.还需要哪些特性(DESAT/OC、米勒钳位等)

4.栅极驱动器的 UVLO 支持所需的栅极驱动电压(基于所选的 FET)是多少？

您能否对照这些因素进行检查？

您可以通过以下链接查看所有不同的栅极驱动器可用性

https://www.ti.com/power-management/gate-drivers/overview.html

0 admin 6 个月前

TI__Guru**** 2378650 points

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萨西卡拉您好！

感谢您的答复。

这是响应。

1.隔离式还是非隔离式? 如果是隔离式的、汽车/工业应用的隔离电压要求是什么？

回答：-具有工业隔离的隔离式栅极驱动器

2.所需的驱动强度是多少(取决于所需的总栅极电荷和栅极的上升时间)

响应：总栅极电荷为400nC、上升时间约为26ns。因此我们需要栅极驱动器>16A

3.还需要哪些特性(DESAT/OC、米勒钳位等)

响应：需要 DESAT

4.栅极驱动器的 UVLO 支持所需的栅极驱动电压(基于所选的 FET)是多少？

响应：电压必须介于+23V (高侧)和-10V (低侧)之间

0 admin 6 个月前

TI__Guru**** 2378650 points

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您好、Nikhil：

根据您的要求、UCC21750将满足您的大部分要求、但其驱动强度仅为~10A。您可以使用外部缓冲器将驱动强度增加到10A 以上。

我们确实具有 UCC5880驱动器、它可通过 SPI 编程、具有附加功能、15A 驱动强度、并且是汽车级。

希望它能满足要求。

谢谢

SASI

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