[参考译文] BQ25756：I2C 通信问题

您好、Adam、

感谢您在这方面的努力。 是 BQ25756的应用工程师。

现在我正在查看您的原理图、可以看到您将 GaN FET 用于开关 FET。 BQ25756无法与 GaN FET 配合使用。 栅极漏电流过高、BQ25756对 GaN FET 没有任何保护。

您还将需要用于 BTST 引脚的二极管。 BQ25756没有集成 BTST 二极管。

这里是 BQ2575X 器件系列的常见问题解答页面 、这里是 BQ25756的原理图和布局检查清单、仅供参考。

如果您对此有任何问题、请告诉我。

此致、
埃森·加洛韦

您好、Adam、

我还有一些建议：

• 我建议为与 ICHG 和 ILIM_HIZ 并联的 RC 滤波器安装点。 当 ILIM_HIZ 或 ICHG 电阻器大于5kΩ 时、BQ25756需要一个 RC 滤波器。
  
  
• 确保 DRV_SUP 在靠近引脚的位置具有4.7µF 电容器

我有一些关于布局的建议：

• 确保 HIDRV、SW 和 LODRV 布线至少为20mil 厚。
• 将 HIDRV 和 SW 彼此相邻布线。 SW 是 HIDRV 的返回布线。 在 GND 旁边布线 LODRV。 GND 是 LODRV 的回路。
• 在 IC 焊盘下方放置几个过孔、以提供到底层的更好电气传导和热传导。
• 尽量在顶部布线、这样底部的 GND 平面会更大。 您可能需要采用4层电路板、以便更轻松地进行布线。
• 确保 SW 焊盘较大以帮助传导热量。 您可能需要采用300kHz 的开关频率、这也有助于减少热量。

此外、我们还提供了 使用 BQ25756和 TPS25751的参考设计 、可能有所帮助。

此致、
埃森·加洛韦

您好、Adam、

感谢您让我了解焊接桥接器。

电感器的 DCR 过低、无法与 BQ25756配合使用。 DCR 需要位于1.75mΩ 和60mΩ 之间。 IHLP6767GZER100M01等电感器是否适用于您的电路？

您可能已经找到了这个、但我们有一个100W PD 参考设计、它可以帮助您： www.ti.com/.../PMP41062

此致、
埃森·加洛韦