[参考译文] TPSF12C1：CM 扼流圈模型参数

嗨、Hegarty-San

感谢您的答复。

我查看了以下文档。

www.how2power.com/newsletters/2403/articles/H2PToday2403_design_TexasInstruments_part3.pdf

另外、在计算工具中生成等效模型时、LR 电路似乎被建模三次、但我的客户所用 CM 扼流圈的阻抗特性如下。 在我看来、三个电路不足以为此进行建模。 你怎么看？
尤其是、它无法表达1 MHz 以上的宽范围。

此致、

Higa

嗨、Hegarty-San

感谢您的答复。

我的客户目前正在准备评估此产品。
但是、他无法对 CM 扼流圈进行建模、并且即将放弃评估。
您能够支持我对它进行建模吗？
实际上、我曾尝试过使用一种工具、但我只是无法将其用于在1 MHz 以上的频带进行建模。

此致、

Higa

嗨、Hegarty-San

感谢您的大力支持。

我附上快速入门计算器文件。

此致、

Higae2e.ti.com/.../1884.TPSF12Cx_2D00_Q1_5F00_quickstart_5F00_calculator_5F00_A9_5F00_PFC4kW.xlsm

谢谢您、Higa。 我先看一下,然后再回复。

你好 Hegarty-San

我们的客户有点着急。
如果您能更新这些信息、将会非常有帮助。

此致、

Higa

e2e.ti.com/.../1884.TPSF12Cx_2D00_Q1_5F00_quickstart_5F00_calculator_5F00_A9_5F00_PFC4kW_5F00_solved.xlsm

尊敬的 Higa：

请查看随附的模型中的 Excel 工作表、我们可以针对客户的扼流圈数据提出这些工作表。  

比较模型和您提供的扼流圈数据-它们非常匹配。

您能否让客户使用此功能

谢谢。此致、

纳雷什

您好、Naresh-San

我有疑问。
在下面的文档中、计算 Ri 的公式如下。

通过该公式、可算出 Ri≠Ri + 1。
您给出的结果是 R2 = R3、因此它与上述公式不符、但在某些情况下 Ri = Ri + 1是否可能？
这在什么条件下发生？
这很难理解、因此我的客户似乎无法理解。

此外、​​为其他参数设置最佳值后、理解这一点是否正确
Fsw < VDD 电源电压时的 INJ 引脚电压摆幅？

此致、

Higa

您好、 Naresh-San

您有更新吗？

此致、

Higa

你好 Diasuke Higa

我将重新介绍这一点

您好、Adepu-san

这是客户的请求。 您能否帮助我们使用您创建的 CM 扼流圈等效模型推导出其他最佳滤波器设置？
自我们首次就此问题与您联系以来、已经花费了相当长的时间、因此我们可能会失去这个机会。
我们感谢您的支持。

此致、

Higa

Higa、您好！

提到文档时、您指的是什么文档？ (在下面的文档中、计算 Ri 的公式如下。)

客户是否计划将该模型用于任何仿真？ 您能否和他核实一下他使用的是哪种工具？

这个模型是在这里连接的是我们目前可以得到的精确的衣橱。 您能否让客户使用此功能？

谢谢。此致

纳雷什

纳雷什、您好！

我是 Higa 的同事 Conor。 感谢您始终关注 EMI 滤波器！

我下载了您附加的 Excel 文件并检查了内容。 这对于在客户进行评估之前进行介绍非常有帮助。 我对 Excel 文件有几个问题。

[问题1]
我认为在步骤3中将 LGRID 和 RGRID 保留为0是可以的。 但是、我输入了 LGRID = 1µH 和 RGRID = 50mΩ 作为实际的初始值、并参阅用户指南。 只修改您发送给我的 Excel 项目中的上述内容并运行宏来验证是否合适？ 如果根据客户的规格需要修改任何其他项目、请添加注释。 据我从 Excel 参数中可以看到、每个参数作为初始值似乎都是合理的。

[问题2]
当我根据问题1的内容运行宏时、INJ 引脚电压幅度中发生了错误。 INJ 引脚电压幅度大约为50Vpp、这是 VDD = 12V 时的显著误差值。 INJ 引脚电压幅度应保持在7.5V (=12-4.5V)。 可能的解决方案包括降低 CINJ、但您有什么建议吗？

[问题3]
我将重复 Higa 所说的。
在以下文档中、公式(8)和(9)展示了在为纳米晶扼流圈建模时将多个 RL 并联电路串联的方法。 在这个等式中、Ri≒Ri+1、但是在你的答案中、R2 = R3。 您能说明一下原因吗？

e2e.ti.com/.../H2PToday2403_5F00_design_5F00_TexasInstruments_5F00_part3.pdf

三级 RL 电路用于对纳米晶扼流圈的阻抗特性进行建模。 ​该模型的目的是重现高频频段中电感减少和损耗分量(电阻)增加的情况。 ​电抗的变化对相位特性(尤其是在高频带中)有显著影响、因此认为通过调整电感并保持电阻恒定来优化总体阻抗特性是否正确？

谢谢！

Conor

 纳雷什、您好！

您有更新吗？

我还将补充[问题2]。 如果 INJ 波形饱和、则可以考虑以下测量。
•增加 Y 电容器(稳压器侧)的容量、使其值大于当前使用的值。
•通过降低 AEF 环路的增益(增大 RG 电阻器)来提高饱和。

请参阅"任何电路优化和调试技巧？" 所示。
[常见问题解答] TPSF12C1和 TPSF12C3电源滤波器 IC 常见问题解答

请说明是否有任何其他措施。

谢谢！

Conor